• 한국세라믹학회지
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• 제47권5호
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• pp.467-473
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• 2010

The objective of this study is to prepare lead-free thick film resistor (TFR) paste compatible with AlN substrate for hybrid microelectronics. For this purpose, CaO-ZnO-$B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ glass system was chosen as a sintering aid of $RuO_2$. The effects of the weight ratio of CaO to ZnO in glass composition, the glass content and the sintering temperature on the electrical properties of TFR were investigated. $RuO_2$ as a conductive and glass powder were dispersed in an organic binder to obtain printable paste and then thick-film was formed by screen printing, followed by sintering at the range between $750^{\circ}C$ and $900^{\circ}C$ for 10 min with a heating rate of $50^{\circ}C$/min in an ambient atmosphere. The addition of ZnO to glass composition and sintering at higher temperature resulted in increasing sheet resistance and decreasing temperature coefficient of resistance. Using $RuO_2$-based resistor paste containing 40 wt%glass of CaO-20.5%ZnO-25%$B_2O_3$-7%$Al_2O_3$-15%$SiO_2$ composition, it is possible to produce thick film resistor on AlN substrate with sheet resistance of $10.6\Omega/\spuare$ and the temperature coefficient of resistance of 702ppm/$^{\circ}C$ after sintering at $850^{\circ}C$.

• Journal of Information Display
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• 제2권3호
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• pp.39-43
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• 2001

The glass compositions of $PbO-SiO_2-B_2O_3$ system and $P_2O_5-PbO-ZnO$ system for the transparent dielectric materials for front panel and $P_2O_5$-ZnO-BaO and $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ for the reflective dielectric materials for back panel of PDP (Plasma Display Panel) were investigated. As a result, transparent dielectric materials for front panel showed good dielectric properties, high transparency, and proper thermal expansion matching to soda lime glass substrate. And the reflective dielectric layers for back panel were prepared from two series of parent glass and oxide filler. It was found that these glassceramics are useful materials for dielectric layers in PDP device, as they have similar thermal expansion to soda-lime glass plate, high reflectance, and low sintering temperature. In particular, the addition of $BPO_4$ and $TiO_2$ as fillers to $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system is considered to be the most effective for acquiring good properties of lower dielectric layer for PDP device.

• 한국결정학회지
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• 제7권2호
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• pp.175-182
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• 1996

ZnO 박막의 증착 거동에 대한 기본 실험을 하기 위하여 우선 코닝 7050 유리 기판을 사용하여 증착 변수에 따른 박막의 성장특성을 규명하였다. 산소가스의 영향을 보면, ZnO 박막의 산소를 주입시키지 않은 경우에는 배향성을 갖지 못하고 있으며, 일정양의 산소가 있어야 (002) 배향성을 가진 ZnO 박막이 증착되고 있음을 알 수 있었다. 또한 실험결과에 의하면 rf 전력과 기판온도에 따라서 ZnO 박막의 결정성 및 성장면의 큰 변화가 관찰되고 있는데, 이들 변수의 크기가 증가할수록 SAW소자에 적합한 양질의 배향성 박막을 얻을 수 있었다. 실험에서 얻은 최적조선은 rf 전력 300W, 기판온도 300℃, Ar/O2=50/50 이다. SAW 특성을 분석하기 위하여 diamond/Si 기판위에 Al 박막을 증착시킨 후 자체 제작한 마스크를 이용하여 건식 식각법에 의한 IDT 제작을 시도하였다. 그 다음 위의 최적 조건에서 ZnO 박막을 증착하고 탄성표면파 특성을 분석하였다. 측정에 사용한 디자인은 λ(파장)는 24μm으로서 측정결과 simulation 값과 실험치가 잘 일치하고 있었다. 측정된 중심주파수는 250MHz이고, 이로부터 계산한 ZnO/diamond 구조의 전단 속도는 약 6000m/s의 값을 나타냈으며, 이 값은 실제 이론치와 거의 일치하고 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제9권1호
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• pp.46-50
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• 1999

액상반응법에 의해 $\textrm{Zn}_{2-x}\textrm{Mn}_{x}\textrm{SiO}_{4}$ 녹색 형광체를 합성한 후 소성온도($900^{\circ}C$-$1200^{\circ}C$) 및 Mn 활성제 농도(x=0.01~0.20)에 따른 발광특성과 결정특성을 조사하였다. 147nm와 254nm 여기원을 사용한 경우 형광체의 소성온도가 $900^{\circ}C$에서 $1200^{\circ}C$로 증가함에 따라 상대발광피크강도는 약 4배 이상 크게 증가하였다. XRD 분석결과 $1100^{\circ}C$이상의 소성온도에서 $\textrm{Zn}_{2}\textrm{SiO}_{4}$:Mn 녹색 형광체에서 나타나는 전형적인 willemite 결정구조를 보여주었다. $1200^{\circ}C$의 온도로 소성된 $\textrm{Zn}_{2-x}\textrm{Mn}_{x}\textrm{SiO}_{4}$형광체 시료의 경우 147nm 여기원에서 Mn 활성제 농도가 x=0.02에서 최대 발광강도를 나타내었으며 x=0.10 이상에서 발광강도가 급격히 저하하는 농도 칭 현상이 나타났다. SEM 분석결과 형광체 입자는 구형에 가까운 형상을 보여주었으며 $1200^{\circ}C$에서 소성된 형광체 입자크기는 약 2~3$\mu\textrm{m}$이었다.EX>이었다.

