• 한국작물학회:학술대회논문집
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• 한국작물학회 2006년도 한국약용작물학회 공동춘계학술발표회
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• pp.292-293
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• 2006

• 대한약학회:학술대회논문집
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• 대한약학회 2001년도 Proceedings of the Pharmaceutical Society of Korea
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• pp.102.1-102.1
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• 2001

• 한국유기농업학회지
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• 제23권4호
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• pp.897-909
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• 2015

우리나라 포도원에서 고품질 포도생산에 이용되고 있는 잡초관리 방법들이 병발생 및 수체생육과 과실품질에 미치는 영향을 구명하여 포도재배 농가에 실제적인 잡초관리 방법을 제공하고자 연구를 실시하였다. '캠벨얼리' 품종을 재배하는 비가림 포도원에서 잡초관리방법으로 포도가지 파쇄(C.B.), 흑색부직포(W.F.), 흑색차광망(S.N.), 흑색비닐(P.F.), 왕겨(R.H.), 기계제초 2회(M.W.2), 기계제초 3회(M.W.3)를 무처리와 비교하였다. 비가림 포도원의 피복처리구(C.B., W.F., S.N., P.F., R.H.)와 무피복처리구(M.W.2, M.W.3, U.T.)간 평균온도는 각각 $26.2^{\circ}C$와 $25.8^{\circ}C$로 비슷하였으나, 피복처리구의 지상부 습도는 피복처리구에서 7월에 90%로 유지되다가 7월 하순 이후 40% 이하로 급격히 낮아져 무피복처리구와 확연한 차이를 보였다. 토양수분은 무피복처리구에 비해 피복처리구에서 모두 높았으나 지온은 대체적으로 피복처리구가 낮았다. 피복처리별 갈색무늬병 발병은 흑색비닐피복에서 무처리 대비 7월에는 85%, 병발생이 높아지는 8월에는 69%의 감소효과를 보였고, 결과모지에서 병반 발생이 가장 적은 것으로 나타났다. 생육특성 중 절간장, 절간경은 무처리에 비해 흑색비닐 피복에서 생육이 좋았고 SPAD값은 흑색비닐 피복에서 가장 높았다. 과실품질 중 당도는 $14{\sim}15^{\circ}Brix$로 큰 차이는 없었으나 흑색비닐 피복에서 약간 높게 나타났다.

• 대한수학회지
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• 제33권2호
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• pp.367-379
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• 1996

Let $V = {(z, y) : f(z, y) = z^n + Ay^\alpha z^p + y^\beta z^q + y^k = 0}$ and $W = {(z, y) : g(z, y) = z^n + By^\gamma z^s + y^\delta z^t + y^k = 0}$ be germs of analytic irreducible subvarieties of a polydisc near the origin in $C^2$ with n < k and (n, k) = 1 where A and B are complex numbers. Assume that V and W are topologically equivalent near the origin.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 2005년도 추계학술발표회
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• pp.830-831
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• 2005

• 전기전자학회논문지
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• 제28권1호
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• pp.33-37
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• 2024

본 논문에서는 0.25 ㎛ 게이트 길이를 갖는 GaN HEMT 기술을 사용하여 개발한 X-대역 저잡음 증폭기 MMIC의 특성을 기술한다. 개발된 GaN 기반 X-대역 저잡음 증폭기 MMIC는 9 GHz ~ 10 GHz의 동작 주파수 대역에서 22.75 dB ~ 25.14 dB의 소신호 이득과 1.84 dB ~ 1.94 dB의 잡음지수 특성을 나타내었다. 입력 반사 손실 특성과 출력 반사 손실 특성은 각각 -11.36 dB ~ -24.49 dB, -11.11 dB ~ -17.68 dB를 얻었으며 40 dBm (10 W)의 입력 전력에 성능 열화 없이 정상적으로 동작하였다. MMIC의 크기는 3.67 mm × 1.15 mm이다. 개발된 GaN 기반 저잡음 증폭기 MMIC는 X-대역의 다양한 응용에 적용 가능하다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권3호
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• pp.33-38
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• 2021

