Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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v.16
no.5
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pp.475-481
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2004
This paper presents a force model of the clean tube system, which was developed as a means of transferring air-floated wafers inside a closed tube filled with super clean air. The recovering force from the holes for floating wafers is modeled as a linear spring and thus the wafers motion is modeled as a mass-spring-damper system. The propelling forces are modeled as linear along with the wafer location. The paper also proposes a control method to emit and stop a wafer at the center of a control unit. It reveals the minimum value of the propelling force to leave from the control unit. In order to stop the wafer, it utilizes the exact time when the wafer arrives at the position to activate the propelling force. Experiments with the clean tube system built for the 12 inch wafer shows the validity of the proposed model and the algorithm.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2002.05a
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pp.42-45
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2002
General wheel mark in mono-crystalline silicon wafer finding is able to be expected because it depends on radius ratio and angular velocity ratio of wafer and wheel. The pattern is predominantly determined by the contour of abrasive grits resulting from a relative motion. Although such a wheel mark is made uniform pattern if the process parameters are fixed, sub-surface defect is expected to be distributed non-uniformly because of characteristic of mono-crystalline silicon wafer that has diamond cubic crystal. Consequently it is considered that this phenomenon affects the following process. This paper focused on kinematic analysis of wafer grinding process and simulation program was developed to verify the effect of process variables on wheel mark. And finally, we were able to predict sub-surface defect distribution that considered characteristic of mono-crystalline silicon wafer
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2003.06a
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pp.459-462
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2003
This paper presents a force model of the clean tube system, which was developed as a means for transferring the air-floated wafers inside the closed tube filled with the super clean air. The recovering force from the holes for floating wafers is modeled as a linear spring and thus the wafer motion is modeled as a mass-spring-damper system. The propelling forces are modeled as linear along with the wafer location. The paper also proposes the control method to emit and stop a wafer at the center of a control unit. It shows the minimum value of the propelling force to leave from the control unit. In order to stop the wafer, it utilizes the exact time when a wafer arrives at the position to activate the propelling force. Experiments with the clean tube system built for 12 inch wafer shows the validity of the proposed model and the algorithm.
Vertical interconnect technology called 3D stacking has been a major focus of the next generation of IC industries. 3D stacked devices in the vertical dimension give several important advantages over conventional two-dimensional scaling. The most eminent advantage is its performance improvement. Vertical device stacking enhances a performance such as inter-die bandwidth improvements, RC delay mitigation and geometrical routing and placement advantages. At present memory stacking options are of great interest to many industries and research institutes. However, these options are more focused on a form factor reduction rather than the high performance improvements. In order to improve a stacked device performance significantly vertical interconnect technology with wafer level stacking needs to be much more progressed with reduction in inter-wafer pitch and increases in the number of stacked layers. Even though 3D wafer level stacking technology offers many opportunities both in the short term and long term, the full performance benefits of 3D wafer level stacking require technological developments beyond simply the wafer stacking technology itself.
Finite element analysis was carried out using wafer-scale and particle-scale models to understand the mechanism of the fast removal rate(edge effect) at wafer edges in the chemical-mechanical polishing process. This is the first to report that a particle-scale model can explain the edge effect well in terms of stress distribution and magnitude. The results also revealed that the mechanism could not be fully understood by using the wafer-scale model, which has been used in many previous studies. The wafer-scale model neither gives the stress magnitude that is sufficient to remove material nor indicates the coincidence between the stress distribution and the removal rate along a wafer surface.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.20
no.2
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pp.218-225
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2003
The general dicing process cuts a semiconductor wafer to lengthwise and crosswise direction by using a rotating circular diamond blade. However, inferior goods may be made under the influence of several parameters in dicing process such as blade, wafer, cutting water and cutting conditions. Moreover we can not apply this dicing method to a GaN wafer, because the GaN wafer is harder than other wafers such as SiO$_2$, GaAs, GaAsP, and AlGaAs. In order to overcome this problem, development of a new dicing process and determination of dicing parameters are necessary. This paper describes determination of several parameters - scribing depth, scribing force, scriber inclined angle, scribing speed, and factor for scriber replacement - for a new dicing machine using a scriber.
Kim, Dong-Seok;Choi, Chun-Kyu;Ha, Sang-Baek;Lee, Sang-Jik
Proceedings of the KSME Conference
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2004.04a
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pp.1082-1086
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2004
In silicon wafer manufacturing process, the grinding process has been adopted to improve the flatness of wafer. The grinding of wafer is usually used by the infeed grinding machine. The infeed grinding machine has been depended on imports. Therefore, it is necessary to develop the infeed grinding machine because the demand of the infeed grinding machine is increasing more and more. This paper describes the technologies of infeed grinding machine and intend to introduce the studies in the development of the intelligent grinding system for grinding of wafer. The air bearing spindle for the infeed grinding machine was developed by domestic technologies and the grinding part design of the intelligent grinding system for wafer grinding was completed.
Silicon wafer etching in micro electro mechanical systems (MEMS) fabrication is challenging to form 3-D structures. Well known Si-wet etch of silicon employs potassium hydroxide (KOH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and sodium hydroxide (NaOH). However, the existing silicon wet etching process has a fatal disadvantage that etching of the back side of the wafer is hard to avoid. In this study, a wet etching bath for 150 mm wafers was designed to prevent back-side etching of silicon wafer, and we demonstrated the optimized process recipe to have anisotropic wet etching of silicon wafer without any damage on the backside. We also presented the design of wet bath for 300 mm wafer processing as a promising process development.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.1292-1295
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2004
본 연구는 Cu CMP공정 중 알루미나 연마입자의 wafer 표면에서의 점착과 오염을 AFM (Atomic Force Microscopy)을 사용하여 슬러리내에서 점착력 측정과 실제 연마 후 wafer 표면의 오염을 실험적으로 비교 평가하였다. 연마입자의 adhesionn force 측정에 있어서도 역시 wafer들의 zetapotential 결과와 잘 일치하였으며, 모든 wafer 종류에 관계없이, 산성 영역에서 염기성영역의 슬러리가 적용됨에 따라 adhesion force가 작아짐을 확인할 수 있었다. 특히 FSG wafer의 zetapotential 결과는 비록 산성 분위기에서는 양성 전하값을 나타내었으나, 염기성 분위기의 pH에서는 급격하게 음성 전하값을 나타내었고, 이는 adhesionn force결과와 FESEM 결과와 잘 일치하였다.
Semiconductor is one of the most internationally competitive areas among domestic industries, the major concern of which is the stability of the wafer manufacturing processes. The packaging process is the final step in wafer manufacturing. Problems in the wafer packaging process cause large losses. The vibrations are supposed to be the most important factors for the packaging quality. In this study, the structure of a packaging box was analyzed through experiments and computer simulations, and further the effects of design alterations to suppress the vibrations have been investigated. The final result shows that the vibrations can be reduced substantially to improve the stability of the structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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