• 한국재료학회지
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• 제8권9호
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• pp.860-864
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• 1998

고상 반응법에 의해 제조된 $\textrm{Zn}_{1.98}\textrm{Mn}_{0.02}\textrm{SiO}_{4}$ 녹색 형광체에 Ga 원소를 치환시켜 소성온도 및 Ga의 첨가량에 따른 발광특성과 결정특성을 조사하였으나, $\textrm{Zn}_{1.98}\textrm{Mn}_{0.02}(\textrm{Si_{1-x}\textrm{Ga}_{x})\textrm{O}_{4}$ 형광체에 있어서 Ga을 첨가했을 경우가 첨가하지 않은 샘플에 비해 발광특성이 개선되었으며, 8mol%(x=0.08) Ga을 첨가했을 때 발광세기와 색순도에서 가장 우수한 특성을 보였다. $\textrm{Zn}_{1.98}\textrm{Mn}_{0.02}(\textrm{Si_{1-x}\textrm{Ga}_{x})\textrm{O}_{4}$ 형광체(x=0.08)에 대해서 소성온도를 $1100^{\circ}C$에서 $1400^{\circ}C$로 증가함에 따라 결정성이 개선되었으며 발광강도 역시 약 7배 이상 크게 증가하였다. 잔광시간은 Ga 첨가량에 관계없이 약 24 ms로 거의 변화가 없었다. 입도분석 결과 1-3$\mu\textrm{m}$의 작은 입자가 주로 관찰되었으며 10$\mu\textrm{m}$이상의 큰 응집입자도 소량 존재하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.978-980
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• 1999

In this paper, DC degradation of ZnO varistor sintered in the atmospheres of nitrogen and oxygen was investigated. The content of $SiO_2$ containing 0.0, 0.2, 0.5 mol% respectively was addicted for the improvement of degradation property. ZnO varistor was fabricated in the special electrical furnace which had the vacuum system. The temperature and the voltage for the DC degradation test were $115{\pm}2^{\circ}C$, $0.85V_{1mA/cm^2}$. The time conditions for this test were 0, 2, 4, 8 hours and Current-voltage analysis is used to determine nonlinear coefficients($\alpha$). Frequency analysis are accomplished for the understanding of electrical properties as DC degradation test. In this experiment, We concluded that nonlinear coefficient decreased as the amount of $SiO_2$ addition increased, but degradation rate coefficient increased as the amount of $SiO_2$ addition increased. Also, degradation test with the analysis of equivalent circuit showed that the degradation phenomenon of ZnO varistor wasn't linearity.

• 한국재료학회지
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• 제8권8호
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• pp.672-677
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• 1998

오원계 AI-합금의 용융산화에 의한 $AI_2O_3$ 복합재료의 형성속도와 미세구조에 대하여 연구하였다. AI-1Mg-3Si-3Zn 합금과 AI-1Mg-3Si-5Zn합금에 Cu, Ni 각각을 1% 무게비로 첨가하였다. 각 오원계 합금은 1373K, 1473K에서 최대 20시간 동안 산화시켰으며, 산화속도는 무게증가 측정을 통하여 조사하였다. 산화층의거시적 형상과 미세구조를 광학현미경으로 관찰하였다. AI-1Mg-3Si-5Zn-1Cu 합금이 가장 우수한 산화거동을 보였으나, 산화층이 불균일하였다. 합금위에 $SiO_2$를 도포하였더니 산화속도가 증진되었으며, 균일하고 조직이 친밀한 산화층이 얻어졌다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권6호
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• pp.619-625
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• 1998

Mn doped {{{{ {Zn {Ga }_{2 }O }_{4 } }} thin film phosphors were prepared on Si(100) wafers and ITO coated glass substrates by rf magnetron sputtering technique and the effects of the substrates dopant and the sputtering paramet-ers were analyzed, Changes of the oreintation were observed after annealine tratment. The grain size of {{{{ {Zn {Ga }_{2 }O }_{4 } }} : Mn thin film deposited on Si wafer was smaller than that on ITO/glass substrate which resulted in higher PL intensity. The PL spectra of Mn doped {{{{ {Zn {Ga }_{2 }O }_{4 } }} thin films showed sharp green luminescence spec-trum. According to CL spectrum it could be concluded that Mn ions acted as an actuator for green emission by substituting Zn atom sites.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제12권4호
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• pp.169-173
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• 2011

In this study, Al-N codoped p-type zinc oxide (ZnO) thin films were deposited on Si and homo-buffer layer templates in a mixture of $N_2$ and $O_2$ gas with ceramic ZnO:(2 wt% $Al_2O_3$) as a sputtering target using DC- magnetron sputtering. X-ray diffraction spectra of two-theta diffraction showed that all films have a predominant (002) peak of ZnO Wurtzite structure. As the $N_2$ fraction in the mixed $N_2$ and $O_2$ gases increased, field emission secondary electron microscopy revealed that the surface appearance of codoped films on Si varied from smooth to textured structure. The p-type ZnO thin films showed carrier concentration in the range of $1.5{\times}10^{15}-2.93{\times}10^{17}\;cm^{-3}$, resistivity in the range of 131.2-2.864 ${\Omega}cm$, and mobility in the range of $3.99-31.6\;cm^2V^{-1}s^{-1}$ respectively.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권2호
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• pp.145-150
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• 1998

ZnGa2O4 thin film phosphors were deposited on Si(100) (111) wafers by rf magnetron sputtering. The ef-fects of substrates and deposition parameters on the growing mechanisms were studied. As a results of the effect of substrate temperature tranistions of growth orientation and different growing behaviors were ob-served. Also polycrystalline ZnGa2O4 thin film could not be achieved without oxygen gas. PL spectrum of ZnGa2O4 thin films were analyzed and showed broad band luminescence spectrum.