• 산업클러스터
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• 제2권1호
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• pp.28-43
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• 2008

본 고에서 우리나라의 클러스터들이 세계에서 경쟁력 있는 혁신클러스터로 자리매김 할 수 있는 잠재경로와 클러스터의 형성을 촉진할 수 있는 정책개입의 방향에 대하여 탐색하고자 한다. 세계적인 클러스터가 되기 위해서는 클러스터의 구성원들이 끊임없이 변하는 자본주의 경제의 전환력에 대하여 집단적으로 대응하는 것이 필요하고 그 과정에서 각기 독특한 경쟁력이 창출된다는 것이 이 논문의 핵심적 주장이다. 우리나라는 급속한 경제성장 과정에서 다양한 자산들을 축적하였고 이런 자산들은 우리나라에서 세계적인 선도 클러스터를 창출하는 데 효과적으로 활용될 수 있다. 이 과정은 실리콘밸리와 같은 유일한 모델을 베끼는 것이 아니라 한국의 지역적 조건에 맞는 독자적인 모델을 창출하는 것이다. 이를 위해서 우리나라 혁신클러스터의 재창조 과정이 요구된다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권4호
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• pp.99-104
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• 2020

In this paper, efficiency and loss characteristics of GaN FET were reported by applying it into the QR flyback converter. In particular, for the comparison of efficiency characteristics, QR flyback converter experimental circuits with Si FET and with GaN FET were separately produced in 12W class. As a result of the experiment, the experimental circuit of the QR flyback converter using GaN FET reached a high efficiency of 90% or more when the load power was 2W or more, and the maximum efficiency was observed to be about 92%, and the maximum loss power was about 1.1W. Meanwhile, the efficiency of the experimental circuit with Si FET increased as the input voltage increased, and the maximum efficiency was observed to be about 82% when the load power was 9W or higher, and the maximum loss power was about 2.8W. From the results, it is estimated that that in the case of the experimental circuit applying the GaN FET switch, the power conversion efficiency was improved as the switching loss and conduction loss due to on-resistance were reduced, and the internal loss due to the synchronous rectifier was minimized. Consequently, it is concluded that the GaN FET is suitable for under 20W class power supply unit as a high efficiency power switch.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제10권5호
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• pp.1989-2000
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• 2015

In this paper, digital peak current mode control for single phase H-bridge inverters is developed and implemented. The digital peak current mode control is achieved by directly controlling the PWM signals by cycle-by-cycle current limitation. Unlike the DC-DC converter where the output voltage always remains in the positive region, the output of DC-AC inverter flips from positive to negative region continuously. Therefore, when the inverter operates in negative region, the control should be changed to valley current mode control. Thus, a novel control logic circuit is required for the function and need to be analyzed for the hardware to track the sinusoidal reference in both regions. The problem of sub-harmonic instability which is inherent with peak current mode control is also addressed, and then proposes the digital slope compensation in constant-sloped external ramp to suppress the oscillation. For unipolar PWM switching method, an adaptive slope compensation in digital manner is also proposed. In this paper, the operating principles and design guidelines of the proposed scheme are presented, along with the performance analysis and numerical simulation. Also, a 200W inverter hardware prototype has been implemented for experimental verification of the proposed controller scheme.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.985-991
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• 2018

본 논문에서는 LLC 공진형 하프브릿지 컨버터의 내부손실이 반영된 등가회로를 제안하고, 손실 요소가 포함된 정상상태 특성식을 유도하였다. 그 결과를 이용하여 입출력 전압이득과 입력 임피던스의 주파수 특성을 무손실 모델과 비교하였다. 제안한 모델과 유도식을 검증하기 위해서 최대 전력이 1kW급인 LLC 공진형 하프브릿지 컨버터의 전원장치의 주요 소자를 동일한 조건에서 선정하여 전압이득과 입력 임피던스와 같은 정상상태 특성을 비교하였다. 특히 두 가지 모델에 대한 정상상태 오차를 보다 면밀하게 비교하기 위해서 실제 회로 설계 단계에서 가장 중요하게 고려되는 부하 전류에 대한 스위칭 주파수의 변화를 관찰 하였다. 그 결과 본 논문에서 제안한 모델과 해석 결과로부터 동작 주파수의 오차가 상당 부분 개선되었다는 것을 확인 하였다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제13권6호
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• pp.2310-2318
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• 2018

