We report the characteristics of individual ultra-long SnO2 nanowires(NWs) grown on sapphire(0001) substrates by vapor transport method. NWs, with typical lengths of >$400{\mu}m$, grew in the form of NW bundles under a hydrogen reducing atmosphere, without metal catalysts. The individual NWs were examined using high-resolution X-ray diffraction, transmission electron microscopy, and micro-Raman spectroscopy. The results revealed that the SnO2 NWs grew as high-quality, tetragonal-rutile-phase single crystals with mosaic distributions of $0.02^{\circ}$ and $0.026^{\circ}$ in the (101) and (110) planes, respectively.
The InP thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are widely used to optoelectronic devices such as laser diodes, wave-guides and optical modulators. Effects of various parameters controlling film growth rate such as gas-phase reaction rate constant, surface reaction rate constant and mass diffusivity are numerically investigated. Results show that at the upstream region where film growth rate increases with the flow direction, diffusion including thermal diffusion plays an important role. At the downstream region where the growth rate decreases with flow direction, film deposition mechanism is revealed as a mass-transport limited. Mass transport characteristics are also studied using systematic analyses.
This paper reports the experimental results for the determination of the overall partition coefficient of VOCs in unsaturated soil, A chromatographic method was used for the determination of gaseous partition coefficients to natural soil under various water content conditions. The equilibrium vapor pressure of water over saturated salt solution was used to fix the relative humidity of the air and control the water content of the soil systems. The transport behavior was studied for dichloromethane, trichloroethane and dichlorobenzene pollutants, with log octanol-water partition coefficients(log $K_{ow}$ ) which range from 1.25 to 3.39, or water to soil partitioning which varies by 135 times; water solubility constants which vary by 3 times; and vapor pressures which range from 1 to 362 torr. Water content of the soil had a pronounced effect on the effective partition coefficient(between gas and soil + water stationary phase) as well as on the effective dispersion coefficient.
International Journal of Air-Conditioning and Refrigeration
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제6권
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pp.56-66
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1998
The absorption process of water vapor in a liquid film is an important process in LiBr-Water absorption system. The composition of the gas phase, in which a non-absorbable gas is combined with the absorbate, influences the transport characteristics. In the present work, the absorption processes of water vapor into aqueous solutions of lithium bromide in the presence of non-absorbable gas are investigated. The continuity, momentum, energy and diffusion equations for the solution film and gas are formulated in integral forms and solved numerically. It is found that the mass transfer resistance in gas phase increases with the concentration of non-absorbable gas. However the primary resistance to mass transfer is in the liquid phase. As the concentration of non-absorbable gas in the absorbate increases, the interfacial temperature and concentration of absorbate in solution decrease, which results in the reduction of absorption rate. The reduction of mass transfer rate is found to be significant for the addition of a small amount of non-absorbable gas to the pure vapor, especially at the outlet of tube where the non-absorbable gas accumulates. At higher non-absorbable gas concentration, the decrease of absorption rate seems to be linear to the concentration of non-absorbable gas.
ZnO submicron particles were grown on Au-catalyzed Si substrate by a vapor phase transport (VPT) growth process under different mixture gas ratio at growth temperature of $900^{\circ}C$. The structural and optical properties of the ZnO submicron particles were investigated by field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray diffraction (XRD), and photoluminescence (PL). The ZnO submicron particles could be clustered with the $O_2/Ar$ mixture gas ratio(%) higher than 10%, and it was mainly determined by the gas ambient. Particularly, when the $O_2/Ar$ mixture gas ratio was 30%, it was observed the ZnO submicron particles with diameters in the range of 125 to 500 nm and the narrowest full width at half maximum (FWHM) of XRD and PL spectra with $0.121^{\circ}$ and 92 meV, respectively. It was found that the structural and optical properties of the ZnO submicron particles were improved with increasing the $O_2/Ar$ mixture gas ratio through the XRD and PL spectra.
본 연구에서는 지상 및 미소중력환경하에서 물리적 승화법 공정에서의 확산-대류유동에 미치는 불순물의 영향을 이론적으로 $Hg_2Cl_2-I_2$ 시스템에 적용하여 규명하는 것이다. 이론적 해석은 증기상에서 확산-대류 흐름, 열 및 물질전달을 속도 벡터 흐름, 유선, 온도, 농도 분포를 통하여 제시된다. 결정 영역에서의 전체 몰플럭스는 중력가속도와 성분 $I_2$, 불순물에 상당히 민감하게 반응한다. 성분 $I_2$을 증가시켰을 때, 농도 대류효과는 확산-대류 유동흐름을 안정화시키는 경향이 있다. 지상중력가속도의 0.001환경에서는 유동흐름은 1차원포물선의 흐름 구조를 나타내며, 확산지배형태를 보여주고 있다. $10^{-3}$지상중력가속도 이하에서는 대류 영향은 무시할 수 있다.
