• 제목/요약/키워드: Wafer Map

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DDI 칩 테스트 데이터 분석용 맵 알고리즘 (Analytic Map Algorithms of DDI Chip Test Data)

  • 황금주;조태원
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제5권1호
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    • pp.5-11
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    • 2006
  • One of the most important is to insure that a new circuit design is qualified far release before it is scheduled for manufacturing, test, assembly and delivery. Due to various causes, there happens to be a low yield in the wafer process. Wafer test is a critical process in analyzing the chip characteristics in the EDS(electric die sorting) using analytic tools -wafer map, wafer summary and datalog. In this paper, we propose new analytic map algorithms for DDI chip test data. Using the proposed analytic map algorithms, we expect to improve the yield, quality and analysis time.

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반도체 공정에서의 Wafer Map Image 분석 방법론 (Wafer Map Image Analysis Methods in Semiconductor Manufacturing System)

  • 유영지;안대웅;박승환;백준걸
    • 대한산업공학회지
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    • 제41권3호
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    • pp.267-274
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    • 2015
  • In the semiconductor manufacturing post-FAB process, predicting a package test result accurately in the wafer testing phase is a key element to ensure the competitiveness of companies. The prediction of package test can reduce unnecessary inspection time and expense. However, an analysing method is not sufficient to analyze data collected at wafer testing phase. Therefore, many companies have been using a summary information such as a mean, weighted sum and variance, and the summarized data reduces a prediction accuracy. In the paper, we propose an analysis method for Wafer Map Image collected at wafer testing process and conduct an experiment using real data.

FCDD 기반 웨이퍼 빈 맵 상의 결함패턴 탐지 (Detection of Defect Patterns on Wafer Bin Map Using Fully Convolutional Data Description (FCDD) )

  • 장승준;배석주
    • 산업경영시스템학회지
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    • 제46권2호
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    • pp.1-12
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    • 2023
  • To make semiconductor chips, a number of complex semiconductor manufacturing processes are required. Semiconductor chips that have undergone complex processes are subjected to EDS(Electrical Die Sorting) tests to check product quality, and a wafer bin map reflecting the information about the normal and defective chips is created. Defective chips found in the wafer bin map form various patterns, which are called defective patterns, and the defective patterns are a very important clue in determining the cause of defects in the process and design of semiconductors. Therefore, it is desired to automatically and quickly detect defective patterns in the field, and various methods have been proposed to detect defective patterns. Existing methods have considered simple, complex, and new defect patterns, but they had the disadvantage of being unable to provide field engineers the evidence of classification results through deep learning. It is necessary to supplement this and provide detailed information on the size, location, and patterns of the defects. In this paper, we propose an anomaly detection framework that can be explained through FCDD(Fully Convolutional Data Description) trained only with normal data to provide field engineers with details such as detection results of abnormal defect patterns, defect size, and location of defect patterns on wafer bin map. The results are analyzed using open dataset, providing prominent results of the proposed anomaly detection framework.

수율 향상을 위한 반도체 공정에서의 불량 유형 자동 분류 (Automatic classify of failure patterns in semiconductor fabrication for yield improvement)

  • 한영신;최성윤;김상진;황미영;이칠기
    • 한국시뮬레이션학회:학술대회논문집
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    • 한국시뮬레이션학회 2003년도 추계학술대회 및 정기총회
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    • pp.147-151
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    • 2003
  • Yield enhancement in semiconductor fabrication is important. Even though DRAM yield loss may be attributed to many problems, the existence of defects on the wafer is one of the main causes. When the defects on the wafer form patterns, it is usually an indication for the identification of equipment problems or process variations. In this paper describes the techniques to automatically classify a failure pattern using a fail bit map.

