The surface morphology, the glossiness and the hardness of Zn-Cr and Zn-Cr-X(X:Co, Mn) alloy electrodeposits were investigated by using chloride bath with EDTA additive and flow cell system. The surface morphology of Zn-Cr alloy and Zn-Cr-Mn alloy changed from fine needle shape crystalline structure to colony structure of fine granular crystallites with increasing current density in the range of 20-100 $A/dm^2$. The surface morphology of Zn-Cr-Co alloy deposited from low Co concentration bath(2.5-10 g/$\ell$) was similar to that of Zn-Cr alloy, while that of Zn-Cr-Co alloy deposited from high cobalt concentration bath was fine granular crystalline structure in the same range of current density. The glossiness of Zn-Cr and Zn-Cr-Mn alloy increased noticeably with increasing current density, while that of Zn-Cr-Mn alloy decreased with increasing Mn concentration of bath in high current density region. The glossiness of Zn-Cr-Co alloy deposited from low Co concentration bath increased with current density while that of the alloy from high Co concentration bath decreased with increasing current density. The hardness of Zn-Cr and Zn-Cr-X alloy increased noticeably with current density.
저온 박막 공정을 위해 비등점이 낮은 용매인 isopropanol을 사용하였고, 용질로 zinc acetate의 몰 농도를 0.3∼1.3 mol/l까지 변화시켜 sol을 합성하였다. Zn 농도 변화에 따른 ZnO 박막의 구조 및 광학, 전기적 특성을 분석하였다. XRD 측정에서 Zn의 농도가 0.7 mol/l 일 때 c-축으로 결정 배향성이 뚜렷하였다. SEM으로 박막의 표면 morphology를 관찰한 결과 0.7 mol/l 에서 균일한 표면층을 갖는 나노구조를 이루고 있었다. UV-vis. 측정을 통한 ZnO 박막의 광투과도는 Zn의 농도가 0.7 mol/l 이하에서 87%였으나, 1.0 mol/l 이상의 농도에서는 급격히 감소하였다. 이때 광 밴드갭 에너지는 3.07∼3.22 eV의 값을 나타내며, 벌크 ZnO의 특성과 유사하였다. 박막의 전기 비저항 값은 150 $\Omega$-cm로 Zn의 농도변화에 따라 큰 변화를 보이지 않았으며, I-V 특성분석에서 전형적인 ohmic contact 특성을 보였다.
In this work, we investigated the effect of the Zn complex concentration and growth temperature on the growth of ZnO nanorod by hydrothermal method. The ZnO nanorods were performed at condition of the various Zn complex concentration and growth temperature, 0.02 ~ 0.08 M and 60 ~ 80 $^{\circ}C$, respectably. We found from the SEM results that the diameter and length of ZnO nanorods were with increasing the growth temperature and Zn complex concentration. However, the growth condition in the two parameters wasmore than sensitive compared to Zn complex concentration on increasing the growth rate. From photoluminescence(PL) analysis, the strong band-edge emission for ZnO nanorod grown at 80 $^{\circ}C$ with 0.08 M indicated the fine crystallinity. Therefore, the diameter and length of ZnO nanorods have been able to control through the control of front growth parameters. Also, these ZnO nanorods grown low temperature will be available as building block for transparence flexible device applications.
InP에서 열처리 온도와 시간 및 활성화 온도에 따른 Zn의 확산의 특성을 electrochemical capacitance-voltage 법으로 조사하였다. InP층은 metal organic chemical vapor deposition를 이용하여 성장하였으며, 화산방법으로는 $Zn_3P_2$ 확산과 박막과 rapid thermal annealing를 사용하였다. 최대의 정공 농도를 갖는 p-lnP 층은 $550^{\circ}C$에서 5분 동안 확산과 활성화를 한 시료에서 얻었고, Zn의 농도는 $1\times10^{19}\textrm{cm}^{-3}$이었다. $550^{\circ}C$에서 5-20 분 동안 확산을 수행한 결과 정공농도의 확산 깊이는 1.51 $\mu\textrm{m}$에서 3.23 $\mu\textrm{m}$로 이동하였고, Zn의 확산계수는 $5.4\times10^{-11}\textrm{cm}^2$/sec이었다. 활성화 시간의 증가로, Zn가 더 깊게 확산하지만, 정공농도는 거의 변화가 없었다. 이는 도핑된 영역의 과잉의 침입형 Zn가 도핑되지 않은 영역으로 빠르게 확산하고 치환형 Zn로 변한다는 것을 의미한다. 정공농도는 $SiO_2$ 박막의 두께가 1,000$\AA$ 이상이어야 안정적으로 분포된다.
The purpose of this study is to investigate effects of several zinc solutions including Artemisia asiatica-containing zinc solution on concentration of oral volatile sulfur compounds(VSCs). We determined the VSCs concentration of breath of human subjects before and after use of zinc solutions(O.25% $ZnF_2$ Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnCl_2$ and Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnCl_2$ solutions) The results were as follows : 1. 0.25% $ZnCl_2$ solution was more effective than 0.25% $ZnF_2$ solution in reducing the concentration of oral VSCs and the maintenance duration of effectiveness. 2. Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnCl_2$ solution was more effective than Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnF_2$ solution in reducing the concentration of oral VSCs and the maintenance duration of effectiveness. 3. Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnF_2$ solution and 0.25% $ZnF_2$ solution showed no significant difference in reducing the concentration of oral VSCs and the maintenance duration of effectiveness but, Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnF_2$ solution was slightly more effective. 4. Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnCl_2$ solution and 0.25% $ZnCl_2$ solution showed no significant difference in reducing the concentration of oral VSCs and the maintenance duration of effectiveness but, Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnF_2$ solution was slightly more effective.
