This paper reports the correlation between dielectric constant and degree of amorphism of the hybrid type Si-O-C thin films. Si-O-C thin films were deposited by high density plasma chemical vapor deposition using bistrimethyl- silylmethane(BTMSM, $H_{9}$C$_3$-Si-C $H_2$-Si-C$_3$$H_{9}$) and oxygen precursors with various flow rate ratio. As-deposited film and annealed films at 40$0^{\circ}C$ were analyzed by XRD. The Si-O-C thin films were amorphous from XRD patterns. For quantitative analysis, the diffraction pattern of the samples was transformed to radial distribution function by Fourier analysis, and then compared with each other. The degree of amorphism of annealed films was higher than that of as-deposited ones. The dielectric constant varied in accordance with flow rate ratio of precursors. The lowest dielectric constant was obtained from the as-deposited film which has the highest degree of amorphism after annealing.
점토광물들은 지질환경에 따라 다양한 화학성분을 갖게되는데, 화학성분의 변화는 X-선 회절도형 회절선 intensity에도 영향을 미치기 때문에 점토광물들의 정확한 정량분석을 위하여서는 유사한 화학식을 표준시료를 필요로 하게 된다. 대부분의 경우 특정성분의 표준시료를 확보하기 어렵지만, X-선 회절도형 계산방법을 응용하면 표준시료를 사용하지 않고 점토광물들의 정량분석을 실시할 수 있다. 대부분 심해저 퇴적물은 smectite, illite, chlorite, kaolinite듣 점토광물들을 함유하고 있는데, 특정한 화학성분을 갖는 이러한 네가지 점토광물들의 X-선 회절도형을 NEWMOD 프로그램을 이용하여 계산하였다. smectite와 illite의 001 회절선, chlorite의 004회절선, kaolinite의 002회적선의 이론적 peak intensity들을 계산된 X-선 회절도형으로부터 구하여 각 광물들의 MIF(Mineral Intensity Factor)값을 결정하였다. 실험에서 얻어진 시료의 peak intensity는 MIF값을 이용하여 교정하면 peak intensity값과 각 광물들의 wt%가 비례하도록 된다. 각 광물들의 wt% 총합계는 100wt%가 되도록 설정한 후 각 광물들의 구성비율을 이용하여 정량화 하였다. 이러한 정량분석방법은 분석하려는 광물의 화학식과 거의 비슷한 표준시료를 준비하지 않아도 되기때문에, X-선 회절도형의 계산방법을 이용한 정량분석은 표준시료를 구할 수 없거나 구하기 힘든 경우 유용하게 사용될 수 있다. 회절도형계산을 이용한 정량분석 방법은 서로 비슷한 지질환경에서 산출된 점토광물들을 대량으로 빠른 시간내에 분석하는데 이용할 수 있다.
Nanocrystalline Cu thin films were electrodeposited from sulfate baths and investigated systematically the influences of $Cu^{2+}$ concentration and additives on current efficiency, residual stress, surface morphology, and XRD patterns of electrodeposited Cu film. Current efficiency was nearly 100% at from 0.2M to 1.0 M $Cu^{2+}$ concentration. but it was linearly increased with $Cu^{2+}$ concentration at less than 0.2M. The residual stress was observed in range of 7.9 to 18.4 MPa and tensile stress mode. Dendritic and powdered form was obtained at below 0.1 M. As increased with $Cu^{2+}$ concentration in solution, the main peak in the XRD pattern shifted (111) and (220) from (200). In the other hand, all about 100% current efficiency observed in all additive concentration systems, and residual stress observed in range of 20.4 to 26.3 MPa tensile stress. The condition 5(Ultra make-up - 10 ml/l, Ulta A - 0.5ml/l, Ultr B - 0.5 ml/l) was good surface morphology, and fcc(111) peak in XRD patterns increased with increasing additive concentration.
Ni$_{81}$$Fe_{19}$(200 nm) thin films have been deposited by RF-magnetron sputtering on Si(001) substrates, Atomic force microscopy(AFM), X-ray diffraction(XRD) and magnetoresistance(MR) measurements of the thin films for investigating electromagnetic properties and microstructures were employed. During field annelaing for 1hr, there was no big difference n XRD patterns of Ni$_{81}$$Fe_{19}$ thin films. However, there was a significant change in XRD patterns of Ni$_{81}$$Fe_{19}$ thin films deposited at 40$0^{\circ}C$ during in-situ magnetic field deposition. The degree of surface roughness increased with increasing annealing and deposition temperature. With variation of surface roughness, there was no significant difference in MR Characteristics of Ni$_{18}$$Fe_{19}$ thin films in 1hr-annealed case. High MR ratio was observed in the case of in-situ field deposited Ni$_{81}$$Fe_{19}$ films. 19/ films.
