• 분석과학
• /
• 제19권5호
• /
• pp.407-414
• /
• 2006

An X-ray diffractometer for spatially resolved X-ray diffraction measurements was developed to identify phase in the narrow (micron-scaled) region of high burn-up fuels and some nuclear materials. The micro-XRD was composed of an X-ray microbeam alignment system and a sample micro translation system instead of a normal slit and a fixed sample stage in a commercial XRD. The X-ray microbeam alignment system was fabricated with a microbeam concentrator having two Ni deposited mirrors, a vertical positioner, and a tilt table for the generation of a concentrated microbeam. The sample micro translation system was made with a sample holder and a horizontal translator, allowing movement of a specimen at $5{\mu}m$ steps. The angular intensity profile of the microbeam generated through a concentrator was symmetric and not distorted. The size of the microbeam was $4,000{\times}20{\mu}m$ and the spatial resolution of the beam was $47{\mu}m$ at the sample position. When the diffraction peaks were measured for a $UO_2$ pellet specimen by this system, the reproducibility ($2{\Theta}={\pm}0.01^{\circ}$) of the peaks was as good as a conventional X-ray diffractometer. For the cross section of oxidized titanium metal, not only $TiO_2$ in an outer layer but also TiO near an oxide-metal interface was observed.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제17권2호
• /
• pp.52-56
• /
• 2007

본 연구에서는 초고진공(UHV, ultra high vacuum) 분자선 에피성장(MBE, molecular beam epitaxy) 시스템을 제작하여, ZnSe/GaAs[001]을 증착하였고, 증착된 박막의 특성을 SEM(scanning electron microscopy), AFM(atomic force microscopy)으로 조사하여, 분자층 단위의 조밀하고 균일한 표면특성을 보이고 있음을 확인할 수 있었다 XRD(x-ray diffractometer)를 이용하여, GaAs[001]기판의 XRD peak 위치와 ZnSe 박막의 XRD peak 위치가 각자 일치함을 확인할 수 있었다. PL(photoluminescence)로는 대략 437nm에서 발광하는 것이 관측되었으며, 2인치 ZnSe 박막의 PL mapping을 측정하였다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제27권1호
• /
• pp.136-146
• /
• 1990

Whiskers of SiC were grown from the mixture of silica and graphite powders by Acheson method(direct heating method). The structrua, morphological and chemical characterizations have been performed by X-ray diffractometer(XRD), transmission electron microscopy(TEM), optical microscopy(OM), scanning electron microscopy(SEM), X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and energy dispersive spectrometer(EDS). The growth mechanism of SiC whiskers is also discussed.

• 박물관보존과학
• /
• 제6권
• /
• pp.47-54
• /
• 2005

국립중앙박물관이 소장하고 있는 평양 남포지역의 고구려 쌍영총 (쌍기둥무덤)벽화 편 위에 채색되어 있는 안료의 성분분석을 수행함으로서 각 색상에 따른 안료의 광물종류 확인 및 벽화의 제작기법상의 특징을 찾고자 하였다. 분석은 비파괴 성분분석기인 X-선형광분석기(X-ray fluorescence spectrometer, XRF)를 사용하여 안료의 성분원소를 확인하였고, X-선회절분석기(X-ray diffractometer, XRD)를 사용하여 벽화의 바탕 및 안료 층의 광물구조를 파악하였다. 분석결과 벽화의 채색안료 중에서 입술의 적색에는 진사/주(HgS)가 사용되었으며, 얼굴부분은 진사/주와 석회(CaCO₃)를 혼합하여 채색했을 가능성이 큰 것으로 추정되었다. 그리고 가장 큰 특징으로 그림이 그려진 부분의 밑층에만 납 계통의 안료{연백[2PbCO₃·Pb(OH)₂]}가 검출된 사실을 꼽을 수 있다. 이로부터 쌍영총 벽화가 세코(Secco)기법으로 제작되었을 가능성이 크다는 결과를 얻을 수 있었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제10권7호
• /
• pp.700-705
• /
• 1997

Transparent conducting indium tin oxide (TC-ITO) thin films are deposited on soda lime glass by a dc magnetron sputtering technique having the unbalanced-magnet structure in order to improve the electrical/material characteristics and to avoid the surface damages. The material properties are measured by the x-ray diffractometer (XRD) and atomic force microscope (AFM). The (400) peak as the preferred orientation of <100> direction for ITO thin films is stabilized with the increase of substrate temperature. The surface roughness estimated by AFM 3D image at the substrate temperature of 40$0^{\circ}C$ is extremely uniform. The best resistivity of ITO films (5500 $\AA$ thick) at 40$0^{\circ}C$ is about 1.3$\times$10$^{-4}$ $\Omega$cm on the position of 4 cm from substrate center.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권8호
• /
• pp.746-750
• /
• 2003

Czochralski법을 이용하여 Er$_2$O$_3$가 첨가된 near stoichiometric조성의 LiNbO$_3$ 단결정을 Z-축의 방향으로 직경 15~20mm, 길이 25-30 mm의 크기로 성장시켰다. X-Ray Diffractometer (XRD)을 이용하여 격자상수를 조사하였고, Fourier Transform-Infrared Spectrophotometer (FT-IR)을 통하여 흡수밴드를 관찰하였다. 또한 Electron Probe Micro Analysis (EPMA)를 이용하여 결정 내에 Er의 분포를 확인하였다.

