• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2013년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.36-37
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• 2013

This paper presents high voltage operation sensing boost converter with high side current. Proposed topology has three functions which are high voltage driving, high side current sensing and low voltage boost controller. High voltage gate driving block provides LED dimming function and switch function such as a load switch of LED driver. To protect abnormal fault and burn out of LED bar, it is applied high side current sensing method with high voltage driver. This proposed configuration of boost converter shows the effectiveness capability to LED driver through measurement results.

• 전기학회논문지
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• 제64권11호
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• pp.1564-1570
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• 2015

This paper intends to suggest a sensing circuit of PWM voltage for a motor emulator operated in the inverter. In the emulation of the motor using a power converter, it is necessary to measure instantaneous voltage at the PWM voltage loaded from the inverter. Using a filter can generate instantaneous voltage, while it is difficult to follow the rapidly changing inverter voltage caused by the propagation delay and signal attenuation. The method of measuring the duty of PWM using FPGA can generate output voltage from the one-cycle delay of PWM, while the cost of hardware is increasing in order to acquire high precision. This paper suggests a PWM voltage sensing circuit using the analogue system that shows high precision, one-cycle delay of PWM and low-cost hardware. The PWM voltage sensing circuit works in the process of integrating input voltage for valid time by comparing levels of three-phase PWM input voltage, and produce the output value integrated at zero vector. As a result of PSIM simulation and the experiment with the produced hardware, it was verified that the suggested circuit in this paper is valid.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제17권3호
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• pp.65-70
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• 2008

Capacitive position sensing with modulation technique is widely used in electrostatic actuator applications. To maximize the electrostatic force and the position-sensing gain, capacitors for driving and capacitors for sensing are shared, i.e, after applying the driving voltage with high-frequency modulating signals using op amps, the position is demodulated from the modulated signal. In high-voltage applications, however, low bandwidth of a high-voltage op amp hinders adding the high-frequency modulating signal to the driving voltage. In this paper, new and very simple driving and sensing method is proposed, in which the pulse-width modulated driving voltage eliminates the need of the high-frequency modulating signal for position sensing. This new algorithm is proved by the simulation results using Matlab/SIMULINK.

• 전자공학회논문지
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• 제52권4호
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• pp.71-79
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• 2015

본 논문에서는 상호 정전용량 터치스크린의 single line sensing 방법에서의 단점을 해결하기 위한 성능향상 구조를 제안한다. 제안 구조는 Dual sensing 기법과 voltage shifting 기법을 도입하여 센싱 신호의 노이즈를 효과적으로 제거하고 터치 유무의 센싱 신호 차이를 증가시킨다. Dual sensing 기법은 구동신호의 양방향 엣지를 사용하여 integration 속도를 2배로 증가시켜 감지시간을 감소시킨다. Voltage shifting은 ADC의 입력신호 동작범위를 최대화하여 신호 대 노이즈비 (SNR)를 개선한다. 23" 대형 상용 터치스크린을 이용하여 simulation 및 측정한 결과로 제안된 센싱기법은 43dB의 SNR 성능을 가지며, 기존 방식 대비 2배의 스캔 속도를 제공하여 대형 터치스크린을 위한 적합한 기술임을 보인다. 제안된 센싱기법은 현재 매그나칩 CMOS 0.18um 공정으로 TSP 컨트롤러칩으로 구현되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.14-14
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• 2010

A high voltage current sensing circuit for LED driver IC is designed and verfied by Cadence SPECTRE simulations. The current mirror pair, power and sensing MOSFETs with size ratio of K, is used in our on-chip current sensing circuit. Very low drain voltages of the current mirror pair should be matched to give accurate current sensing, so a folded-cascode opamp with a PMOS input pair is used in our design. A high voltage high side LDMOST switch is used between the current sensing circuit and power MOSFET to protect the current sensing circuit from the high output voltage. Simulation results using 0.35um BCD process show that current sensing is accurate with properly frequency compensated opamp.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.722-725
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• 2013