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수율향상을 위한 반도체 EDS공정에서의 불량유형 자동분류 (Automatic Classification of Failure Patterns in Semiconductor EDS Test for Yield Improvement)

  • 한영신;이칠기
    • 한국시뮬레이션학회논문지
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    • 제14권1호
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    • pp.1-8
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    • 2005
  • In the semiconductor manufacturing, yield enhancement is an urgent issue. It is ideal to prevent all the failures. However, when a failure occurs, it is important to quickly specify the cause stage and take countermeasure. Reviewing wafer level and composite lot level yield patterns has always been an effective way of identifying yield inhibitors and driving process improvement. This process is very time consuming and as such generally occurs only when the overall yield of a device has dropped significantly enough to warrant investigation. The automatic method of failure pattern extraction from fail bit map provides reduced time to analysis and facilitates yield enhancement. The automatic method of failure pattern extraction from fail bit map provides reduced time to analysis and facilitates yield enhancement. This paper describes the techniques to automatically classifies a failure pattern using a fail bit map.

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계층적 군집분석을 이용한 반도체 웨이퍼의 불량 및 불량 패턴 탐지 (Wafer bin map failure pattern recognition using hierarchical clustering)

  • 정주원;정윤서
    • 응용통계연구
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    • 제35권3호
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    • pp.407-419
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    • 2022
  • 반도체는 제조 공정이 복잡하고 길어 결함이 발생될 때 빠른 탐지와 조치가 이뤄져야 결함으로 인한 손실을 최소화할 수 있다. 테스트 공정을 거쳐 구성된 웨이퍼 빈 맵(WBM)의 체계적인 패턴을 탐지하고 분류함으로써 문제의 원인을 유추할 수 있다. 이 작업은 수작업으로 이뤄지기 때문에 대량의 웨이퍼를 단 시간에 처리하는 데 한계가 있다. 본 논문은 웨이퍼 빈 맵의 정상 여부를 구분하기 위해 계층적 군집 분석을 활용한 새로운 결함 패턴 탐지 방법을 제시한다. 제시하는 방법은 여러 장점이 있다. 군집의 수를 알 필요가 없으며 군집분석의 조율 모수가 적고 직관적이다. 동일한 크기의 웨이퍼와 다이(die)에서는 동일한 조율 모수를 가지므로 대량의 웨이퍼도 빠르게 결함을 탐지할 수 있다. 소량의 결함 데이터만 있어도 그리고 데이터의 결함비율을 가정하지 않더라도 기계학습 모형을 훈련할 수 있다. 제조 특성상 결함 데이터는 구하기 어렵고 결함의 비율이 수시로 바뀔 수 있기 때문에 필요하다. 또한 신규 패턴 발생시에도 안정적으로 탐지한다. 대만 반도체 기업에서 공개한 실제 웨이퍼 빈 맵 데이터(WM-811K)로 실험하였다. 계층적 군집 분석을 이용한 결함 패턴탐지는 불량의 재현율이 96.31%로 기존의 공간 필터(spatial filter)보다 우수함을 보여준다. 결함 분류는 혼합 유형에 장점이 있는 계층적 군집 분석을 그대로 사용한다. 직선형과 곡선형의 긁힘(scratch) 결함의 특징에 각각 주성분 분석의 고유값과 2차 다항식의 결정계수를 이용하고 랜덤 포레스트 분류기를 이용한다.

Deep Learning-Based Defect Detection in Cu-Cu Bonding Processes

  • DaBin Na;JiMin Gu;JiMin Park;YunSeok Song;JiHun Moon;Sangyul Ha;SangJeen Hong
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제23권2호
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    • pp.135-142
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    • 2024
  • Cu-Cu bonding, one of the key technologies in advanced packaging, enhances semiconductor chip performance, miniaturization, and energy efficiency by facilitating rapid data transfer and low power consumption. However, the quality of the interface bonding can significantly impact overall bond quality, necessitating strategies to quickly detect and classify in-process defects. This study presents a methodology for detecting defects in wafer junction areas from Scanning Acoustic Microscopy images using a ResNet-50 based deep learning model. Additionally, the use of the defect map is proposed to rapidly inspect and categorize defects occurring during the Cu-Cu bonding process, thereby improving yield and productivity in semiconductor manufacturing.

