• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07c
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• pp.2221-2223
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• 2000

본 연구에서는 새로운 개념의 초정밀 가공기술인 LIGA 기술(이하 X-선 가공기술이라 함)을 이용하여 정밀 격벽(barrier ribs) 성형용 Ni 금형을 제작하였다. 먼저 X-ray 투과도가 우수하며 내구성 및 기계적 강도가 뛰어난 새로운 재질의 graphite X-선 마스크를 제작하였으며 한정된 단위면적의 X-선 마스크를 이용하여 X-선 노광 면적을 최대화 할 수 있는 새로운 X-선 exposure 기술을 개발하였다. 제작된 barrier ribs 성형용 초정밀 금형의 전체 size는 170mm X 130mm이며 pitch 간격은 110/55${\mu}m$ $\pm$ 0.7${\mu}m$ 이다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.30 no.10 s.253
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• pp.1314-1319
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• 2006

This paper describes the novel fabrication method of the high-aspect-ratio nano structure which is impossible by conventional method using a shadow mask and a Deep X-ray Lithography (DXRL). The shadow mask with $1{\mu}m-sized$ apertures is fabricated on the silicon membrane using a conventional UV-lithography. The size of aperture is reduced to 200nm by accumulated low stress silicon nitride using a LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) process. The X-ray mask is fabricated by depositing absorber layer (Au, $3{\mu}m$) on the back side of nano shadow mask. The thickness of an absorber layer must deposit dozens micrometers to obtain contrast more than 100 for a conventional DXRL process. The thickness of $3{\mu}m-absorber$ layer can get sufficient contrast using a central beam stop method, blocking high energy X-rays. The nano circle and nano line, 200nm in diameter in width, respectively, were demonstrated 700nm in height with a negative photoresist of SU-8.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1996.11a
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• pp.151-151
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• 1996

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.7 no.2
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• pp.1-6
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• 2000

X-ray lithography mask with SiC membrane and Ta absorber patterns has been fabricated using ECR plasma CVD, d.c. magnetron sputtering, and ECR plasma etching. The stress of stoichiometric SiC film was adjusted by rapid thermal annealing under $N_2$, ambient. Adjusting the working pressure during sputtering process resulted in a near-zero residual stress, reasonable density, and smooth surface morphology of Ta film. Cl-based plasma showed a good etching characteristics of Ta, and two-step etching process was implemented to suppress microloading effect fur sub-quarter $\mu\textrm{m}$ patterning.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1997.05a
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• pp.117-117
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• 1997

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1994.06a
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• pp.80-81
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• 1994

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1997.10a
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• pp.108-108
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• 1997

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.17 no.7
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• pp.36-44
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• 2000

X-선 사진식각공정(이하 LIGA 기술이라 함)을 이용한 초소형, 초정밀 금형 및 3차원 구조물 제작 가공기술은, 생산기반 기술 중 금형기술 및 가공기술 분야에 해당하는 기술로 포항가속기와 같은 방사선 가속기에서 생성되는 수 보대 파장의 X-선을 이용하는 기술이다. 짧은 파장을 사용하는 연유로, 일반 반도체 공정으로는 실현할 수 없는 높고, 광학적 용도까지 가능한 거울정도의 벽면 거칠기(수백${\AA}$이하)를, 그러면서도 서브 마이크론의 정밀도 (1$\mu\textrm{m}$이하)를 가지는 금형 및 3차원 구조물을 일괄 가공할 수 있는 기술이다.(중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.10a
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• pp.82-83
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• 2012

본 논문에서는 세라믹을 비파괴 검사하여 얻어진 영상에서 세라믹의 결함을 검출하는 방법을 제안한다. 비파괴 검사를 통하여 얻어진 영상의 윤곽선을 추출하기 위하여 Prewitt 마스크를 적용한다. 그리고 비파괴 검사 영상의 잡음 비율을 최소화하기 위해 결함이 겹쳐진 윤곽선을 기준으로 감마 처리를 수행하고 임계치 이진화 기법을 적용하여 구간별로 결함을 검출한다. 구간별 결함을 통합하여 결함을 검출한다. 검출한 결함에 Grassfire 기법을 적용하여 미세한 잡음을 제거한다. 본 논문에서 제안된 방법의 성능을 평가하기 위해 비파괴 검사에 적용되는 영상을 대상으로 실험한 결과, 제안된 방법이 기존의 결함 검출 방법보다 결함 검출에 있어서 효과적인 것을 확인하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.5 no.1
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• pp.83-90
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• 1998

LPCVD를 이용하여 증착한 SiN과 ECR plasma CVD를 이용하여 증착한 SiC의 물 성과 적용가능성을 시험하였다. LPCVD로 증착된 SiN은 열처리 없이 저 응력의 박막형성이 가능했으며 가시광투과도 표면 평활도 역시 우수하였다. 탄성계수 값이 크지 않아 자성센서 의 지지구조로 사용할 경우 자기공명에 의한 진동을 크게 구속하지 않아 유리할것으로 기대 된다. 반면 ECR plasma CVD로 증착된 SiC는 SiN보다는 못하지만 다른 방법에 의해 증착 된 SiC에 비해서는 가시광 투과도 및 표면 평활도가 후수하므로 X-선 조사에 대한 안정성 과 더불어 X-선 마스크용 membrane으로서 사용이 적절할 것으로생각된다.