No, Im-Jun;Kim, Sung-Hyun;Park, Dong-Wha;Shin, Paik-Kyun
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.58
no.10
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pp.1976-1981
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2009
Transparent conducting aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin films were deposited on Coming glass substrate using an Gun-type rf magnetron sputtering deposition technology. The AZO thin films were fabricated with an AZO ceramic target (Zn: 98wt.%, $Al_2O_3$: 2wt.%). The AZO thin films were deposited with various growth conditions such as the substrate temperature, oxygen pressure. X -ray diffraction (XRD), UV/visible spectroscope, atomic force microscope (AFM), and Hall effect measurement system were done in order to investigate the properties of the AZO thin films Among the AZO thin films prepared in this study, the one formed at conditions of the substrate temperature $100^{\circ}C$, Ar 50 sccm, $O_2$ 5 sccm and working pressure 5 motor showed the best properties of an electrical resistivity of $1.763{\times}10^{-4}\;[{\Omega}{\cdot}cm]$, a carrier concentration of $1.801{\times}10^{21}\;[cm^{-3}]$, and a carrier mobility of $19.66\;[cm^2/V{\cdot}S]$, which indicates that it could be used as a transparent electrode for thin film transistor and flat panel display applications.
Since much studies have been performed concerning the electrochemical behaviors and the practical applications of PB based devices, little has yet reported to investigate the best condition for the preparation for PB thin films. As considered some factors(peak shape, peak current, and peak separation) from the i-V curves, the optimal condition in the film growth were investigated under various immersion solutions. An electron-transfer processes of Fe2+/Fe3+ and Fe(CN)63-/4- redox couples were considered by measuring the observed currents as a function of the rotation velocity. The standard heterogeneous electron-transfer rates for these films and bare Au disc electrode in 10-3 M Fe2+/Fe3+ solution, applied at +0.65 V vs. SCE, were 6.14 × 10-3 and 7.78 × 10-3 cm/s, respectively, obtained using a rotating disc electrode. In case of the addition of potassium ion, the rate constants for these Fe2+/Fe3+ system on thin films of PB and bare electrode were given a little high values. The electron transfer rate for 10-3 M Fe(CN)63-/4- were 4.55 × 10-3 and 6.84 × 10-3 cm/s, respectively. The conductivity as directly determined during obtained the voltammogram, was 2.2 × 10-7 (Ω·cm)-1. This value is similar magnitude to that calculated from bulk sample.
High molecular weight paraffinic waxes dissolved in oil phases can be precipitated when the surrounding temperature becomes lower than the wax appearance temperature (WAT). While the various methods of WAT determination have been developed, the determination of precipitated wax amount has not been comparably popular at temperatures below the WAT. It is important to predict how much solid wax content precipitates in temperature variance. The study develops the previous method which uses integrated areas determined at a wavenumber range of 735~715 $cm^{-1}$. This method uses two different wavenumber ranges, 735~715 $cm^{-1}$ and 1,402~1,324 $cm^{-1}$. The study shows how the method provides reliable data in the variety of applications regardless of FTIR spectral instability often occurred, such as volume reduction during cooling procedure and existence of emulsified water in oil phase.
Park, Inyeong;Jang, Jaeyong;Lim, Dongwook;Kim, Taewoo;Shim, Sang Eun;Park, Seok Hoon;Baeck, Sung-Hyeon
Journal of the Korean Electrochemical Society
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v.18
no.4
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pp.137-142
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2015
$Mn_{1+X}Co_{2-X}O_4$ solid solutions with various Mn/Co ratios were synthesized by a combustion method, and used as cathode catalysts for lithium/air secondary battery. Their electrochemical and physicochemical properties were investigated. The morphology was examined by transmission electron microscopy (TEM), and the crystallinity was confirmed by X-ray diffraction (XRD) analyses. For the measurement of electrochemical properties, charge and discharge measurements were carried out at a constant current density of $0.2mA/cm^2$, monitoring the voltage change. Electrochemical impedance spectroscopy (EIS) analyses were also employed to examine the change in charge transfer resistance during charge-discharge process. $Mn_{1+X}Co_{2-X}O_4$ solid solutions showed enhanced cycleability as a cathode of Li/air secondary battery, and the performance was found to be strongly dependent on Mn/Co ratio. Among synthesized catalysts, $Mn_{1.5}Co_{1.5}O_4$ exhibited the best performance and cycleability, due to high charge transfer rate.