The nano-sized Ce-doped YAG(Yttrium Aluminum Garnet, $Y_3Al_5O_{12}$) phosphor powders were prepared by combustion method from a mixed aqueous solution of metal nitrates, using citric acid as a fuel. The luminescence formation process and structure of phosphor powders were investigated by means of XRD, SEM and PL. The XRD patterns show that YAG phase can form at all of the $Ce^{3+}$ concentration. However, when $Ce^{3+}$ concentration is over 2.0mol%, XRD patterns show $CeO_2$ peak between (321) peak and (400) peak. The pure crystalline YAG:Ce with uniform size of 30nm was obtained at 0.6mol% of the $Ce^{3+}$ concentration. The crystalline YAG:Ce powders showed broad emission peaks in the range 475~630nm and had maximum intensity at 526nm.
The crystalline domain of thermosetting urea-formaldehyde (UF) resins at low formaldehyde-to-urea (F/U) molar ratios (≤ 1.0) is known to be responsible for their poor performance as wood adhesives. Crystallization has been observed in 1.0 F/U UF resins during the addition reaction stage and at the end of the synthesis process (neat UF resins). The crystallinity and X-ray diffraction (XRD) spectra of the uncured neat UF resins, on the other hand, differed significantly from those of the cured neat UF resins, raising the possibility that their crystal structures were also different. This study demonstrates for the first time that the crystalline domains in 1.0 F/U UF resins generated from uncured and cured samples are identical. Despite having a lower crystallinity value, the synchrotron XRD patterns of purified neat UF resins were equivalent to the XRD patterns of cured neat UF resins. Transmission electron microscope images of the cured UF resins showed that the crystals were lamellar structures. This finding suggests that the crystal at low molar ratio UF resins are isotropic polycrystals with random orientation.
Two crystal forms of cefuroxime axetil were obtained by the recrystallization from different organic solvents and characterized by differential scanning calorimetry (DSC), X-ray powder diffraction (XRD). It was confirmed that two crystal forms are identical. The dissolution patterns of these two forms were also checked in 0.07 N HCl at $37{\pm}0.5^{\circ}C$, 100 rpm for 180 minutes. The transformation during storage was also studied.
GDC (Gadolinium doped ceria) 펠렛에 120 keV 및 5 MeV 에너지의 양성자 또는 제논 이온을 주입하였으며, 그 영향을 UV-vis 분광계, SEM 및 XRD를 이용하여 측정하였다. GDC 펠렛은 cubic fluorite 구조를 갖는 조밀한 소결체였으며, 갈색이었던 펠렛이 이온빔을 조사한 후 옅은 검은색을 띠기 시작하였으며, fluence가 증가함에 따라 색도 짙어졌다. XRD 패턴은 이온의 에너지 및 X선의 투과 깊이와 밀접한 관계가 있었으며, 120 keV의 양성자 빔을 조사한 표면 바로 아래층은 이온의 주입으로 결정 구조는 유지한 채 격자 상수가 증가하였다는 것을 관찰하였다.
나노재료 $TiO_2-SiO_2$는 2-prOH(2-propanol)를 용매로 사용하여 가수분해와 축합반응으로 제조하였고, FT-IR, DSC, XRD, FE-SEM을 사용하여 $TiO_2-SiO_2$의 특성을 조사하였다. FT-IR분석으로부터 Ti-0-Si의 흡수피크에 대해 설명하였으며, DSC분석 결과를 Ozawa 방정식에 적용하여, 결정화에 필요한 활성화 에너지를 계산하였다. 결정학적 특징은 XRD를 이용하여 하소 온도의 변화에 따른 시료의 회절패턴과 반가폭의 변화 등에 관련하여 설명하였다. FE-SEM을 통하여 Ti mol$\%$가 증가할수록 입자크기가 커지는 것을 확인 할 수 있었다.
본 연구에서는, 실리카 분말과 왕겨의 혼합체로부터 탄화된 물질로부터, 탄화규소 (SiC) 분말이 합성되었다. 탄화왕겨와 실리카의 열탄화환원 반응을 통해 얻어진, SiC 시료는 XRD 회절 패턴, FE-SEM 및 FE-TEM을 통해 분석되었다. 시료들은 XRD 패턴에서, $35^{\circ}$ 부근의 (111) peak는 매우 높은 intensity를 나타내었고, $60^{\circ}$, $72^{\circ}$ 부근의 (220), (311) peak 등 탄화규소 결정상에 대한 peak pattern이 명확하게 관찰되었다. Ar 분위기에서 탄화왕겨와 실리카의 혼합비율이 6 : 4인 혼합물로부터 합성된 시료는 XRD 패턴에서 잔류카본이 검출되지 않았으며, hexagonal 결정상의 비율이 비교적 낮고, cubic SiC 결정상이 주도적으로 나타내었다. 탄화왕겨와 실리카의 혼합비율이 6 : 4인 경우에 합성된 시료는 $5{\mu}m$ 이하의 미세한 입자들이 관찰되었으며, TEM 분석결과에서, SiC 결정질상의 (110) 회절패턴 형태를 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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