A double-layered anti-reflective coating with hydrophilic/abrasion-resistant properties was studied using anatase titanium dioxide($TiO_2$) and silicon oxycarbide($SiO_xC_y$) thin film. $TiO_2$ and $SiO_xC_y$ thin films were sequentially deposited on a glass substrate by DC sputtering and PECVD, respectively. The optical properties were measured by UV-Vis-NIR spectrophotometer. The abrasion-resistance and the hydrophilicity were observed by a taber abrasion tester and a contact angle analyzer, respectively. The $TiO_2/SiO_xC_y$ double-layer thin film had an average transmittance of 91.3%, which was improved by 10% in the visible light region (400 to 800 nm) than that of the $TiO_2$ single-layer thin film. The contact angle of $TiO_2/SiO_xC_y$ film was $6.9^{\circ}$ right after UV exposure. After 9 days from the exposure, the contact angle was $10.2^{\circ}$, which was $33^{\circ}$ lower than that of the $TiO_2$ single-layer film. By the abrasion test, $SiO_xC_y$ film showed a superior abrasion-resistance to the $TiO_2$ film. Consequently, the $TiO_2/SiO_xC_y$ double-layer film has achieved superior anti-reflection, hydrophilicity, and abrasion resistance over the $TiO_2$ or $SiO_xC_y$ single-layer film.
Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 r.f. 마그네트론 스퍼터링 방법으로 $300^{\circ}C$이하의 저온에서 SrTiO3 박막을 증착하였다. XRD, RBS, TEM, EPMA로 증착된 박막의 재료적 특성을 분석하였고, Al/$SrTiO_3$/Pt의 구조로 커패시터를 제작하여 전기적 특성을 분석하였다. 기판온도가 증가함에 따라 박막의 결정성과 유전율이 향상되었으나, $200^{\circ}C$이하의 기판온도에서는 Sr이 결핍된 조성을 갖게 되어 증착된 박막이 반도성을 나타내었다. 증착중에 기판에 양의 d.c. 전압을 10~30V 인가함으로써 박막의 결정성이 크게 향상되었고, 유전특성도 개선되었다. $300^{\circ}C$의 기판온도에서 20V의 d.c. bias를 인가하여 증착한 400nm 두께의 $SrTiO_3$ 박막은 <211> 우선방향성을 갖는 주상정 구조와 화학양론적인 조성을 나타내었고, 본 연구에서 가장 우수한 전기적 특성을 보였다. 100 kHz에서 유전율이 98, 유전손실이 3.4%였으며, 3V에서 누설전류는 $10^{-5}A/\textrm{cm}^2$였다.
The synthesis of SrTiO3 powders having high purity and homogeneous submicron particle size was attempted by the oxalate method. The microstructure and dielectric properties of SrTiO3 based boundary layer capacitor (BLC) were investigated. Strontium titanyl oxalate[SrTiO(C2O4)2.4H2O] was prepared from the mixing solution of (Sr, Ti) using oxalic acid(H2C2O4) as a precipitating agent at 8$0^{\circ}C$. The crystalline SrTiO3 powder was obtained by thermal decomposition of the precipitate above $600^{\circ}C$. The crystalline SrTiO3 powder containing Nb2O5 as a dopant, TiO2 and SiO2 as additives was sintered at 1360~144$0^{\circ}C$ in the reducing atmosphere to get semiconductive SrTiO3. Insulating material containing PbO-Bi2O3-B2O3 frit was printed on the sintered semiconductive SrTiO3 and fired at 120$0^{\circ}C$ for 2h to get the grain boundary diffusion.
10 wt.% and 20 wt.%$Li-TiO_2$ composite powders are synthesized by a sol-gel method using titanium isopropoxide and $Li_2CO_3$ as precursors. The as-received amorphous 10 wt.%$Li-TiO_2$ composite powders crystallize into the anatase-type crystal structure upon calcination at $450^{\circ}C$, which then changes to the rutile phase at $750^{\circ}C$. The asreceived 20 wt%$Li-TiO_2$ composite powders, on the other hand, crystallize into the anatase-type structure. As the calcination temperature increases, the anatase $TiO_2$ phase gets transformed to the $LiTiO_2$ phase. The peaks for the samples obtained after calcination at $900^{\circ}C$ mainly exhibit the $LiTiO_2$ and $Li_2TiO_3$ phases. For a comparison of the photocatalytic activity, 10 wt.% and 20 wt.% $Li-TiO_2$ composite powders calcined at $450^{\circ}C$, $600^{\circ}C$, and $750^{\circ}C$ are used. The 20 wt.%$Li-TiO_2$ composite powders calcined at $600^{\circ}C$ show excellent efficiency for the removal of methylorange.
(Ti.W)C complex carbide was synthesized by self-propagating high temperature synthesis (SHS) chemical furnace. Attempt to find the optimal condition for synthesis of (Ti.W)C the effects of molar ratio of Ti:W:C on the synthesized powders and mechanical properties were investigated, Optimum molar ratio of these synthe-sized powder was Ti:W:C=0.7:0.2:1.0 The bulk density M,O.R Hardness Fracture toughness of (Ti.W)C complex carbide sintered at 200$0^{\circ}C$ for 60 min by hot-pressing under the pressure of 20 MPa were 7.6g/cm3, 475 MPa, 17,.7 GPa respectively.