This study was carried out to investigate the characteristics of the soluble sericins after degumming and after hydrolysis of insoluble sericin with various enzymes. Physical and chemical characteristics of the soluble sericins were also studied and pack test was conducted. Electro donating ability of the various sericins became higher as high>low>KP>PP>PA. In FT-IR analysis, the band of insoluble sericin at 3,285cm$\^$-1/ was shifted to the lower wavelengths in soluble sericins. The intensity of the amide II band was reduced and shifted to lower wavelengths as a result of hydrolysis. In DSC analysis, all sericins showed endothermic peaks around 200$^{\circ}C$ and insoluble sericin showed another peak at 250$^{\circ}C$. The endothermic peak of the insoluble sericin was found at higher temperature compared with those of the soluble sericins which showed at 300$^{\circ}C$. Whiteness of the various sericins became higher as low>high>PP>PA>PK>IN and yellowness were PK>PA>PP>low>high. In pack test, the skin packed with the non-woven fabric treated with the various sericins was more smooth and less oily.
Polycarbonate (PC) and Polymethylmethacrylate (PMMA) surface was modified by ion assisted reaction (IAR) technique to obtain the hydrophilic functional groups and improve the wettability. In conditions of ion assisted reaction, ion beam energy was changed from 500 to 1500eV, and ion dose and oxygen gas blown rate were fixed $1\times10^{16}$ ions/$\textrm{cm}^2$ and 4ml/min, respectively. Wetting angle of water on PC and PMMA surface modified by $Ar^+$ ion without blowing oxygen at 4ml/mon showed $5^{\circ}$ and $10^{\circ}$. Changes of wetting angle with oxygen gas and $Ar^+$ ion irradiation were explained by considering formation of hydrophilic group due to a reaction between irradiated polymer chain by energetic ion irradiation and blown oxygen gas. X-ray photoelectron spectroscopy analysis shows that hydrophilic groups such as -C-O, -(C=O)- and -(C=O)-O- are formed on the surface of polymer by chemical interaction. The polymer surface modification using ion assisted reaction only changed the surface physical properties and sept the bulk properties. In comparison with other modification methods, the surface modification by IAR treatment was chemically stable and enhanced the adhesion between metal and polymer surface. The applications of various kinds of polymer surface modification methods, metal and polymer surface. The applications of various kinds of polymer surface modification could be appled to the new materials about hydrophilic surface properties by IAR treatment. The adhesion between metal film and polymer measured by Scotch tape test whether the hydrophilic surfaces could improve the adhesion strength or not.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.658-658
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2013
Graphene is an attractive material for various device applications due to great electrical properties and chemical properties. However, lack of band gap is significant hurdle of graphene for future electrical device applications. In the past few years, several methods have been attempted to open and tune a band gap of graphene. For example, researchers try to fabricate graphene nanoribbon (GNR) using various templates or unzip the carbon nanotubes itself. However, these methods generate small driving currents or transconductances because of the large amount of scattering source at edge of GNRs. At 2009, Bai et al. introduced graphene nanomesh (GNM) structures which can open the band gap of large area graphene at room temperature with high current. However, this method is complex and only small area is possible. For practical applications, it needs more simple and large scale process. Herein, we introduce a photosensitive graphene device fabrication using CdSe QD coated nano-porous graphene (NPG). In our experiment, NPG was fabricated by thin film anodic aluminum oxide (AAO) film as an etching mask. First of all, we transfer the AAO on the graphene. And then, we etch the graphene using O2 reactive ion etching (RIE). Finally, we fabricate graphene device thorough photolithography process. We can control the length of NPG neckwidth from AAO pore widening time and RIE etching time. And we can increase size of NPG as large as 2 $cm^2$. Thin CdSe QD layer was deposited by spin coatingprocess. We carried out NPG structure by using field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). And device measurements were done by Keithley 4200 SCS with 532 nm laser beam (5 mW) irradiation.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.10
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pp.151-157
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2018
Among the various sensors for measuring traffic, PVDF (polyvinylidene fluoride) piezoelectric sensors are used to classify vehicles because they can detect the axle of the vehicle. Piezoelectric sensors are embedded in road pavements and are always exposed to traffic loads and environmental loads. Therefore, the life expectancy is very short, less than 6 years. Traffic control is essential for reinstallation and data collection is interrupted during the failure period. The lifespan will increase if the sensor installation depth is increased. In this study, the sensor signal output was analyzed with a variable depth of sensor installation to verify the possibility of deeper installation. Furthermore, various parameters, such as the weight and speed, were analyzed. The wheel load is applied using APT. As a result, the MSI BL sensor output signal is higher than 100mV when installed at 3cm, which is reliable. If the location of the sensor is deeper in the pavement, the expected lifetime of the sensor is also increased. On the other hand, the MSI cable was found to be less than 100mV at the shallowest depth of 1cm, making it impossible for field applications.