Environmental fate of ionizable organic pollutants such as perfluoroalkyl acids (PFAAs) are of increasing interest but has not been well understood because of uncertain values for parameters related with atmospheric interphase partitioning behavior. In the present study, not only the values for air-water partition coefficient (KAW) and dissociation constant (pKa) of PFAAs were induced by adjusting to in situ measurements of air-water distribution coefficient between vapor phase and rainwater but also gas-particle partition coefficients were also estimated using three-phase partitioning model of ionizable organic pollutants, in situ measurements of PFAAs in aerosol and air vapor phase, and obtained parameter values. The pKa values of PFAAs we obtained were close to the minimum values suggested in literature except for perfluorooctane sulfonic acids, and COSMOtherm-modeled KAW values were assessed to more appropriate among suggested values. When applying parameter values we obtained, it was predicted that air particle-associated fate and transport of PFAAs could be negligible and PFAAs could distribute ubiquitously along the transection from urban to rural region by pH-dependent phase transfer in air. Our study is expected to have some implications in prediction of the environmental redistribution of other ionizable organic compounds.
이산화주석은 Rutile 구조를 갖는 Oxygen-Deficient n-type 반도체 물질로서, $H_2$, CO, $CO_2$ 등의 가스 분자가 표면에 흡착되면 전기저항이 변하는 특성을 가지고 있고, 이러한 성질을 활용하면 다양한 가스의 감지가 가능하기 때문에 가스센서로 연구가 활발히 이루어지고 있다. 나노구조물의 경우 Bulk 상태보다 체적 대비 표면적비가 높기 때문에 기체의 흡착이 유리하고, 가스 센서의 성능이 향상될 수 있다. 본 연구에서는 Thermal CVD 공정을 이용하여 SnO Nanoplatelet을 Si 기판위에 Dense하게 성장시켰다. 기상 수송 방법(Vapor Transport Method)으로 성장된 SnO 나노구조물을 Thermal CVD System을 이용하여 산소분위기에서 $830^{\circ}C$ 및 $1030^{\circ}C$에서 열처리(Post-Annealing)하여 $SnO_2$ 상(Phase)을 갖도록 하였다. 열처리 과정동안 쳄버의 압력을 4.2 Torr로 일정하게 유지시켰다. 열처리 된 SnO 나노구조물의 결정학적 특성을 Raman Spectroscopy 및 XRD 분석을 통하여 확인하였고, 형태학적 변화를 주사전사현미경(Scanning Electron Microscopy)을 통하여 확인하였다. 분석결과 SnO 나노구조물은 열처리 과정을 통하여 $SnO_2$ 나노구조물로 상변환 되었다.
브로민화 수은(I)(Hg2Br2) 물리적 증착법 공정에서 구성요소 B의 분압, PB를 40 Torr에서 200 Torr로 증가시켰을 때 1개의 셀(unicell)이 결정성장영역에서 기체상 공간의 중심으로 이동함을 보여주고 있다. PB = 40 Torr에서는 경계층 흐름이 지배적이고, PB = 200 Torr에서는 코어영역흐름(core region)을 보이고 있다. 고려되는 물리적 증착법 공정에서 PB = 40 Torr와 PB = 200 Torr에서 1개(single)의 셀(cell) 형태로 3차원의 유동의 흐름과 x, y 직교 중심축에 대하여 비대칭 유동흐름을 나타내고 있다. 소스와 결정 영역 사이의 임계 온도차는 약 30 K입니다. Hg2Br2의 총 몰 플럭스는 임계값에 도달할 때까지 온도차에 따라 증가한다. 임계 총 몰 플럭스에서 총 몰 플럭스는 갑자기 감소한다.
Recently, the nanowire configuration of GST showed nanosecond-level phase switch at very low power dissipation, suggesting that the nanowires could be ideal for data storage devices. In spite of many advantages of IST materials, their feasibility in both thin films and nanowires for electronic memories has not been extensively investigated. The synthesis of the chalcogenide nanowires was mainly preformed via a vapor transport process such as vapor-liquid-solid (VLS) growth at a high temperature. However, in this study, IST nanowires as well as thin films were prepared at a low temperature (${\sim}250^{\circ}C$) by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) method, which is possible for large area deposition. The IST films and/or nanowires were selectively grown by a control of working pressure at a constant growth temperature by MOCVD. In-Sb-Te NWs will be good candidate materials for high density PRAM applications. And MOCVD system is powerful for applying ultra scale integration cell.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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