최근 유연 디스플레이에 관한 대중의 관심이 증대됨에 따라 롤러블(rollable), 폴더블(foldable) 디스플레이와 같은 우수한 폼 팩터(form factor)를 지닌 차세대 유연(flexible) 디스플레이가 주목받고 있다. 유연 디스플레이의 기계적 신뢰성 확보 측면에서, 내부 절연막으로 활용되는 실리콘 질화물(SiN_x) 박막은 구동 중 발생하는 응력에 매우 취약하므로 기계적 물성을 정확히 파악하여 파손을 예측하고 패널의 전기적 단락을 방지하는 것이 중요하다. 본 논문에서는, ~130 nm, ~320 nm 두께의 SiN_x 박막 박막 상부에 ~190 nm 두께의 유기 나노 보강층(PMMA, PS, P3HT)을 코팅하여 이중층 구조로 인장함으로써 매우 취성한 SiN_x 박막의 탄성 계수와 인장 강도 및 연신율을 측정하는 데 성공하였다. 챔버 압력 및 증착 파워를 조절한 공정 조건(A: 1250 mTorr, 450 W/B: 1000 mTorr, 600 W/C: 750 mTorr, 700 W)을 통해 제작된 ~130 nm SiN_x 의 탄성계수는 A: 76.6±3.5, B: 85.8±4.6, C: 117.4±6.5 GPa로, ~320 nm SiN_x는 A: 100.1±12.9, B: 117.9±9.7, C: 159.6 GPa로 측정되었다. 결과적으로, 동일 공정 조건 하에서 SiN_x 박막의 두께가 증가할수록 탄성 계수가 증가하는 경향을 확인하였으며, 유기 나노 보강층을 활용한 인장 시험법은 파손되기 쉬운 취성 박막의 기계적 물성을 높은 정밀도로 측정하는 데 효과적이었다. 본 연구에서 개발된 방법은, 취약한 디스플레이용 박막의 정량적인 기계적 물성 파악을 가능케하여 강건한 롤러블, 폴더블 디스플레이의 설계에 이바지할 수 있을 것으로 기대한다.

• 전자공학회논문지C
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• 제36C권9호
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• pp.13-19
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• 1999

본 논문에서는 1mW의 낮은 전력소모를 갖는 8-bit 100KSPS CMOS A/D 변환기를 설계, 제작하였다. Cyclic 구조를 갖는 A/D 변환기에서 발생하는 연산증폭기의 시스템적인 offset 전압을 효과적으로 감소시키기 위해, 새로운 시스템적인 offset 전압 제거 기술을 제안하였다. 또한 기존 Gain 증폭기에서 발생하는 오차를 감소시키기 위해 완전 차동 구조의 Gain 증폭기를 설계하였다. 제안된 A/D 변환기는 $0.6{\mu}m$ single-poly triple-metal n-well CMOS 공정을 사용하여 제작되었으며, +3V 단일 공급전압에서 DNL과 INL은 ${\pm}1LSB$ 이내로 측정되었고, 100KHz의 샘플링 주파수에서 43dB의 SNR를 갖는다. 측정된 최대전력소모는 $980{\mu}W$로 나타났다.

• 전기전자학회논문지
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• 제26권4호
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• pp.722-727
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• 2022

본 논문에서는 0.25 ㎛의 게이트를 갖는 AlGaN/GaN HEMT를 기반으로 개발된 X-대역 전력 증폭기 MMIC의 특성을 기술한다. 개발된 X-대역 전력 증폭기 MMIC는 9 GHz~10 GHz의 주파수 대역에서 21.6 dB 이상의 소신호 이득과 46.11dBm(40.83 W) 이상의 출력 전력을 가진다. 전력 부가 효율 특성은 43.09%~44.47%이며 칩의 크기는 3.6 mm×4.3 mm이다. 출력 전력 밀도는 2.69 W/mm²를 나타내었다. 개발된 AlGaN/GaN 전력 증폭기 MMIC는 다양한 X-대역 레이더 응용에 적용 가능하다.

• 열처리공학회지
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• 제22권5호
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• pp.267-274
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• 2009

Titanium Chromium Nitrided (TiCrN) coatings were deposited on stainless steel 316 L and Si (100) wafer by inductively coupled plasma assisted D.C. magnetron sputtering at the various sputtering power on Cr target and $N_2/Ar$ gas ratio. Increasing the sputtering power of Cr target, XRD patterns were changed from TiCrN to nitride $Cr_2Ti$. The maximum hardness was $Hk_{3g}$ 3900 at $0.3\;N_2/Ar$ gas ratio. The thickness of the TiCrN films increased as the Cr target power increased, and it showed over $Hk_{5g}3100$ hardness at 100 W, 150 W. TiCrN films were deposited by the ICP assisted DC magnetron sputtering shown good wear resistance as the $N_2/Ar$ gas ratio was 0.1, 0.3.