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고집적화 반도체 소자의 CMP 공정에서 Micro-Defect 관한 연굴 (A Study of Micro-defect on chemical Mechanical Polishing(CMP) Process in VLST Circuit)

  • 김상용;이경태;서용진;이우선;정헌상;김창일;장의구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.1891-1894
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    • 1999
  • We can classify the scratches after CMP process into micro-scratch and macro-scratches according to the scratch size, scratch intensity and defect map, etc. The micro-scratches on wafer after CMP process are discussed in this paper. From many causes, major factor that influences the formation of micro-scratch is known as particle size distribution of slurry.(1) It is indefinite what size or type of particle can cause micro-scratch on wafer surface, but there is possibility caused by large particle over 1um. The best way for controlling these large particle to inflow is to use the slurry filter on POU(Point of user). But the slurry filter(especially, depth-type filter) has sometimes the problem which makes more sever micro-scratches on wafer surface after CMP. We studied that depth-type slurry filter has what kind of week-points and the number of scratch could be reduced by lowering slurry flow rate and by using high spray bar which sprays DIW on polishing pad with high pressure.

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4탐침 측정기술이 비저항 측정 정밀 정확도에 미치는 영향 (The Effects of the Four Point Probe Measurement Technique on the Precision and Accuracy in Electrical Resistivity Measurements.)

  • 강전홍;유광민;김한준;한상옥;김종석
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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    • pp.267-269
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    • 2003
  • 반도체 웨이퍼 및 각종 박막의 면/비저항(sheet/resistivity resistance)의 측정에 비교적 간단히 측정할 수 있고 측정정확도가 높은 4탐침(four-point probe)방법이 널리 사용되고 있다 또한 4탐침 측정방법은 높은 분해능의 contour map작성과 ion implantation의 doping accuracy 및 doping uniformity의 측정에도 사용된다. 최근 재료의 소형, 박막화 경향으로 볼 때 정확한 비저항 측정의 필요성이 요구되고 있으며 이에 따라 4탐침 측정기술인 single 및 dual configuration method로 실리콘 웨이퍼에 대한 비저항의 측정 정확도를 고찰한 결과 dual configuration 측정방법이 single configuration측정 방법에 비하여 정밀 정확도가 더 좋은 것으로 고찰되었다.

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점진적 데이터 평준화를 이용한 반도체 웨이퍼 영상 내 결함 패턴 분류 (Wafer Map Defect Pattern Classification with Progressive Pseudo-Labeling Balancing)

  • 도정혁;김문철
    • 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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    • 한국방송∙미디어공학회 2020년도 추계학술대회
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    • pp.248-251
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    • 2020
  • 전 반도체 제조 및 검사 공정 과정을 자동화하는 스마트 팩토리의 실현에 있어 제품 검수를 위한 검사 장비는 필수적이다. 하지만 딥 러닝 모델 학습을 위한 데이터 처리 과정에서 엔지니어가 전체 웨이퍼 영상에 대하여 결함 항목 라벨을 매칭하는 것은 현실적으로 불가능하기 때문에 소량의 라벨 (labeled) 데이터와 나머지 라벨이 없는 (unlabeled) 데이터를 적절히 활용해야 한다. 또한, 웨이퍼 영상에서 결함이 발생하는 빈도가 결함 종류별로 크게 차이가 나기 때문에 빈도가 적은 (minor) 결함은 잡음처럼 취급되어 올바른 분류가 되지 않는다. 본 논문에서는 소량의 라벨 데이터와 대량의 라벨이 없는 데이터를 동시에 활용하면서 결함 사이의 발생 빈도 불균등 문제를 해결하는 점진적 데이터 평준화 (progressive pseudo-labeling balancer)를 제안한다. 점진적 데이터 평준화를 이용해 분류 네트워크를 학습시키는 경우, 기존의 테스트 정확도인 71.19%에서 6.07%-p 상승한 77.26%로 약 40%의 라벨 데이터가 추가된 것과 같은 성능을 보였다.

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