Fe-TiC composite powders were fabricated by planetary ball mill processing. Two kinds of powder mixtures were prepared from the starting materials of (a) (Fe, TiC) powders and (b) (Fe, $TiH_2$, Carbon) powders, respectively. Milling speed (300, 500 and 700 rpm) and time (1, 2, and 3 h) were varied. For (Fe, $TiH_2$, Carbon) powders, an in situ reaction synthesis of TiC after the planetary ball mill processing was added to obtain a homogeneous distribution of ultrafine TiC particulates in Fe matrix. Powder characteristics such as particle size, size distribution, shape, and mixing homogeneity were investigated.
Reduction of Ti(Ⅳ)-oxalate complex on dropping mercury electrode has been studied as a function of oxalate concentration and of pH varied with HCl. Assuming there are equilibrium $TiO(C_2O_4)_2= \;+\;2H^+\;=\;Ti^{+4}\;+\;2C_2O_4\;=\;+\;H_2O,\;K_4$ in addition to $TiO(C_2O_4)_2\;^=\;=\;TiO^{++}\;+\;2C_2O_4=\;K_2\;Ti(C_2O_4)_2\;^-\;=\;Ti^{+3}\;+\;2C_2O_4=\;K_3$ in the system cathodic wave has been well explained for that pH is higher than 0.5. The equilibrium constants $K_2,\;K_3$ and $K_4$ have been to be $2{\times}10^{-12},\;5{\times}10^{-13}$ and $10^{-11}$, respectively. The reduction of Ti(Ⅳ)-oxalate system is $Ti^{+4}\;+\;e\;{\to}\;Ti^{+3}$ in the concentration of hydrochloric acid, higher than 3M.
This study assessed the feasibility of a Ti3AlC2 MAX phase as an Al-source for the formation of a mullite bond in the fabrication of porous SiC tubes with high strength. The as-received Ti3AlC2 was partially oxidized at 1200℃ for 30 min before using to minimize the abrupt volume expansion caused by oxidation during sintering. Thermal treatment at 1100-1400℃ for 3 h in air led to the formation of Al2O3 by the decomposition of Ti3AlC2, which reacted further with oxidation-derived SiO2 on the SiC surface to form a mullite phase. The fabricated porous SiC tubes with a relative density of 48 - 62 % exhibited mechanical strengths of 80 - 200 MPa, which were much higher than those with the Al2O3 filler material. The high mechanical strength of the Ti3AlC2-added porous SiC was explained by the rigid mullite neck formation along with the retained Ti3AlC2 with good mechanical properties.
Ti3C2Tx MXene, which is a representative of the two-dimensional MXene family, is attracting considerable attention due to its remarkable physicochemical and mechanical properties. Despite its strengths, however, it is known to be vulnerable to oxidation. Many researchers have investigated the oxidation behaviors of the material, but most researches were conducted at high temperatures above 500 ℃ in an oxidation-retarding environment. In this research, we studied changes in the structural and electrical properties of Ti3C2Tx MXene induced by low-temperature heat treatments in ambient conditions. It was found that a number of TiO2 particles were formed on the MXene surface when it was mildly heated to 200 ℃. Heating the material to higher temperatures, up to 400 ℃, the phase transformation of Ti3C2Tx MXene to TiO2 was accelerated, resulting in a TiO2/Ti3C2Tx hybrid. Consequently, the metallic nature of pure Ti3C2Tx MXene was transformed to semiconductive behavior upon heat-treating at ≥ 200 ℃. The results of this research clearly demonstrate that Ti3C2Tx MXene may be easily oxidized even at low temperatures once it is exposed to air.
$Al_2O_3$/TiC/SiC, $Al_2O_3$/SiC 및 $Al_2O_3$/TiC 복합체들을 고온가압소결로 제조하여 이들의 균열저항거동과 기계적 성질을 비교해 보았다. $Al_2O_3$에 $0.8{\mu}m$의 TiC가 30vol% 첨가된 $Al_2O_3$/TiC는 단일체 $Al_2O_3$와 비슷한 균열저항거동을 보이며 파괴인성은 전반적으로 10% 이내의 증가를 보이는데 그쳤지만 강도는 약 30% 증가하였다. $Al_2O_3$에 $3{\mu}m$ SiC가 30vol% 첨가된 $Al_2O_3$/SiC는 SiC 입자의 균열 접속으로 인해 증가하는 균열저항거동을 뚜렷이 보이면서 파괴인성이 긴 균열에서 약 75% 증가하였으나 강도는 다소 감소했다. $Al_2O_3$/TiC에 SiC 입자가 30 vol% 첨가된 $Al_2O_3$/TiC/SiC 복합체의 경우 단일체 $Al_2O_3$에 비해 긴 균열 거리에서 파괴인성이 50% 이상 증가된 6.6 MP${\cdot}\sqrt{m}$에 이르렀으며 강도 값도 약 20% 상승하였다. 그러나 큰 SiC 입자의 첨가로 인해 TiC 입자만 첨가된 $Al_2O_3$/TiC 복합체보다는 강도가 다소 낮았다. 또한 SiC 입자만 첨가된 $Al_2O_3$/SiC 복합체보다는 파괴인성이 다소 낮았는데, 이는 작은 TiC 입자들이 SiC 입계를 거칠게 만들어 균열접속을 일으키는 SiC 입자의 뽑힘 현상을 방해하였기 때문이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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