Ahn, Hee Chang;Yang, Eun Zin;Kim, Chang Yeon;Lee, Jang Hyun
Archives of Plastic Surgery
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v.36
no.6
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pp.707-713
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2009
Purpose: The deep inferior epigastric perforator(DIEP) free flap is well known as an ideal donor site for the breast reconstruction. The flap can provide huge amount of fat tissue for breast and buttock contour, while it is also very useful as a thin skin flap to reconstruct the upper and lower extremities. We used a DIEP free flap in various site reconstructions besides the breast and would like to reinsure the usefulness of this flap. Methods: Twenty nine consecutive patients who underwent DIEP free flap surgery from 2001 January to 2007 December were reviewed. The case constituted seven male patients and twenty two female patients. There were sixteen breast reconstructions, five face reconstructions, five lower extremity reconstructions, two upper extremity reconstructions, and one buttock contour reconstruction. All clinical data were based on the patient's medical records. Results: All DIEP free flaps survived without major complications. There was no hematoma, seroma, or partial necrosis. The donor sites were closed primarily with linear scar on lower abdomen. The thinnest part of flap was 0.7 cm in thickness. The size of the largest flap was $38{\times}13cm$. The flaps were used in various types of skin and adipose tissue, adipose tissue only, and skin only according to the requirement of recipient site. Conclusion: The DIEP free flap was enough to provide a thin and huge flap for both breast and extremity reconstructions. It was able to provide versatile designs with sufficient adipose tissue. So we use it for 3 - dimentional face and buttock contour reconstructions. The DIEP free flap is a valuable reconstructive donor for face, upper and lower extremity in addition to breast without compromising the integrity of abdominal wall.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.12
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pp.806-811
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2017
An all-transparent ultraviolet (UV) photodetector was fabricated by structuring $p-NiO/n-SnO_2/ITO$ on a glass substrate. $SnO_2$ is an important semiconductor material because of its large bandgap, high electron mobility, high transmittance (as high as 80% in the visible range), and high stability under UV light. For these reasons, $SnO_2$ is suitable for a range of applications that involve UV light. In order to form a highly transparent p-n junction for UV detection, $SnO_2$ was deposited onto a device containing NiO as a high-transparent metal conductive oxide for UV detection. We demonstrated that all-transparent UV photodetectors based on $SnO_2$ could provide a definitive photocurrent density of $4nA\;cm^{-2}$ at 0 V under UV light (365 nm) and a low saturation current density of $2.02nA{\times}cm^{-2}$. The device under UV light displayed fast photoresponse with times of 31.69 ms (rise-time) and 35.12 ms (fall-time) and a remarkable photoresponse ratio of 69.37. We analyzed the optical and electrical properties of the $NiO/SnO_2$ device. We demonstrated that the excellent properties of $SnO_2$ are valuable in transparent photoelectric device applications, which can suggest various routes for improving the performance of such devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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