Red emitting CaS:Eu,S electroluminescent(EL) device prepared at 550.deg. C by an electron-beam evaporation technique, demonstrated luminance of 175cd/m$\^$2/ and efficiency of 0.311m/W with 3kHz drive. Luminance was increased with the increase of applied voltage and frequency. From the results of the PL spectrum and the EL spectrum, the CaS:Eu, S device showed emission peak near 640nm resulted from the transition of EU$\^$2+/ 4f$\^$6/5d.rarw.4f$\^$7/. The capacitance of the phosphor layer from the Sawyer-Tower circuit was 10.5nF/cm$\^$2/.
The purpose of this research was to discuss the system that operated Ultra sonic transducer of Pelzo electric ceramics type. The structure of controller was made up of digital signal part drive and feedback circuit, and half bridge inverter. Digital signal part was designed to gain the stable oscillation frequency by making consideration of pointed resonance bandwidth. We tried to control inverter by forward feedback condition because BLT based on the flexibility of elements such as temperature and load condition. In addition, transducer was operated as inverter in order to enhance its power efficiency. In this experiment, output voltage waveform and current waveform have been observed by using BLT.
This paper describes four switch three-phase Z-source rectifier with improved switching characteristics. This configuration has some advantages switching loss and optimal drive circuit. The rectifier has buck-boost function by shoot-through state. Also, the rectifier has the advantage of decreasing inrush current in start-up and transient states. In order to reduce harmonics PWM modulation technique with a variable index has been suggested. Four switch three-phase Z-source rectifier with improved switching characteristics can output stable DC voltage at the same time decreasing the system's harmonic current. And also the paper presents an application of DCC method in Z-source rectifier. Principles and dynamics of the system are discussed in detail. After having viewed the results we can confirm that the proposed method is eligible and efficient.
This paper describes a gate driver that operates numerous semiconductor switch in the solide-state pulsed power modulator. the proposed gate driver is designed to receive both the isolated drive-power and the on/off pulse signals through the transformer. Moreover, the IGBT-switch can be quickly turned off by adding protection circuit. Therefore it protects the IGBT-switch from the arc condition that frequently occurs in high-voltage pulse application. To comprehend operating characteristic of each IGBT-switch in pulse output condition, the device consisting of a high efficiency soft-switching capacitor charger and two series stacking IGBT-switch is developed. Finally, the relability of the proposed gate driver and the device for its test are proved through PSpice simulation and experiments.
In this paper, a novel concept for a static three-phase to three-phase power converter for an AC drive with an unity power factor and reduced harmonics on the utility line is presented. The power circuit consists of two back-to-back connected six-pulse bridges having only a $5{\mu}F$ ceramic capacitor in the DC link. By controlling the active power balance between two bridges, the DC link voltage can be maintained within 20V deviation from the nominal value with the small ceramic capacitor regardless of the load variation even in the unbalanced source condition.
The cooler driver electronics (CDE) for maintaining a low temperature of a satellite payload IR sensor has a compressor with a pulsation current load when in operation. This pulsation current creates a large voltage fluctuation and may negatively affect both the load and regulated bus stability. Thus, a CDE power conditioning system has a battery for use as a buffer that is connected in front of the CDE load line. In this system, a battery charger limiter circuit is required to protect from an over-charge of the battery and power to the load. In this study, an optimal design and parameter selection were developed and simulated.
반도체 기반 고전압 펄스 발생장치에 적용 가능한 고전압 스위치는 주로 수 kV 정격의 반도체 스위치를 직렬로 스태킹하여 구성되며, 이때 각 스위치 소자에는 절연과 동기화된 각각의 게이트 신호가 인가되어야 한다. 본 논문에서는 짧은 펄스 폭의 온, 오프 게이트 펄스와, 단일 턴의 고전압 전선을 일차측으로 갖는 게이트 변압기를 통해 직렬로 구성된 반도체 스위치 스택 기반의 펄스 모듈레이터에 적용 가능한 간단한 구조의 게이트 구동회로가 설계되었다. 각 스위치에 게이트 신호를 전달하기 위해 온, 오프 게이트 펄스를 사용함으로써 게이트 변압기의 포화를 방지할 수 있으며, 이때 각 스위치의 게이트 턴-온, 오프 전압은 변압기 이차측의 제너 다이오드와 스토리지 커패시터를 통해 유지된다. Pspice 시뮬레이션을 통해 12개의 IGBT를 직렬로 구성하여 설계된 구조의 게이트 회로를 적용, 최대 10kV 펄스 출력 조건에서 안정적인 동작을 확인하고 설계를 검증하였으며 1200V 급 IGBT를 사용하여 실제 스위치 스택과 게이트 구동회로 모듈을 1리터 이내의 부피로 고밀도화하여 제작하였다.
