RF biased inductively coupled plasma (ICP) is widely used in semiconductor and display etch processes which are based on vacuum science. Up to now, researches on how rf-bias power affects have been focused on the controls of dc self-bias voltages. But, effect of RF bias on plasma parameters which give a crucial role in the processing result and device performance has been little studied. In this work, we studied the correlation between the RF bias and plasma parameters and the recent published results were included in this paper. Plasma density was changed with the RF bias power and this variation can be explained by simple global model. As the RF bias was applied to the ICP, increase in the electron temperature from the electron energy distribution was measured indicating electron heating. Plasma density uniformity was enhanced with the RF bias power. This study can be helpful for the control of the optimum discharge condition, as well as the basic understanding for correlation between the RF bias and plasma parameters.
Purpose: Open fractures of the foot and ankle require prompt repair of the wound due to the complexity of anatomy, insufficiency of soft tissues and inadequate blood supply. Early flaps and skin grafts are used for this purpose yet general condition of the patient as well as local wound environment often precludes such treatment options. Vacuum- Assisted Closure (VAC) is recently being used in such cases. This study was done to validate the use of VAC together with silver antimicrobial dressing materials in contaminated open fracture wounds. Materials and Methods: We have selected 10 patients with Gustillo-Anderson type III open fractures of the foot & ankle treated with VAC and silver antimicrobial dressing materials from March 2007 to January 2008. The relationship between duration of treatment with wound size, contamination, and degree of soft tissue damage was analyzed. Results: The average age of patients was 36.6 years. The average amount of VAC application time was 23.4 days. Silver dressing materials were used for 16.8 days. Average wound healing time was 51.9 days. Statistically significant relationship was found between wound size, VAC application time and silver dressing material application time. No complications such as osteomyelitis were found after treatment. Conclusion: VAC technique is recently being used in open fractures with wide skin and soft tissue defects, producing good results. A wide array of dressing materials such as silver dressing is in development. We have incorporated the VAC technique together with silver dressing materials in the treatment of open fractures and achieved complication free results.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.11
no.3
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pp.138-145
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2012
The material used in this study is dielectric and ferrite. Because of the unique characteristics of the material, it is easily exposed to external shocks and pressure, which cause damage to the product. However, after being processed under high-temperature environment repeatedly, the mechanical strength of the product is greatly increased due to the change of the electrical properties. In this paper, dielectric and bonded ferrite material was tested for the material properties. The equipment for this experiment was produced and tested to allow Cylindrical and Three-dimensional geometry of the product for the vacuum deposition. For Cylindrical shape of the product, in order to obtain the equivalent film thickness, the device is constructed in a vacuum chamber which gives arbitrary revolving and rotating capability. The electrical performance of the product is obtained through this process as well. However, as mentioned above, with repeating processes under high temperature and exposure to external environment, the product is easy to be broken. This experiment has enabled us to find out a stable condition to apply the communication of the RF high frequency to each of the core elements, such as Ferrite and Dielectric which is then used for the mechanical strength of the Raw material, hetero-junction material, Hetero-junction Ag Coating material and hetero-junction Ag Coating SiO2 Coating material respectively.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.139-139
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2010
Ionic Transition Metal Complex based (iTMC) Light-emitting electrochemical cells (LEECs) have been drawn attention for cheap and easy-to-fabricate light-emitting device. LEEC is one of the promising candidate for next generation display and solid-state lighting applications which can cover the defects of current commercial OLEDs like complicated fabrication process and strong work-function dependent sturucture. We have investigated the performance characteristics of LEECs based on poly (3, 4-ethylenedioxythiophene):poly (styrene sulfonate) (PEDOT:PSS)-incorporated transition metal complex, which is tris(2, 2'-bipyridyl)ruthenium(II) hexafluorophosphate in this study. There are advantages using conductive polymer-incorporated luminous layer to prevent light disturbance and absorbance