• 제목/요약/키워드: Wafer Cutting

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반도체 및 디스플레이 산업에서의 레이저 가공 기술 (Laser Processing Technology in Semiconductor and Display Industry)

  • 조광우;박홍진
    • 한국정밀공학회지
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    • 제27권6호
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    • pp.32-38
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    • 2010
  • Laser material processing technology is adopted in several industry as alternative process which could overcome weakness and problems of present adopted process, especially semiconductor and display industry. In semiconductor industry, laser photo lithography is doing at front-end level, and cutting, drilling, and marking technology for both wafer and EMC mold package is adopted. Laser cleaning and de-flashing are new rising technology. There are 3 kinds of main display industry which use laser technology - TFT LCD, AMOLED, Touch screen. Laser glass cutting, laser marking, laser direct patterning, laser annealing, laser repairing, laser frit sealing are major application in display industry.

레이저를 이용한 웨이퍼 다이싱 특성 분석

  • 이용현;최경진;유승렬;양영진;배성창
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
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    • pp.251-254
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    • 2006
  • In this paper, cutting qualifies and fracture strength of silicon dies by laser dicing are investigated. Laser micromachining is the non-contact process using thermal ablation and evaporation mechanisms. By these mechanisms, debris is generated and stick on the surface of wafer, which is the problem to apply laser dicing to semiconductor manufacture process. Unlike mechanical sawing using diamond blade, chipping on the surface and crack on the back side of wafer isn't made by laser dicing. Die strength by laser dicing is measured via the three-point bending test and is compared with the die strength by mechanical sawing. As a results, die strength by the laser dicing shows a decrease of 50% in compared with die strength by the mechanical sawing.

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High Speed DRAM의 Speed 특성 향상을 위한 EDS Laser_Repair Condition 최적화 방안 연구 (A Study about Optimization of Laser_repair Condition in EDS Area to Improve the Speed Parameter of High Speed DRAM)

  • 김이순;한영신;이칠기
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권11호
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    • pp.1-6
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    • 2002
  • 본 논문에서는 High speed DRAM의 speed 특성을 향상시키기 위한 Laser_Repair Condition 최적화의 한 방안을 구현하였다. 구현 방법은 먼저 Wafer내의 개별 Die별 DC Generator level을 확인하고 최약 DC Generator를 파악한 후 AC parameter의 margin을 check하고 AC parameter의 특성을 개선시킬 수 있는 DC Generator level을 forcing하여 test하여 개선 효과를 곧장 확인하였고 그에 대한 Fuse cutting inform을 생성하여 Laser_Repair 공정에서 적용하여 Post_Laser test시 개선 효과를 확인하였다.

Single-Crystal Silicon Thin-Film Transistor on Transparent Substrates

  • Wong, Man;Shi, Xuejie
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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    • pp.1103-1107
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    • 2005
  • Single-crystal silicon thin films on glass (SOG) and on fused-quartz (SOQ) were prepared using wafer bonding and hydrogen-induced layer transfer. Thinfilm transistors (TFTs) were subsequently fabricated. The high-temperature processed SOQ TFTs show better device performance than the low-temperature processed SOG TFTs. Tensile and compressive strain was measured respectively on SOQ and SOG. Consistent with the tensile strain, enhanced electron effective mobility was measured on the SOQ TFTs.

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특허(特許)와 논문(論文)으로 본 실리콘 슬러지의 재활용(再活用) 기술(技術) 동향(動向) (Trend on the Recycling Technologies for Silicon Sludge by the Patent and Paper Analysis)

  • 장희동;길대섭;장한권;조영주;조봉규
    • 자원리싸이클링
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    • 제21권4호
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    • pp.60-68
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    • 2012
  • 반도체 및 태양광 산업에서는 반도체 소자 및 솔라셀을 제조하기 위하여 실리콘 웨이퍼가 사용되고 있다. 실리콘 웨이퍼는 실리콘 잉곳의 절단으로부터 만들어지며 이 공정에서 실리콘 슬러지가 발생한다. 반도체 소자의 사용처가 점점 증가함에 따라 실리콘 슬러지의 발생량 또한 증가하고 있는 실정이다. 최근 경제적인 측면과 효율성에 관한 측면에서 실리콘 슬러지의 재활용 기술이 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 실리콘 슬러지의 재활용 기술에 대한 특허와 논문을 분석하였다. 분석범위는 1982년~2011년까지의 미국, EU, 일본, 한국의 등록/공개된 특허와 SCI 논문으로 제한하였다. 특허와 논문은 키워드를 사용하여 수집하였고, 기술의 정의에 의해 필터링하였다. 특허와 논문의 동향은 연도, 국가, 기업, 기술에 따라 분석하여 나타내었다.

폐실리콘 슬러지의 재활용(再活用) 기술(技術)에 관한 특허동향(特許動向) 분석(分析) (Analysis of Patents on the Recycling Technologies for the Waste Silicon Sludge)

  • 길대섭;장희동;강경석;한혜정
    • 자원리싸이클링
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    • 제17권4호
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    • pp.66-76
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    • 2008
  • 반도체 산업에서는 다양한 형태의 반도체 소자를 제조하기 위하여 실리콘 웨이퍼가 사용되고 있다. 실리콘 웨이퍼는 실리콘 잉곳의 절단으로부터 만들어지며 이 공정에서 실리콘 슬러지가 발생한다. 반도체 소자의 사용처가 점점 증가함에 따라 실리콘 슬러지의 발생량 또한 증가하고 있는 실정이다. 최근 경제적 측면과 효율성 측면에서 폐실리콘 슬러지의 재활용 기술이 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 폐실리콘 슬러지의 재활용에 관한 특허 기술을 분석하였다. 분석범위는 2007년 9월까지 미국, 유럽연합, 일본과 한국에서 출원 및 공개된 특허로 제한하였다. 특허들은 전체적으로 검색어를 사용하여 수집되었고, 기준 기술 이외의 것을 여과하였다. 특허기술의 경향은 년도와 국가별, 기업 및 관련기술 분야별로 분석되었다.