새롭게 개발되어진 소프트 스위칭 3상 PM 정류기는 간단한 회로 구성과 고효율을 가지고 있다. 제안한 회로는 ARCP 컨버터의 한 종류이다. 기존의 ARCP 컨버터는 3상 보조 리액터와 소프트 스위칭 보조 회로를 6개의 보조 스위치, 각 스위치의 게이트 구동 회로, 제어회로가 필수적이나 결과적으로 이 회로는 높은 손실을 가지고 있다. 본 논문에서 제안한 주 회로는 두 개의 보조 리액터와 두 개의 스위치와 각각의 다이오드로 구성되는 보조 소프트 스위칭 회로이다. 부가적으로 두 개의 주 스위치와 간단한 보조 스위치의 제어회로는 PWM 제어 회로로 만들어지며, 공통으로 사용하였다. 소프트 스위칭 보조 회로의 작용을 의미하며, 주 스위치는 WS로 동작되고, 보조스위치는 ZCS로 동작된다. 본 논문에서 제안한 회로의 구성과 동작 원리를 설명하였으며, 실험결과에 의해서 증명하였다 용랑5[kW]의 시작품을 사용하여 변환효율은 최대$98.8[\%]$과 역률$99[\%]$를 얻었다.
SSD (Solid-state Drive), 더 나아가 SSS (Solid-state Storage System)와 같은 고성능 스토리지 요구 사항을 지원하기 위해 최근 낸드 플래시 메모리도 DRAM에서와 같이 SDR (Single Data Rate)에서 고속 DDR (Double Data Rate) 신호구조로 진화하고 있다. 이에 따라 PHY (Physical layer) 회로 기술을 적용하여 협소 타이밍 윈도우 내에서 유효 데이터를 안정적으로 래치하고, 핀 간 데이터 스큐를 최소화하는 것 등이 새로운 이슈로 부각되고 있다. 또한, 낸드 플래시 동작 속도의 증가는 낸드 플래시 컨트롤러의 동작 주파수 상승으로 이어지고 동작 모드에 따라 컨트롤러 내부 소모 전력 변동성이 급격히 증가한다. 공정 미세화와 저전력 요구에 의해 컨트롤러 내부 동작 전압이 1.5V 이하로 낮아지면서 낸드 플래시 컨트롤러 내부 전압 변화 마진폭도 좁아지므로 이러한 소모 전력 변동성 증가는 내부 회로의 정상 동작 범위를 제한한다. 컨트롤러의 전원전압 변동성은 미세공정으로 인한 OCV (On Chip Variation)의 영향이 증가함에 따라 더 심화되는 추세이고, 이러한 변동성의 증가는 순간적으로 컨트롤러의 보장된 정상 동작 범위를 벗어나게 되어 내부 로직의 오류를 초래한다. 이런 불량은 기능적 오류에 의한 것이 아니므로 문제의 원인 규명 및 해결이 매우 어렵게 된다. 본 논문에서는 낸드플래시 컨트롤러 내부의 비정상적 전원 전압 변동하에서도 유효 타이밍 윈도우를 경제적인 방법으로 유지할 수 있는 회로 구조를 제안하였다. 실험 결과 기존 PHY회로 대비 면적은 20% 감소한 반면 최대 데이터 스큐를 379% 감소시켜 동등한 효과를 보였다.
본 논문은 OLED 패널 소스 구동회로에서 구동 전류의 크기와 폭을 조절하는 새로운 amplitude width modulation(AWM) 방식을 제안하였다. 기존의 소스 구동회로에서 pulse amplitude modulation(PAM) 방식은 DAC 회로 추가로 인해 크기가 커진다는 단점이 있고, pulse width modulation(PWM) 방식은 낮은 그레이 신호 레벨에서 발광 효율이 나쁜 단점이 있다. 이와 같은 단점을 개선하기 위해 본 논문에는 색상 데이터 비트의 MSB를 이용하여 구동 전류의 레벨을 제어하고, 데이터 비트의 LSB를 이용하여 구동 전류의 폭을 조정하는 구동방식을 제안하였다. 제안된 구동 방식은 $0.35-{\mu}m$ 3-poly 4-metal CMOS high voltage 공정을 사용하여 구현하였다. 시뮬레이션 결과는 제안된 AWM 구동 회로가 PAM 방식에 비해 회로 크기를 줄였고 신호 레벨이 낮은 영역에서 PAM과 거의 동일한 발광 효율을 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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