• 한국결정학회지
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• 제12권3호
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• pp.137-140
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• 2001

화합물 PdCl₂(PhC≡N)₂(1) 와 2.6-diisopropylaniline 이 반응하여 trans-[Pd(NH₂-C/sub 6/-H₃-2, 6-i-Pr₂)₂Cl₂] (2)가 합성하였다. 화합물 2의 구조가 분광학적 방법(¹H-NMR, /sup 13/C-NMR, IR) 및 X-ray 회절법으로 규명되었다. 화합물 2의 결정학 자료: 단사정계 공간군 P2₁/n, a=13.532(3)Å, b=5.749(1)Å, c=17.880(4)Å, β=103.84(2)°, Z=2, R(wR₂)=0.0466(0.1226).

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제20권3호
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• pp.314-320
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• 1999

Several bisphosphine- and bisphosphite-substituted Re-imido complexes have been prepared from Re(NPh)(PPh3)2Cl3, 1, and Re(N-C6H3-i-Pr2)2Cl3(py), 4. Compound 1 reacted with trimethyl phosphate (P(OMe)3) to give a mixture of two isomers,mer,trans-Re(NPh)(P(OMe)3)2Cl3, 2, and fac,cis-Re(NPh)(P(OMe)3)2Cl3, 2a. In this reaction, the mer,trans-isomer is a major product. Complex 1 also reacted with triethylphosphine (PEt3) to exclusively give mertrans-Re(NPh)(PEt3)2Cl3, 3. Compound 4 reacted with trimethylphosphine (PMe3) to give mer,trans-Re(N-C6H3-i-Pr2)(PMe3)2Cl3, 5, which was converted to mer-Re(N-C6H3-i-Pr2)(PMe)(OPMe3)Cl3, 6, on exposure to air. Crystallographic data for 2: monoclinic space group P21/n, a = 8.870(2) Å, b = 14.393(3) Å, c = 17.114(4) Å, β = 101.43(2)°, Z = 4, R(wR2) = 0.0521(0.1293). Crystallographic data for 5: orthorhombic space group P212121, a = 11.307(l) Å, b = 11.802(l) Å, c = 19.193(2) Å, Z = 4, R(wR2) = 0.0250(0.0593). Crystallographic data for 6: orthorhombic space group P212121, a = 14.036(4) Å, b = 16.486(5) Å, c = 11.397(3) Å, Z = 4, R(wR2) = 0.0261(0.0630).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.114-115
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• 2006

반도체 기술이 초고집적화 되어감에 따라 공정에서 선폭이 줄어들고, 박막을 다층으로 제조하는 것이 중요하게 되었다. 이와 같은 제조 공정 하에서는 Si 기판과 금속 박막간의 확산이 커다란 문제로 부각되어 왔다. 특히 Cu는 높은 확산성에 의하여 Si 기판과 접합에서 많은 확산에 의한 문제가 발생하게 되며. 또한 선폭이 줄어듦에 따라 고열이 발생하여 실리콘으로 spiking이 발생하게 된다. 이를 방지하기 위하여 우리는 3개의 화합물로 구성된 Tungsten-Carbon-Nitrogen (W-C-N) 확산방지막을 사용하였다. 실험은 물리적 기상 증착법 (PVD)으로 질소비율을 변화하며 확산방지막을 증착하였고, 이를 여러 온도에서 열처리하여 X-ray Diffraction 분석을 하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제4권2호
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• pp.150-158
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• 1991

본 연구에서는 0.80Pb(F $e_{1}$2/N $b_{1}$2/) $O_{3}$-(0.20-x)Pb(F $e_{2}$3/ $W_{1}$3/) $O_{3-x}$Ba(C $u_{1}$2/ $W_{1}$2/) $O_{3}$ (x=0.01, 0.02, 0.03) 세라믹을 소결온도 및 시간을 각각 860~960[.deg.C], 2시간으로 하여 일반 소성법으로 제작하였다. 시편의 조성비와 소결온도에 따른 구조적, 유전적 특성을 조사하였으며 유전손실 특성의 개선을 위해 조성 0.80Pb(F $e_{1}$2/N $b_{1}$2/) $O_{3}$-0.18Pb (F $e_{2}$3/ $W_{1}$3/) $O_{3}$-0.02Ba(C $u_{1}$2/ $W_{1}$2/) $O_{3}$시편에 Mn $O_{2}$를 0~1.25[wt%]로 첨가한 후 유전특성의 변화를 관찰하였다. Mn $O_{2}$의 첨가량이 증가함에 따라 결정립의 크기와 유전상수는 점차 감소하였다. 소결밀도는 900[.deg.C]에서 소결시킨 시편의 경우 최대값을 나타내었다. Ba(C $u_{1}$2/ $W_{1}$2/) $O_{3}$의 양이 0.01에서 0.03[mol]로 증가함에 따라 상전이온도는 38[.deg.C]에서 2[.deg.C]로 감소하였다. 조성 0.80Pb(F $e_{1}$2/N $b_{1}$2/) $O_{3}$0.18Pb(F $e_{2}$3/ $W_{1}$3/) $O_{3}$-0.02Ba(C $u_{1}$2/ $W_{1}$2/) $O_{3}$에 Mn $O_{2}$가 0.25[wt%] 첨가된 시편의 20[.deg.C]에서의 유전상수는 16,700으로 최대값을 유전손실을 1.28[%]로 최소값을 나타내었다. 또한 모든 시편은 온도 및 주파수에 따라 유전상수가 완만하게 변화하는 유전이완 특성을 나타내었다.다.