while light-emitting process between light-emitting layer and transparent electrode like ITO. The devices were fabricated as sandwiched structure and light-emitting layer was deposited approximately 40nm thickness by spin coating and aluminum electrode was deposited using thermal evaporation process under the vacuum condition (10-3Pa). Current density and light intensity were measured using optical spectrometer, and surface morphology changes of the luminous layer were observed using XRD and AFM varying contents of PEDOT:PSS in the Ruthenium(II) complex solution. To observe enhanced ionic conductivity of PEDOT:PSS and luminous layer, space-charge-limited-currents model was introduced and it showed that the performances and stability of LEECs were improved. Main discussions are the followings. First, relationship between film thickness and performance characteristics of device was considered. Secondly, light-emitting behavior when PEDOT:PSS layer on the ITO, as a buffer, was introduced to iTMC LEECs. Finally, electrical properties including carrier mobility, current density-voltage, light intensity-voltage, response time and turn-on voltages were investigated.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.217.2-217.2
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2014
We prepared a flexible and transparent CuO/Cu/CuO multilayer electrodes on a polyethylene terephthalate (PET) substrate using a specially designed roll-to-roll sputtering system at room temperature for GFF-type touch screen panels (TSPs). By the continuous roll-to-roll sputtering of the CuO and Cu layer, we fabricated a flexible CuO(150nm)/Cu(150nm)/CuO(150nm) multilayer electrodes with a sheet resistance of $0.289{\Omega}/square$, resistivity of $5.991{\times}10^{-23}{\Omega}-cm$, at the optimized condition without breaking the vacuum. To investigate the feasibility of the CuO/Cu/CuO multilayer as a transparent electrode for GFF-type TSPs, we fabricated simple GFF-type TSPs using the diamond patterned CuO/Cu/CuO electrode on PET substrate as function of mesh line width. Using diamond patterned CuO/Cu/CuO electrode of mesh line $5{\mu}m$ with sheet resistance of 38 Ohm/square, optical transmittance of 90% at 550 nm and an average transmittance of 89% at wavelength range from 380 to 780 nm, we successfully demonstrated GFF-type touch panel screens (TPSs). The successful operation of GFF-type TPSs with CuO/Cu/CuO multilayer electrodes indicates that the CuO/Cu/CuO multilayer is a promising transparent electrode for large-area capacitive-type TPSs due to its low sheet resistance and high transparency.
The purpose of this study is to predict multiplication patterns of foodborne pathogens according to packaging methods and storage conditions in home-delivered meals. Pan fried oak mushroom and meat, soy sauce glazed hair tail and roasted dodok which inoculated $10^6\;CFU/g$ of foodborne pathogens were packaged by wrap packaging, top sealing, vacuum packaging and stored at 25, 4 and $-18^{\circ}C$ during 5 days. The result of study was revealed that the growth and multiplication pattern of the inoculated foodborne pathogens was inhibited in chilling and freezing storage after vacuum packaging, and was significantly influenced by storage temperature. The survival of Listeria monocytogenes was also significantly influenced by storage period. The effective method to preserve the bacteriologic safety of pan fried oak mushroom and meat and soy sauce glazed hair tail in home-delivered meals was stored for maximum three days in chilling storage after vacuum packaging.
Park, Il-Jin;Park, Chu-Sik;Kang, Kyoung-Soo;Kim, Chul-Sung
Journal of Magnetics
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v.13
no.3
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pp.110-113
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2008
In this study, heavy rare earth garnet $Tb_2Bi_1Ga_1Fe_4O_{12}$ powders were fabricated by a sol-gel and vacuum annealing process. The crystal structure was found to be single-phase garnet with a space group of Ia3d. The lattice constant $a_0$ was determined to be 12.465 ${\AA}$. From the analysis of the vibrating sample magnetometer (VSM) hysteresis loop at room temperature, the saturation magnetization and coercivity of the sample are 7.64 emu/g and 229 Oe, respectively. The N$\acute{e}$el temperature($T_N$) was determined to be 525 K. The M$\ddot{o}$ssbauer spectrum of $Tb_2Bi_1Ga_1Fe_4O_{12}$ at room temperature consists of 2 sets of 6 Lorentzians, which is the pattern of single-phase garnet. From the results of the M$\ddot{o}$ssbauer spectrum at room temperature, the absorption area ratios of Fe ions on 24d and 16a sites are 74.7% and 25.3%(approximately 3:1), respectively. These results show that all of the non-magnetic Ga atoms occupy the 16a site by a vacuum annealing process. Absorption area ratios of Fe ions are dependent not only on a sintering condition but also on the temperature of the sample. It can then be interpreted that the Ga ion distribution is dependent on the temperature of the sample. The M$\ddot{o}$ssbauer measurement was carried out in order to investigate the atomic migration in $Tb_2Bi_1Ga_1Fe_4O_{12}$.
