Platinum is a well known element which shows a significant electrocatalytic activity in many important applications. In glucose sensor, because of the poisoning effect of reaction intermediates and the low surface area, the electrocatalytic activity towards the glucose oxidation is low which cause the low sensitivity. So, we fabricate a nanoporous PtZn alloy electrode by deposition-dissolution method. It provides a high active surface and a large enzyme encapsulating space per unit area when it used for an enzymatic glucose sensor. Glucose oxidase was immobilized on the electrode surface by capping with PEDOT composite and PPDA. The composite and PPDA also can exclude the interference ion such as ascorbic acid and uric acid to improve the selectivity. The surface area was determined by cyclic voltametry method and the surface structure and the element were analyzed by Scanning Electron Microscope (SEM) and Energy Dispersive X-ray spectroscopy (EDX), respectively. The sensitivity is $13.5{\mu}A/mM\;cm^2$. It is a remarkable value with such simply prepared senor has high selectivity.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.68-68
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2010
Electroluminescence (EL) characteristics of green-emission ZnS:Cu,Cl-based ac-type inorganic powder electroluminescent structures were examined by inserting carbon nanotubes (CNTs) into or next to the dielectric layer. For the top-emission type EL structure, where the luminescent light was emitted from the top of the structure, was fabricated by assembling in order, a top electrode, an emitting layer, a dielectric layer, and a bottom electrode from the top. $BaTiO_3$ powder mixed with CNTs was used as a dielectric layer or CNTs were deposited between the bottom electrode and $BaTiO_3$ dielectric layer in order to improve the role of the dielectric layer in the structure. Luminance of an EL structure with CNTs inclusion was greatly enhanced possibly due to the high dielectric constant in the dielectric layer of $BaTiO_3$/CNTs, which is one of hot research topics utilizing nano-objects for intensifying dielectric constant and reducing dielectric loss at the same time. A variation on the CNTs themselves and their inclusion methods in the dielectric layer has been exhorted, and the underlying mechanism for the role of CNTs in the EL structure will be explained in the poster. In order to extend the flexibility of EL devices, EL devices were fabricated on the paper substrate and their performance was compared other EL devices on the plastic-based substrate.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.05a
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pp.58-61
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2005
In an effort to improve the electrical properties of ZnO:Al transparent electrode films, post-annealing treatment in hydrogen atmosphere was attempted with varying annealing time at 573 K for compatibility with typical display device fabrication processes. It was observed that carrier concentrations and mobilities increased with longer annealing time with small changes in crystallinity. This resulted in substantial decrease in resistivity from $4.80{\times}10^{-3}$ to $8.30{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ due to increased carrier concentration. Such improvements in electrical properties are attributed to the passivation of the grain boundary surfaces. The optical properties of the films, which changed in accordance with the Burstein-Moss effect, were consistent with the observed changes in electrical properties.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.217-217
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2010
산화물유전체/금속/산화물유전체(D/M/D) 구조의 투명전극은 우수한 통전성과 투광성을 갖는 동시에 근적외선 및 전자파 차폐가 가능하여 각종 디스플레이 장치로의 응용을 위해 많은 연구가 진행 중이다. 이러한 구조의 다층막의 경우 금속층과 산화물층간 계면에서의 산소확산으로 인한 광학적, 전기적 특성 저하가 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 층간 산소확산방지를 통해 다층막의 전기적 특성을 개선하기 위해 $TiO_2$/Ag/$TiO_2$, $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ 구조의 다층막을 DC/RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 제조하여 ZnS 박막이 다층막의 특성에 미치는 영향을 비교 평가하였다. 제조된 박막의 전기적, 광학적, 계면 특성을 4-point probe, Spctrophotometer, AES을 이용하여 분석하였으며 PDP필터용 전극으로의 적용 가능성을 평가하였다.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.9
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pp.988-993
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2004
Luminescence characteristics of Ag-doped ZnO as the quantum dot materials to increasing the efficiency on dye-sensitized solar cells (DSC) have been studied. Ag doped ZnO powder was produced by the self-sustaining combustion process using ultrasonic spraying heating method. Luminescence wavelength region of the ZnO by Ag doping was shifted to longer wavelength. Tn the case of the Ag doped ZnO powder, broad luminescence spectrum centered on 600nm was observed. On the other hand, we compared PL data of RTA treated ZnO:Ag film at various temperatures because the front electrode of solar cell was in need of the sintering process. In XRD and PL data for RTA treated film at the 500$^{\circ}C$ showed good property. And, it was found that the grain size wasn't growing but only optical property was changed. According to the result of XRD, PL, absorption, emission spectrum and DV-X${\alpha}$ used in theoretical calculation, it is considered to be possible to use Ag doped ZnO as quantum dot material for improving DSC efficiency.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.439-439
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2011
기존의 고온에서 제작되는 TiO2 나노 입자를 이용한 염료감응형 태양전지를 저온에서 제작하기 위해 전자 이동층으로 ZnO 나노 입자를 사용하여, 저온($200^{\circ}C$)에서 염료감응태양전지(DSSC)를 제작하였다[1,2]. 상대전극(counter electrode)으로는 RF magnetron sputtering을 사용하여 ITO/glass위에 Pt를 증착하여 태양전지의 특성을 측정하였다. $180^{\circ}C$ 이상에서 hydropolymer가 증발되는 것을 이용하여, ZnO 나노입자와 hydropolymer 혼합한 paste 제작하여 소결 후 ZnO 나노입자 사이에 다공성을 생성시켜 Dye가 잘 침투하여 ZnO 나노입자 표면에 잘 흡착 되도록 하였다[3]. 20 nm 및 60 nm 크기의 ZnO 나노 입자를 사용하여 실험 해본 결과, 20 nm에 비하여 60 nm ZnO 나노입자의 경우 IPCE 값이 약 7% 정도로 높은 전환효율 값을 보였다. 60 nm ZnO 나노입자를 전자 수송층으로 사용한 DSSC 소자에서 단위면적당 흐르는 전류(Jsc), 전압 (Voc), fill factor (ff), 그리고 효율(${\eta}$)의 최대값은 4.93 mA/$cm^2$, 0.56V, 0.40, and 1.12%, 로 보였다.
