점성진공계(spinning rotor gauge, SRG)는 고진공영역인 1${\times}$10-5∼100Pa에서 전달표 준기(transfer standard gauge)로 사용되고 있는 진공게이지이다. 제조회사가 각각 Leybold-Heraeus와 MKS회사인 두 개의 SRG에 대해서 질소가스를 사용하여 장기안정성과 적응계수(accommodation coefficient, $sigma$)결정에 영향을 미치는 변수들인 측정압력, 온도, 최 대도달압력(base pressure), 신호분산(signal scattering), 영점(offset)변화에 대한 특성을 10 개월에 걸쳐 조사하였다. 이 결과 장기안정특성 및 입력변수들에 의한 영향이 SRG 고유오 차인 $pm$1.0% 이내에 있음을 확인하였다.
CRT부품 탈가스(outgassing)를 온도를 변화 시켜가며 측정할 수 있고 시료의 열탈착 특성을 측정할 수 있는 TDS(Thermal Desorption Spectroscopy) 측정 장치를 설계 제작하였다. 제작된 시스템은 유효 배기속도를 조절할 수 있는 진공 장치와 시료의 온도조절 장치, 탈가스 측정 가치로 구성되어 있다. 제작된 시스템의 최저 도달 진공도는 $1{\times}10^{-7}$Pa 이하였고 가변 콘덕탄스(conductance)를 채택하여 유효 배기 속도를 조절 할 수 있도록 제작되었다. 가변 콘덕탄스 조절에 따른 시료위치에서의 유효 배기 속도 변화를 측정하였다. 텅스텐 히터와 온도조절기를 이용하여 시료의 온도는 600℃까지 ±1℃ 이내 오차로 조절 할 수 있었으며 온도 상승률도 조절할 수 있었다. 측정계기로 사용한 이온 진공계(ion gauge)와 사중극 질량분석기(quadrupole mass spectrometer)의 감도를 측정하여 정량적인 측정을 할 수 있도록 하였다. 제작된 시스템을 이용하여 CRT 공정에서의 부품별 온도별 측정 예와 공정분석에의 적용 예를 보였다.
저진공 국가표준기인 초음파간섭 수은주압력계를 이용하여 두 개의 용량형 격막식 게이지와 두 개의 공진형 실리콘 게이지를 교정하였다. 용량형 격막식 게이지의 센서부는 금속으로 되어 있으므로 견고하고 과압에 잘 견딜 뿐만 아니라 우수한 분해능을 가지고 있으며, 공진형 실리콘 게이지는 우수한 안정성과 기계적인 충격에 강한 특성을 가지고 있다. 이들의 교정 불확도를 국제표준화기구에서 제정한 측정불확도 표현지침서에 따라 분석하여 비교하였으며, 그 결과 확장불확도의 최대 차이는 교정압력 100 Pa에서 $9\times10^{-3}$Pa 이었다. 또한 공진형 실리콘 게이지의 표준압력에 대한 압력비의 차이가 0.5 % 이내이었으므로 저진공 영역의 전달표준기로 사용이 가능함을 알 수 있었다.
중진공 국가표준기의 자동화를 위한 하드웨어 및 측정 프로그램 개발에 관한 연구를 수행하였다. 이 장치는 부피가 서로 다른 여러 개의 진공용기, 배기장치, 진공게이지, 온도계, 그리고 밸브 등 많은 부품들로 구성되어 있을 뿐만 아니라 복잡한 측정방법 때문에 자동화가 꼭 필요하다. 개발한 자동화 장치의 성능 평가를 위하여 진공용기의 부피율을 측정하고 용량형 격막식 진공게이지를 교정해 보았다.
본 연구에서는 LRDC 트랜스듀서를 장착한 변형된 회전 진자를 제작하여 1$\times$10-2 Torr에서 1-10-5 Torr 사이의 Ar 압력을 측정하였다. 비구동 회전 진자의 진폭은 기체 분자와의 충돌에 의한 감 쇄가 일어난다. 회전 진자의 감쇄에 의한 특성 함수를 측정하여 본 연구팀은 일반적인 진공 측정 장비 로는 측정이 어려운 1-10-5 Torr에서 1-10-5 Torr 사이의 Ar 압력을 정확하게 측정할 수 있었다.