본 연구에서는 열처리를 하지 않은 소자와 열처리 소자의 기본 특성을 비교, 분석하고 온도에 따른 특성 변화를 확인하였다. 사용된 소자는 상부전극이 Pt/Ti(150nm), 하부전극은 Pt(150nm), 산화층은 $HfO_2$(70nm)이고, 열처리 온도는 $500^{\circ}C$, $850^{\circ}C$ 이다. 측정 소자 성능은 Set/Reset 전압, sensing window(저항상태 차이)다. 측정결과 세 종류의 소자의 기본 특성은 열처리별 온도가 높을수록 Set/Reset전압과 sensing window가 증가하였다. 온도에 따른 기본특성 분석 실험 결과 온도가 증가함에 따라 Set/Reset전압과 sensing window가 감소하였다. Set/Reset 전압의 온도에 따른 변화율은 $850^{\circ}C$ 열처리한 소자가 제일 작았고, sensing window의 변화율은 $500^{\circ}C$ 열처리 소자에서 가장 작은 변화율을 보였다. Set/Reset 전압의 변화율 과 sensing window를 고려했을 때 $500^{\circ}C$ 열처리 소자가 좋은 메모리 특성을 보였다.

• Journal of Power Electronics
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• 제13권2호
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• pp.232-242
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• 2013

To obtain phase currents information in AC drives, shunt sensing technology is known to show great performance in cost-effectiveness and therefore it is widely used in low cost applications. However, shunt sensing methods are unable to acquire phase currents in certain operation conditions. This paper deals with the derivation of the boundary conditions for phase current reconstruction in three-shunt sensing inverters and proposes a voltage injection method to expand the measurable areas. As the boundary conditions are deeply dependent on the switching patterns, they are typically analyzed on the voltage vector plane for space vector pulse width modulation (SVPWM) and discontinuous pulse width modulation (DPWM). In the proposed method, the voltage injection and its compensation are conducted within one sampling period. This guarantees fast current reconstruction and the injected voltage is decided so as to minimize the current ripple. In addition to the voltage injection method, a sampling point shifting method is also introduced to improve the boundary conditions. Simulation and experimental results are presented to verify the boundary condition derivation and the effectiveness of the proposed voltage injection method.

• 전기전자학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.308-312
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• 2023

게이트 전류 감지 구조는 LDO 레귤레이터가 오버슈트 또는 언더슈트 상황 발생 시 출력전압의 레귤레이션을 보다 효과적으로 제어하기 위해 제안되었다. 기존의 전형적인 LDO 레귤레이터는 부하전류가 변화할 때 레귤레이션 전압 변화가 발생한다. 하지만 게이트 전류 감지 구조를 이용하여 패스 트랜지스터에 있는 게이트 단자 전류를 공급/방전 함으로 인해 패스 트랜지스터의 동작 속도를 더욱 향상시킬 수 있다. 게이트 전류 감지 구조를 이용한 LDO 레귤레이터의 입력전압은 3.3 V ~ 4.5 V 이며 출력 전압은 3 V이고 부하 전류는 최대 250 mA의 값을 갖는다. 시뮬레이션 결과, 부하 전류가 250 mA 까지 변화할 때 약 9 mV의 전압 변화 값을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.888-890
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• 2003

In the distribution networks, it is required to develop compact and smart current and voltage sensors for compact and digital switchgears. The sensor developed newly adopt the priciple of rogowski coil for current sensing and resistive voltage divider for voltage sensing. The sensing characteristics and reliabilities were improved compared to conventional ones. In the near future, these voltage and current sensing apparatus will be widely used with electronic protection units for the distribution switchgear.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제27권2호
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• pp.1-5
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• 2013

본 논문은 사고전압 감지형의 아크차단 제어회로에 대한 연구로써, 전기사고 발생 시 선간전압의 순간적인 전압감쇠를 감지하여 기존 차단기를 동작시키는 전압감지형 전기화재 예방장치이다. 현재 저압배전 계통에 사용중인 누전차단기, 배선용차단기 그리고 RCD 등은 전기화재의 주요 요인인 아크사고에 대해 보호능력이 없는 것으로 분석된다. 본 논문에서는 이러한 문제점들을 개선하기위하여 이전의 전류감지에 의한 아크사고 차단방식이 아닌 사고발생 시 전압파형의 왜곡을 이용한 새로운 전압감지형 아크차단 제어회로를 개발하여 전기화재를 예방하고자 한다. 제안한 아크차단 제어회로는 소형 경량으로 제작되는 장점과 다양한 동작분석을 통하여 그 실용성을 검증하였다.