Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Effect of Nitrogen concentration on Properties of W-C-N Diffusion Barrier

W-C-N 확산방지막의 질소량에 따른 특성 연구

  • Kim, S.I. (Nano & Electronic Physics Department, Kookmin University) ;
  • Kim, S.Y. (Nano & Electronic Physics Department, Kookmin University) ;
  • Kang, G.B. (Nano & Electronic Physics Department, Kookmin University) ;
  • Lee, D.H. (Nano & Electronic Physics Department, Kookmin University) ;
  • Kouh, T. (Nano & Electronic Physics Department, Kookmin University) ;
  • Kang, J.H. (Nano & Electronic Physics Department, Kookmin University) ;
  • Lee, C.W. (Nano & Electronic Physics Department, Kookmin University)
  • 김수인 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
  • 김상윤 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
  • 강길범 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
  • 이동호 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
  • 고태준 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
  • 강지훈 (국민대학교 나노전자물리학과) ;
  • 이창우 (국민대학교 나노전자물리학과)
  • Published : 2006.06.22
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Abstract

반도체 기술이 초고집적화 되어감에 따라 공정에서 선폭이 줄어들고, 박막을 다층으로 제조하는 것이 중요하게 되었다. 이와 같은 제조 공정 하에서는 Si 기판과 금속 박막간의 확산이 커다란 문제로 부각되어 왔다. 특히 Cu는 높은 확산성에 의하여 Si 기판과 접합에서 많은 확산에 의한 문제가 발생하게 되며. 또한 선폭이 줄어듦에 따라 고열이 발생하여 실리콘으로 spiking이 발생하게 된다. 이를 방지하기 위하여 우리는 3개의 화합물로 구성된 Tungsten-Carbon-Nitrogen (W-C-N) 확산방지막을 사용하였다. 실험은 물리적 기상 증착법 (PVD)으로 질소비율을 변화하며 확산방지막을 증착하였고, 이를 여러 온도에서 열처리하여 X-ray Diffraction 분석을 하였다.

Keywords