We evaluated the interaction between Cd and Zn in the bioaccumulation of seven clones of Salix caprea, which were exposed both to Cd and Zn alone and to a combination of Cd and Zn. Cadmium (Cd) and Zn concentration in the four treatments were administered in the following order: root > leaf > stem, and obvious differences were noted among the treatments and clones. The leaf Cd concentration of clone BH2 and stem Cd concentration of clone BH5 in the combined Cd and Zn treatment group was increased by 62% and 110%, respectively, relative of that of the Cd alone treatment group. On the other hand, the leaf and stem Zn concentration of clone BH8 in the combined Cd and Zn treatment group was reduced by 66% and 61%, respectively, relative to that of the Zn alone treatment group. Translocation of Cd and Zn from the root was higher in the leaf than in the stem, and the combined Cd and Zn treatment stimulated the translocation of Cd from the root to the leaf and stem, whereas it suppressed the translocation of Zn from the root to the leaf and stem. Therefore, the interaction effects were considered strongly synergistic with Cd in the presence of Zn, but proved antagonistic to Zn in the presence of Cd in the combined Cd and Zn treatment group. The phytoremediation potentials of the seven clones, which were estimated from standard indices of Cd and Zn concentration in Cd and Zn alone and the combined Cd and Zn treatment groups, were highest in clone BH3, and lowest in clone BH5. Therefore, we recognize S. caprea as an appropriate material for phytoremediation, and this is particularly the case with clone BH3. However, further research will be required to evaluate the effects of Cd and Zn on the physiological changes as well as tolerance mechanisms against metal toxicity in S. caprea clones.
An effect of thermal annealing on activating phosphorus (P) atoms in ZnO nanorods (NR) grown using a hydrothermal process was investigated. $NH_4H_2PO_4$ used as a dopant source reacted with $Zn^{2+}$ ions and $Zn_3(PO_4)_2$ sediment was produced in the solution. The fact that most of the input P elements are concentrated in the $Zn_3(PO_4)_2$ sediment was confirmed using an energy dispersive spectrometer (EDS). After the hydrothermal process, ZnO NRs were synthesized and their PL peaks were exhibited at 405 and 500 nm because P atoms diffused to the ZnO crystal from the $Zn_3(PO_4)_2$ particles. The solubility of the $Zn_3(PO_4)_2$ initially formed sediment varied with the concentration of $NH_4OH$. Before annealing, both the structural and the optical properties of the P-doped ZnO NR were changed by the variation of P doping concentration, which affected the ZnO lattice parameters. At low doping concentration of phosphorus in ZnO crystal, it was determined that a phosphorus atom substituted for a Zn site and interacted with two $V_{Zn}$, resulting in a $P_{Zn}-2V_{Zn}$ complex, which is responsible for p-type conduction. After annealing, a shift of the PL peak was found to have occurred due to the unstable P doping state at high concentration of P, whereas at low concentration there was little shift of PL peak due to the stable P doping state.
This study was focused on experiment for the separation and concentration process of Cu(II), Zn(II) solution with the variation of applied pressure and concentration using reverse osmosis plate and frame modules. Rejection coefficient and degree of concentration for Cu(II) component using single and multi-stage reverse osmosis process were showed 96.3~97.8%, 0.044~0.191(in single-stage), 96.3~98.4%, 0.400~2.264(in multi-stage) within the range of experimental condition, respectively. Those of Zn(II) were 93.3~97.1%, 0.019~0.395(in single-stage), 96.3~98.2%, 0.365~1.454(in multi-stage), respectively. Degree of concentration of multi-stage were higher than those of single-stage. Heavy metal[Cu(II), Zn(II)] separation was very efficient in using reverse osmosis plate and frame type modules. Separation efficiency for a mixed solution Cu(II) and Zn(II) was higher than those of each one of Cu(II) and Zn(II).
The intrinsic oxygen-vacancy defects in ZnO have prevented the preparation of p-type ZnO with high carrier concentration. Therefore, in this work, the effect of the concentration of H2O2 (used as an oxygen source) on the oxygen-vacancy concentration in ZnO prepared by atomic layer deposition was investigated. The results indicated that the oxygen-vacancy concentration in the ZnO film decreased by the oxygen-rich growth conditions when using H2O2 as the oxygen precursor instead of a conventional oxygen source such as H2O. The suppression of oxygen vacancies decreased the carrier concentration and increased the resistivity. Moreover, the growth orientation changed to the (002) plane, from the combined (100) and (002) planes, with the increase in H2O2 concentration. The passivation of oxygen-vacancy defects in ZnO can contribute to the preparation of p-type ZnO.
The electron concentration of ZnO thin film fabricated by pulsed laser deposition was controlled by varying oxygen gas pressure. The electron concentration of ZnO was increased from $10^{17}\;to\;10^{19}/cm^3$ as oxygen gas pressure increased from 20 mTorr to 350 mTorr. Ultraviolet(UV) intensity of photoluminescence of ZnO was controlled, too. UV intensity of ZnO was increased as oxygen gas pressure increased from 20 mTorr to 350 mTorr. The relation between electron concentration and UV intensity was investigated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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