• 한국결정학회지
• /
• 제8권2호
• /
• pp.105-110
• /
• 1997

CdS/CuInSe2 태양전지에서 창측재료로 1μm 두께의 CdS박막을 1x10-3mTorr의 진공하에서 CdS source 온도를 800-1100'C로 하고 기판의 온도를 50-200℃로하여 진공증차겁으로 제조하였다. 증착된 CdS박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성조사는 x-ray diffractometer(XRD), scanning electron microscope(SEM), 전기비저항 측정, Hall measurement 그리고 optical transmission spectra로 행하였고, 각막들의 성분분석은 energy dispersive analysis of X-ray (EDAX)를 가하나, 광투과도는 감소하였다. 이때 증착된 CdS 박막들은 모두 hexagonal 구조를 가지고 있었으며, 결정성은 기판유리를 딸 (002)면으로 형성되었다. CdS Source 온도가 1000℃에서 증착된 CdS 박막이 0.9(S/cm)의 가장 높은 전기 전도도를 나타내었다. 또한 기판온도를 100'C로 제조한 CdS 박막이 전기비저항은 40(Ω,cm)이었고 광투과도는 80% 이상의 값을 나타내어 CdS/CuInSe2 태양전지의 창측재료로 적합했다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권1호
• /
• pp.62-68
• /
• 2003

졸-겔법으로 보자력 제어에 뛰어난 첨가제인 Co와 Ti을 첨가한 Ba-ferrite 미립자를 합성하였다. 졸-겔 반응시, 반응 시간이 90분에서 120분 이내에서 온도, pH 및 점도의 변화가 없고, aging 시간에 따라 점도가 안정한 상태치 졸을 얻을 수 있었다. 이 졸을 건조 및 열처리 후, Differential Thermal Analysis(DTA)와 X-Ray Diffractometer(XRD)를 통해 Ba-ferrite 상이 약 $700^{\circ}C$부터 생성됨을 확인하였으며, 열처리 온도 증가에 의해 결정성이 좋아짐을 볼 수 있었다. Scanning Election Microscopy(SEM)로 표면형상을 관찰한 결과 열처리 온도가 증가함에 따라 입자크기가 증가하였으며, 비교적 균질한 입도 분포의 미립자를 얻을 수 있었다. 또한, Vibrating Sample Magnetometer(VSM)로 Co와 Ti의 첨가량에 따른 자기적 특성을 관찰하였으며, 포화자화(M$_{s}$ )값은 첨가량에 관계없이 변화가 없었으나, 보자력(H$_{c}$)값은 첨가량에 따라 크게 변화하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
• /
• pp.522-525
• /
• 2004

ITO thin films $({\sim}150\;nm)$ are deposited on glass substrates by different deposition condition. The sheet resistance of ITO thin films measured by using a four probe station. The microstructure of these films is determined using a X-ray diffractometer (XRD) and a scanning electron microscope (SEM) and a atomic force microscope (AFM). The sheet resistance of ITO thin films compared $s_{11}$ values by using a near field scanning microwave microscope.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.98.1-98.1
• /
• 2012

CdS/CdTe 박막 태양전지의 경우 높은 광흡수 계수를 가지고 있는 CdTe 다결정 박막을 흡수층으로이용 한다. CdTe 다결정 박막의 경우 CdS/CdTe 계면과 박막 내부에 많은 결함들이 존재 하며, CdTe 박막 내부에 존재하는 캐리어의 수를 증가 시키기 위하여 $CdCl_2$ 활성화 공정을 거치게 된다. 이때 박막의 물성 변화를 분석 하기 위하여, X-Ray Diffractometer (XRD), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)를 이용하여 박막 표면 분석을 진행 하였다. 이를 통해 박막 표면에서 산소가 Cd와 Te과 결합하면서 산화막이 생성되는 것을 확인하였다. 박막 표면에 생성된 산화막은 후면 금속 전극 형성을 위해, 용액 공정을 통하여 제거 되는데, 이때 CdTe 박막 표면에서 Cd이 용액에 의해 제거 되는 것을 확인 하였다.