Kim, Hyun-Cheol;Reddy, A.Sivasankar;Park, Hyung-Ho
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.368-368
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2007
Zinc oxide (ZnO) has drawn much interest as a potential transparent conducting oxide (TCO) for applying to solar cell and front electrode of electro-luminescent devices. For the enhancement of electrical property of TCOs, dopant introduction and hybridization with conductive nanoparticles have been investigated. In this work, ZnO films were formed on glass substrate by using photochemical solution deposition of Ag nanoparticles dispersed or various metal (Ag, Cd, In, or Sn) contained photosensitive ZnO solutions. The usage of photosensitive solution permits us to obtain a micron-sized direct patterning of ZnO film without using conventional dry etching procedure. The structural, optical, and electrical characteristics of ZnO films with the introduction of metal dopants with/without Ag nanoparticles have been investigated to check whether there is a combined effect between metal dopants and Ag nanoparticles on the characteristics of ZnO film. The phase formation and crystallinity of ZnO film were monitored with X-ray diffractometer. The optical transmittance measurement was carried out using UV-VIS-NIR spectrometer and the electrical properties such as sheet resistance and conductivity were observed by using four-point probe.
The combination of different concentrations of ZnSO4 in acidic solution as electrolyte in Zn-air batteries was investigated by Zn symmetrical cell test, half-cell and full cell tests. Using 1 M ZnSO4 + 0.05 M H2SO4 as electrolyte and MnO2 as air cathode catalyst with Zn foil anode, this combination had a satisfactory performance with balance of electrochemical activity and stability. Its electrochemical activity was matched to or even better than the PtRu catalyst in different current density. And its cycle life was improved (more than 100 cycles stable) by suppressing the growth of zinc dendrites on anode obviously. This electrolyte overcame the shortcomings of alkaline electrolyte that are easy to react with CO2 in the air, severely growth of Zn dendrites caused by uneven plating/stripping of Zn.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.5
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pp.377-380
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2012
Laser direct patterning of indium tin oxide(ITO) is one of new methods of direct etching process to replace the conventional photolithography. A diode pumped Q-switched Nd:$YVO_4$ (${\lambda}$= 1,064 nm) laser was used to produce ITO electrode on various transparent oxide semiconductor films such as zinc oxide(ZnO). The laser direct etched ITO patterns on ZnO were compared with those on glass substrate and were considered in terms of the overlapping rate of laser beam. In case of the laser etching on double-layer, it was possible to obtain the higher overlapping rate of laser beam.
Kang, In Hye;Hwang, Sang Ho;Baek, Yeong Jo;Moon, Seung Jae;Bae, Byung Seong
Journal of Sensor Science and Technology
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v.28
no.2
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pp.133-138
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2019
The a-InGaZnO (a-IGZO) thin film transistor (TFT) has the advantages of larger mobility than that of amorphous silicon TFTs, acceptable reliability and uniformity over a large area, and low process cost. A capacitive-type touch sensor was studied with an a-IGZO TFT that can be used on the front side of a display due to its transparency. A capacitive sensor detects changes of capacitance between the surface of the finger and the sensor electrode. The capacitance varies according to the distance between the sensor plate and the touching or non-touching of the sensing electrode. A capacitive touch sensor using only one a-IGZO TFT was developed with the reduction of two bus lines, which made it easy to reduce the pixel pitch. The proposed sensor circuit maintained the amplification performance, which was investigated for various drive conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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