Transparent conducting indium tin oxide (ITO) films were deposited onto the Polyethersulfone (PES) substrate by using a magnetron sputter type negative metal ion source. In order to investigate the influence of cesium (Cs) partial pressure during deposition and annealing temperature on the optoelectrical properties of ITO/PES film the films were deposited under different Cs partial pressures and post deposition annealed under different annealing temperature from $100^{\circ}C$ to $170^{\circ}C$ for 20 min at $3\;{\times}\;10^{-1}$ Pa. Optoeleetrical properties of ITO films deposited without intentional substrate heating was influenced strongly by the Cs partial pressure and the Cs partial pressure of $1.5\;{\times}\;10^{-3}$ Pa was characterized as an optimal Cs flow condition. By increasing post-deposition vacuum annealing temperature both optical transmission in visible light region and electrical conductivity of ITO films were increased. Atomic force microscopy (AFM) micrographs showed that the surface roughness also varied with post-deposition vacuum annealing temperature.
No, Junhee;Kim, Jimyoung;Zhang, Chen;Kim, Hyunjin;Shin, Malshick
Korean journal of food and cookery science
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v.30
no.3
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pp.351-359
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2014
The application of persimmon for making new products was investigated by analyzing the degree of astringency removal, softness of fruit, and sensory properties of Daebong persimmons (Diospyros kaki L) treated with three different astringency removal methods of steeping in water, steeping in 1% salt solution, and vacuum packing at $40^{\circ}C$. The weight of persimmon fruit increased with increasing steeping time, but decreased with increasing vacuum packing time. The fruit steeped in $40^{\circ}C$ salt solution (1%, w/w) was not detected with soluble tannin and not developed color with ferric chloride after steeping for 9 h. A total of 12 h of steeping time was required for removing soluble tannin using other methods. The lightness (L) in color and hardness in texture decreased when storage time increased, regardless of astringency removal methods. In overall, the preference was shown with the highest score in persimmon steeped in salt solution for 9 h and 12 h that were vacuum packed at $40^{\circ}C$. In conclusion, the astringency removal condition of Daebong persimmon was good after being steeped on 1% salt solution for 9 h at $40^{\circ}C$.
Kim, In-Seong;Lee, Dong-Yun;Song, Jae-Seong;Yun, Mu-Su;Park, Jeong-Hu
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.51
no.5
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pp.185-190
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2002
Capacitor material utilized in the downsizing passive devices and dynamic random access memory(DRAM) requires the physical and electrical properties at given area such as capacitor thickness reduction, relative dielectric constant increase, low leakage current and thermal stability. Common capacitor materials, $SiO_2$, $Si_3N_4$, $SiO_2$/$Si_3N_4$,TaN and et al., used until recently have reached their physical limits in their application to several hundred angstrom scale capacitor. $Ta_2O_{5}$ is known to be a good alternative to the existing materials for the capacitor application because of its high dielectric constant (25 ~35), low leakage current and high breakdown strength. Despite the numerous investigations of $Ta_2O_{5}$ material, there have little been established the clear understanding of the annealing effect on capacitance characteristic and conduction mechanism, design and fabrication for $Ta_2O_{5}$ film capacitor. This study presents the structure-property relationship of reactive-sputtered $Ta_2O_{5}$ MIM capacitor structure processed by annealing in a vacuum. X-ray diffraction patterns skewed the existence of amorphous phase in as-deposited condition and the formation of preferentially oriented-$Ta_2O_{5}$ in 670, $700^{\circ}C$ annealing. On 670, $700^{\circ}C$ annealing under the vacuum, the leakage current decrease and the enhanced temperature-capacitance characteristic stability. and the leakage current behavior is stable irrespective of applied electric field. The results states that keeping $Ta_2O_{5}$ annealed at vacuum gives rise to improvement of electrical characteristics in the capacitor by reducing oxygen-vacancy and the broken bond between Ta and O.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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