본 논문에서는 진공실험 시설에서의 여러 미소추력 측정방법에 대한 소개와 필요성을 말하고 있다. 이는 실제 마이크로 인공위성에 적용을 위한 마이크로 추력기 개발을 위해 필수적인 요소이다. 우주환경모사를 위해 충남대학교 고진공 설비를 구축하였으며, 이 설비에서 효율적인 미소추력 측정이 이루어질 수 있도록 진공 챔버 내의 미소 추력측정 방법에 대한 연구를 진행하였다.
정적법을 이용하여 새로운 중진공 국가표준기를 개발하였다. 이 장치의 성능평가를 위해 측정범위가 각각 133pa과 1,333pa인 두 개의 용량혈 진공게이지를 전달표준기로 사용하여 초음파간섭 수은주압력계와 중진공 표준을 상호비교하였다. Error normalized (En) 값으로 분석한 결과 교정압력 $3pa\;\sim\;100pa$에서 두 표준기는 합성불확도 범위 내에서 잘 일치하고 있음을 알 수 있었다.
스테인레스 스틸로 가공된 진공용기에 제조회사와 사양이 각각 다른 세 개의 열음극 전리진공게이지를 부착하고 실험실 온도변화에 따른 게이지들의 압력요동 특성을 조사하였다. 상온 근방의 최소 $20 ^{\circ}C$와 최대 $26 ^{\circ}C$에서의 압력 편차는 각각 IG1은 5.0 %, IG2는 5.3 %, 그리고 IG3는 10.3 %이었다. 그러나 온도 $21.5^{\circ}C$에서 $22.5^{\circ}C$구간에서의 압력변화는 모두 게이지들의 불확도 보다 작고 안정한 성능을 보였다. 본 연구결과 상온 고진공에서 열음극 전리진공게이지의 압력변화는 게이지 자체의 특성 때문이 아니고 실험실 온도 때문에 변하는 압력변화에 기인한 것임을 알 수 있었다.
이온 펌프의 중심에 네그(Non-Evaporable Getters)가 삽입된 새로운 조합 펌프를 사용하여 극고진공 시스템을 구현하였다. 진공 용기는 터보 분자 펌프만으로도 극고진공에 성공하였던, $450^{\circ}C$에서 잘 산화된 304 스테인레스 스틸 쳄버를 사용하였다. 시스템의 압력은 Leybold사의 EXG(Extractor Gauge)로 측정하였으나, 본 실험에서의 최고 진공도는 이미 그 게이지의 측정 한계인 1~$2\times10^{-12}$torr범위를 훨씬 지나 게이지 지시가 $-0\times10^{-12}$torr를 읽교 있는 극고진공에 도달해 있었다. 이는 효과적인 네그 활성화로 수소 가스에 대한 배기 속도 를 크게 향상시켜준 결과라 볼 수 있다. 또한 본 실험은 극고진공 표면 분석 장치의 실현 가능성을 시사해주는 것으로, 앞으로의 초미세 표면 과학에 있어서 새로운 장을 열어줄 것 으로 기대된다.
An ECR-PECVD system with the characteristics of high ionization rat다 ability of plasma processing in a wide pressure range and deposition at low temperature was manufactured and characterized for the deposition of thin films. The system consists of a vacuum chamber, sample stage, vacuum gauge, vacuum pump, gas injection part, vacuum sealing valve, ECR source and a control part. The control of system is carried out by the microprocessor and the ROM program. We have investigated the vacuum characteristics of ECR-PECVD system, and also have diagnosed the characteristics of ECR microwave plasma by using the Langmuir probe. From the data of system and plasma characterization, we could confirmed the stability of pressure in the vacuum chamber according to the variation of gas flow rate and the effect of ion bombardment by the negative DC self bias voltage. The plasma density was increased with the increase of gas flow rate and ECR power. On the other hand, it was decreased with the increase of horizontal radius and distance between ECR source and probe. The calculated plasma densities were in the range of 49.7\times10^{11}\sim3.7\times10^{12}\textrm{cm}^{-3}$. It is also expected that we can estimate the thickness uniformity of film fabricated by the ECR-PECVD system from the distribution of the plasma density.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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