1 |
S. J. You, S. S. Kim, J. H. Kim, D. J. Seong, Y. H. Shin, and H. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 91, 221501 (2007).
DOI
|
2 |
V. A. Godyak, R. B. Piejak, and B. M. Alexandrovich, Plasma Sources Sci. Technol. 1, 36 (1992).
DOI
ScienceOn
|
3 |
M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principle of Plasma Discharges and Materials Processing, 2nd ed. (Wiley, New York, 2004).
|
4 |
F. F. Chen and J. P. Chang, Lecture Notes on Principles of Plasma Processing (Kluwer/Plenum, New York, 2002).
|
5 |
M. H. Lee, S. H. Jang, and C. W. Chung, J. Appl. Phys. 101, 033305 (2007).
DOI
ScienceOn
|
6 |
V. A. Godyak and R. B. Piejak, Phys. Rev. Lett. 65, 996 (1990).
DOI
ScienceOn
|
7 |
H. C. Lee, M. H. Lee, and C. W. Chung, Appl. Phys. Lett. 96, 041503 (2010).
DOI
|
8 |
H. C. Lee and C. W. Chung, Collisionless Electron Heating by rf Bias in Inductively Coupled Plasma (submitted).
|
9 |
H. C. Lee, J. Y. Bang, and C. W. Chung, Thin. Solid Films 519, 7009 (2011).
DOI
|
10 |
H. C. Lee, S. J. Oh, and C. W. Chung, Plasma Sources Sci. Technol. 21, 035003 (2012).
DOI
|
11 |
P. J. Chabert, Phys. D, Appl. Phys. 40 R63 (2007).
DOI
|
12 |
T. Mussenbrock, T. Hemke, D. Ziegler, R. P. Brinkmann, and M. Klick, Plasma Sources Sci. Technol. 17 025018 (2008).
DOI
|
13 |
J. H. Keller, J. C. Forster, and M. S. Barnes, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2487 (1993).
|
14 |
공정 플라즈마 기초와 응용, Alfred Grill 원저, 정진욱 옮김, 청문각 (2003).
|
15 |
플라즈마 식각기술, 염근영, 미래컴, (2006).
|
16 |
J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Appl. Phys. 50, 3189 (1979).
DOI
ScienceOn
|
17 |
G. A. Hebner and P. A. Miller, J. Appl. Phys. 87, 7660 (2000).
DOI
|
18 |
D. S. Wuu, C. R. Chung, Y. H. Liu, R. H. Horng, and S. H. Huang, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 902 (2002).
DOI
|
19 |
N. O. V. Plank, M. A. Blauw, E. W. J. M. van der Drift, and R. Cheung, J. Phys. D 36, 482 (2003).
DOI
|
20 |
S. I. Imai, J. Vac. Sci. Technol. B 26, 2008 (2008).
DOI
|
21 |
M. C. Chiang, F. M. Pan, H. C. Cheng, J. S. Liu, S. H. Chan, and T. C. Wei, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 181 (2000).
|
22 |
S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 64, 2294 (1994).
DOI
|
23 |
M. A. Sobolewski and J. H. Kim, J. Appl. Phys. 102, 113302 (2007).
DOI
|
24 |
H. C. Lee, M. H. Lee, and C. W. Chung, Appl. Phys. Lett. 96, 071501 (2010).
DOI
|
25 |
S. Samukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 2133 (1994).
DOI
|