Critical conduction mode (CRM) operation is more efficient than continuous conduction mode (CCM) operation at low power levels because of the valley switching of switches and elimination of the reverse recovery losses of boost diodes. When using a sensorless digital control method, an error occurs between the actual and the estimated current. Because of the error, it operates as CCM or discontinuous conduction mode (DCM) during CRM operation and also has an adverse effect on THD of input current. In this paper, a current sensorless technique is presented in an inverter system using a bridgeless boosted power factor correction converter, and a compensation method is proposed to reduce CRM calculation error. The validity of the proposed method is verified by simulation and experiment.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권4호
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• pp.27-32
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• 1997

In resonant tunneling diodes with the quantum well structure showing the negative differential resistance (NDR), it is essential to increase both the peak-to-valley current ratio (PVCR) and the peak current desnity ( $J_{p}$) for the accurate digital switching operation and the high output of the device. In this work, a resonant interband tunneling diode (RITD) with single quantum well structure, which is composed of I $n_{0.47}$As/I $n_{0.52}$A $l_{0.48}$As heterojunction on the InP substrate, is fabricated ot improve PVCR and JP, and then the dependence of I-V charcteristics on the width of the quantum well was investigated.d.ted.d.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권2호
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• pp.75-80
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• 1994

AlAs/GaAs/AlAs RTDs(Resonant Tunneling Diodes) are fabricated and current-voltage properties of them are measured. At room temperature, peak to valley ratio is 2.4 NOT.AND.OR logic gates and Flip-Flop are fabricated using the bistable characteristics of RTDs. Although NOT.AND.OR logic gates need 5~8 transistors. only one RTD is sufficient to fabricate the logic gates. Since the switching time is very short(<10$^12$sec), it is possible to drive the semiconductor circuits fast and integrate them very large. And it is convinced the possibility of integrating RTDs to multilevel logic circuits by observing two peaks of similar current in the serial connection of two RTDs.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1456-1458
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• 1996

In resonant tunneling diodes with the quantum well structure showing the negative differential resistance (NDR), it is essential to increase both the peak-to-valley current ratio (PVCR) and the peak current density ($J_p$) for the accurate switching operation and the high output of the device. In this work, a resonant interband tunneling diode (RITD) with single quantum well structure, which is composed of $In_{0.53}Ga_{0.47}As/ln_{0.52}Al_{0.48}As$ heterojunction on the InP substrate, is suggested to improve the PVCR and $J_p$ through the narrowed tunnel barriers. As the result, the measured I-V curves showed the PVCR over 60.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2017년도 전력전자학술대회
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• pp.30-31
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• 2017

본 논문은 인터리브드 준공진 플라이백 컨버터에 추가회로 없이 적용된 최적의 밸리 스위칭 기법을 제안한다. 인터리브드 준공진 플라이백 컨버터는 스위치 양단 전압(Drain-Source voltage)$V_{DS}$이 최소화 되는 지점에서 스위치 턴 온이 되어 전체 시스템의 효율이 향상되고, EMI (Electro Magnetic Interference)와 EMC (Electro Magnetic Compatibility)의 영향을 최소화시킬 수 있다. 제안한 기법은 MCU (Micro Controller Unit) 기반 소용량 컨버터에 간단한 수식을 이용하여 최적의 밸리 스위칭 기법을 가능하게 한다. 제안한 기법은 시스템의 가격과 부피 상승 없이 효율을 향상시키고, EMI와 EMC의 영향을 최소화시킨다. 제안하는 기법의 성능은 시뮬레이션을 통해 확인하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2020년도 전력전자학술대회
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• pp.79-81
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• 2020

임계모드 (Critical conduction mode, CrM) 동작을 하는 PFC 컨버터는 주파수 변동을 통한 Valley switching 동작으로 인하여 높은 효율 및 양호한 EMI 특성을 가진다. 하지만 Peak 부하가 큰 시스템에서 CrM 설계를 하게 되면 정격부하에서 비교적 높은 주파수의 동작이 불가피하여 시스템 효율이 나빠지고 높은 DC-bias 확보를 위해 인덕터 크기가 커지게 된다. 따라서 본 논문에서는 고효율 및 인덕터 사이즈 저감을 위한 임계모드에서 동작하는 두 개의 교차형 PFC 컨버터의 병렬 구동에 대해서 이야기하고자 한다.