폐 반도체 슬러리 및 폐 망간전지 흑연봉으로부터 탄화규소 합성 (Synthesis of SiC from the Wire Cutting Slurry of Silicon Wafer and Graphite Rod of Spent Zinc-Carbon Battery)

  • 손용운;정인화;손정수;김병규
    • 자원리싸이클링
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    • 제12권3호
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    • pp.25-30
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    • 2003
  • 본 연구의 목적은 실리콘웨이퍼의 절단공정에서 발생한 폐슬러리와 폐망간전지에서 발생하는 흑연봉을 각각 규소 및 탄소의 출발물질로 사용하여 가스터빈 부품, 열교환기 등에 사용되는 탄화규소(SiC)를 합성하는 연구를 수행하였다. 실리콘웨이퍼의 절단공정에서 발생하는 폐슬러리로부터 비중차이에 의한 선별과 자력선별 등에 의해 정제된 규소와 탄화규소를 얻을 수 있었으며, 폐망간전지를 해체하여 얻은 탄소봉으로부터 수세와 분쇄를 통하여 탄소분말을 얻을 수 있었다. 탄화규소의 합성은 규소와 당량비의 탄소분발을 혼합하여 1$600^{\circ}C$이상의 온도에서 아르곤 분위기와 진공분위기 하에서 2시간 유지시켰을 때 이루어졌으며, 이때 합성된 탄화규소의 순도는 99% 이상이었다.

펨토초 레이저를 이용한 실리콘 웨이퍼 표면 미세가공 특성 (Micromachining of the Si Wafer Surface Using Femtoseocond Laser Pulses)

  • 김재구;장원석;조성학;황경현;나석주
    • 한국정밀공학회지
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    • 제22권12호
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    • pp.184-189
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    • 2005
  • An experimental study of the femtosecond laser machining of Si materials was carried out. Direct laser machining of the materials for the feature size of a few micron scale has the advantage of low cost and simple process comparing to the semiconductor process, E-beam lithography, ECM and other machining process. Further, the femtosecond laser is the better tool to machine the micro parts due to its characteristics of minimizing the heat affected zone(HAZ). As a result of line cutting of Si, the optimal condition had the region of the effective energy of 2mJ/mm-2.5mJ/mm with the power of 0.5mW-1.5mW. The polarization effects of the incident beam existed in the machining qualities, therefore the sample motion should be perpendicular to the projection of the electric vector. We also observed the periodic ripple patterns which come out in condition of the pulse overlap with the threshold energy. Finally, we could machined the groove with the linewidth of below $2{\mu}m$ for the application of MEMS device repairing, scribing and arbitrary patterning.

초음파 폴리싱 시스템의 개발 및 특성 (The Polishing Characteristics and Development of Ultrasonic Polishing System)

  • 문홍현;박병규;김성청;이찬호
    • 대한기계학회:학술대회논문집
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    • 대한기계학회 2003년도 춘계학술대회
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    • pp.1014-1020
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    • 2003
  • We have developed the ultrasonic polishing system to get super finishing that consist of machine part that can rotate and travel the main shaft with power 1.5kW, ultrasonic generator with frequency 20kHz. By using this system we were investigated the characteristics of ultrasonic polishing and deduced the major facters which affect the surface roughness by the experimental plans for three different materials such as ceramic, glass, and wafer, and so could be obtained following results. We could be obtained the excellent surface for hard-to-difficult cutting materials. The rotating speed could be found to be major factor influencing the surface roughness. In the case of ceramic and wafer, we were able to obtain good surface roughness when the feed rate and ultrasonic output is higher. In the case of glass, the surface roughness becames worse when ultrasonic output is higher because of increasing of load affacting on the particles in slurry.

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태양전지 Wafering Slurry 재생기술 개발에 관한 연구 (A Development of Recycling Technology of Solar Cell Wafering Slurry)

  • 나원식;이재하
    • 한국항행학회논문지
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    • 제14권3호
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    • pp.426-431
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    • 2010
  • 태양전지용 웨이퍼 제조공정에 있어 Slurry의 가격 비중은 약 68% 정도로 매우 큰 비중을 차지하고 있기 때문에, 제조비용 절감측면과 Wafering 원가혁신 및 산업폐기물 처리비용 절감효과, 환경오염 방지를 위해 Slurry의 순환 사용은 필수적이다. 기존 Slurry를 재생하는 방식은 물리적인 원심분리(데칸터) 방식을 이용한 방법을 사용하고 있으나 미분(微粉)이 남아 있어 재생품질에 한계가 있고, 대부분 액체, 100% 오일과 분리되지 않은 상태로 재생된다. 이 상태를 건조시키는 경우도 순도가 많이 떨어진다. 본 논문에서는 원심분리(데칸터) 방식과 케미컬 방식을 함께 사용하여, 태양전지 Wafering 공정에서 필수적인 Slurry를 재생함에 있어, 원심분리에 의한 재생품질의 한계를 극복할 수 있는 재생기술을 개발하였고, Slurry 재생에 대한 Total Solution을 제공하여 성능을 향상시키고 재생 회수율을 높였다.