• 한국지반공학회논문집
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• 제33권2호
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• pp.5-15
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• 2017

PHC-W 흙막이공법은 말뚝의 원형단면을 개량하여 전면부의 평면화로 지보재의 설치가 용이하며 중첩(over-lap)시공이 가능하여 차수와 수직도가 우수하고 H형강을 사용하지 않아 경제적인 흙막이공법이다. 지층조건이 다른 3가지 사례를 이용하여 수치해석을 실시하였다. N치가 30미만의 지층에서는 PHC-W흙막이 A 형, B 형 각각에서 10.5m, 11.0m정도 굴착 가능한 것으로 나타났다. N치가 30이상의 비교적 양호한 지반에서는 PHC-W흙막이 A 형, B 형 각각에서 17.0m, 19.5m정도 굴착 가능한 것으로 나타났다. 지층조건이 양호할수록 굴착 가능 깊이가 커지는 것으로 나타났고 수평변위는 작아지는 것으로 나타났으며, 휨강도 안전율은 낮아지는 것으로 나타났고 전단력 안전율도 낮아지는 것으로 나타났다.

• 대한의용생체공학회:학술대회논문집
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• 대한의용생체공학회 1985년도 춘계학술대회
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• pp.29-32
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• 1985

• 한국결정학회지
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• 제1권2호
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• pp.84-90
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• 1990

1,3-Diazatricyclo (5.2.1.O5.10) decade-2,4dione, C8H10N2O2의 단위세포 상수는a=6.585(7), b=9.089(4), c=12.937(10)A, β=95.72(5)˚, V=770.43, Dc=1.4391c0, 1=1.Ocm-1,7 =295 ˚K, 공간군은 P21/n이고 단사 정계이며 Z =4이 다. λ(Mo K u ) =0.7093A을 사용한 698개 의 회절 반점에 대한 최종 신뢰도 R값은 0.037이다. 본 화합물은 N1-(w-butenyl)uracil의 분자내 (2+2) 광고리화 반응 생성물이며, (5.1. 2.O5.10) tricyclic 계에 속한다. Inversion symmetry에 의해 관련된 한 쌍의 분자들은 uracil 부분의 02와H3간 의 강한 수소 결합을 하고있다

• Progress in Superconductivity
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• 제10권1호
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• pp.35-39
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• 2008

By using the hybrid physical-chemical vapor deposition (HPCVD) technique, we have fabricated $MgB_2$ thick films on $Al_{2}O_3$ substrates with various impurity layers of Ni, Ti, and SiC. We have found a significant enhancement of the critical current density ($J_c$) for $MgB_2$ films grown on impurity layered substrates, indicating that additional impurity layers were provided as possible pinning sites by chemical doping in $MgB_2$ films. All samples doped by Ni, Ti, and SiC were observed to have high superconducting transition temperatures of 39 - 41 K. The $J_c$ of $MgB_2$ films grown on SiC impurity layered substrates showed three times higher than that of undoped films at high magnetic fields above 1 T.

• 한국전자파학회논문지
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• 제27권1호
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• pp.76-79
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• 2016

본 논문에서는 ETRI에서 개발된 50 W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용하여 X-band에서 동작하는 50 W 펄스 전력증폭기의 개발 결과를 정리하였다. 제작된 50 W GaN HEMT 소자는 $0.25{\mu}m$의 게이트 길이를 갖고, 총 게이트 폭은 12 mm인 소자이다. 펄스 전력증폭기는 9.2~9.5 GHz 주파수 대역에서 50 W의 출력전력과 6 dB의 전력이득 특성을 나타내었다. 전력소자의 전력밀도는 4.16 W/mm이다. 제작된 GaN-on-SiC HEMT 소자와 전력증폭기는 X-대역 레이더 시스템 등 다양한 응용분야에 적용이 가능할 것으로 판단된다.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.20-23
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• 2014

We have grown $MgB_2$ on SiC buffer layer by using metallic Hastelloy tape as the substrate. Hastelloy tape was chosen for its potential practical applications, mainly in the power cable industry. SiC buffer layers were deposited on Hastelloy tapes at 400, 500, and $600^{\circ}C$ by using a pulsed laser deposition method, and then by using a hybrid physical-chemical vapor deposition technique, $MgB_2$ films were grown on the three different SiC buffer layers. An enhancement of critical current density values were noticed in the $MgB_2$ films on SiC/Hastelloy deposited at 500 and $600^{\circ}C$. From the surface analysis, smaller and denser grains of $MgB_2$ tapes are likely to cause this enhancement. This result infers that the addition of SiC buffer layers may contribute to the improvement of superconducting properties of $MgB_2$ tapes.