Ferroelectric Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 thin films were successfully fabricated on ITO/Glass substrate by sol-gel proces-sing and characterized to determine the dielectric and electric properties. Viscosity of PEN sol measured to investigate rheological properties was 3.25 cP which was proper for coating. The sol also showed Newtonian behavior. RTA(Rapid Thermal Annealing) was used for the annealing of the thin film and 1200~1700$\AA$ thick PEN thin films were fabricated by repeating the intermediate and the final annealing. After the deposition of Pt as top electrode by vacuum evaporation dielectric and electric properties were measured. Dielectric properties of FFN thin film were enhanced by increasing the perovskite phase fraction with increasing the annealing temperature. Measured dielectric constant of 1700$\AA$ PFN thin film annealed at $650^{\circ}C$ was 890 at 1kHz Capacitatnce density and dielectric loss were 47 fF/${\mu}{\textrm}{m}$2 and 0.47 respectively. As a result of measuring Curie temperature PFN thin films had Curie point with a rang of 110~12$0^{\circ}C$ and showed broad dielectric peak at that point. Leakage current of the PFN thin films were increased with increasing the annealing tempera-ture.
Sun, Z.;Wang, L.L.;Chen, T.;Zhang, Z.J.;Cao, Z.Y.;Chen, Y.W.;Pan, L.K.;Feng, T.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.274-277
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2006
Nanostructured carbon (nm-C), including carbon nanotubes and nanofibers (CNTs/CNFs) is promising for low-cost field emission display (FED) application. By modification of CNTs/CNFs, uniform CNTs/CNFs can be obtained and used for field emission cathode (FEC) on glass substrate. By screen-printing (SP) and electrophoretic deposition (EPD) process, large area FEC can be obtained. The FED properties are studied and compared. Both SP and EPD FEC show excellent field emission properties, such as low emission field and uniform emission, after optimization the fabrication process. While EPD FEC exhibits better luminescence image. By vacuum sealing, the low cost nm-C-FED prototypes based on EPD cathode have been demonstrated.
The NiCr is an important material for present thin-film resistor application owing to its low TCR and thermal stability. In this work, the NiCr thin films were deposited on coming glass substrate by reactive magnetron sputtering and the annealing at temperatures range from 300 to $500^{\circ}C$ for 20 min in vacuum. X-ray, AFM, $R_s$(surface leakage current) have been used to study the structural and electrical properties of the NiCr thin films. The high precision NiCr thin films resistor with TCR(temperature coefficient of resistance) of less then $10\;ppm/^{\circ}C$ was obtained under in in-situ annealing at $300^{\circ}C$ on Cr buffer layer substrate. It is clear that the NiCr thin-films resistor electrical properties are low TCR related with it's annealing and buffer layer condition. NiCr thin film resistor having a good thermal stability and low TCR properties are expected for the application to the dielectric material of passive component.
Recently, in the manufacturing process of flat panel displays, mass production methods of inline system has been emerged. In particular the next generation OLED display manufacturing process, horizontal inline evaporation process has been tried. It is important for the success of OLED inline evaporation process to develop a magnetic levitation transport system capable of transferring a carrier equipped with a mother glass with high accuracy without any physical contact along the rail under vacuum condition. In the case of existing wheel-based transfer system, it is not suitable for OLED evaporation process requiring high cleanliness. On the other hand, the magnetic levitation transport system has an advantage that it does not generate any dust and it is possible to achieve high-precision control because there are not non-linear factors such as friction force. In this paper, we introduce the high-precision magnetic levitation transport system, which is currently under development, for OLED evaporation process.
A Magneto-Optical Trap (MOT) for $^{87}Rb$ atoms near the surface of a dielectric coated mirror at the top of a small $20{\times}25{\times}40\;mm^3$ cell has been observed. Two beams of $3.3\;mW/cm^2$ were used for optical cooling and an anti-Helmholtz magnetic field with a spatial gradient of 9.1 G/cm was used for magnetic trapping. The thickness of the mirror coated on a cover glass was less than $100{\mu}m$. The mirror covered the top of a cell and the atom-chip was located outside the vacuum in order to exploit the long life time of the mirror and easy operation of the chip. The trapping position was found 5 mm beneath the mirror surface. The number of trapped atoms was roughly $3{\times}10^7$ atoms and the temperature was approximately a few tens mK. In this paper, we describe the construction of the mirror-MOT in detail.
ITO/$TiO_2$ films were deposited by RF magnetron sputtering on glass substrates and then the effect of vacuum annealing on the structural, optical and electrical properties of the films was investigated. The structural, optical and electrical properties are strongly related to annealing temperature. The films annealed at $300^{\circ}C$ showed a grain size of 40.9 nm, which was larger than as-deposited amorphous films. The optical transmittance in the visible wavelength region also increased, while the electrical resistivity decreased. The ITO/$TiO_2$ films annealed at $300^{\circ}C$ showed the highest optical transmittance of 81% and also showed the lowest electrical resistivity of $3.05{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, in this study.
$CuInS_2$ thin films were fabricated by sulpurization of Cu/In Stacked elemental layer deposited onto glass substrates by vacuum annealing at various temperatures. And structural and electrical properties were measured in order to certify optimum conditions for growth of the ternary compound semiconductor $CuInS_2$ thin films by composition ratio. Physical properties of the thin film were investigated at various fabrication conditions; substrate temperature, annealing temperature and annealing time by XRD, FE-SEM and hall measurement system. $CuInS_2$ thin film was well made at the heat treatment 200[$^{\circ}C$] of SLG/Cu/In/S stacked elemental layer.
To improve the adhesion of Mo thin film as a back contact material, a DC magnetron sputtering system was used to deposit in the form of a bi-layer on soda-lime glass. Films with low resistivity and good adhesion were obtained from this deposition, even though the two qualities were found be hard to obtain at the same time. The best Mo bi-layer showed a resistivity of $8.13{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ at $500^{\circ}C$ and $3.0{\times}10^{-3}\;Torr$. The XRD measurements showed that the crystallites of the films were mainly oriented in the (110) direction, the FE-SEM images revealed that the resistivity of the Mo films decreased with increasing substrate temperature, which temperature reduction is accompanied by an increase of the grain size. These experimental results were analyzed using the Fuchs-Sondheimer theory. Our Mo bi-layer film with better crystallinity and lower resistivity can be suitably used as a back-contact layer for CIGS solar cells.
A new blade has been developed to apply to Doosan 3MW offshore wind turbine named as WinDS3000TM. The 3MW blade has been designed by the concept of slim external shape and optimized structure. High-performance glass fiber reinforced epoxy composites were used as the main material of the blade. The blade was manufactured using vacuum infusion process in order to increase the fiber volume fraction and to reduce micro-porosities. The blade has successfully passed the full-scale blade static test for certification. During the test, micro-failure signal and strain change of the blade were measured using acoustic emission sensors and strain gages. The blade has robust structure and weighs lighter compared to conventional blade since the new blade was designed by optimization process. The 3MW blade will be commercially applied to WinDS$3000^{TM}$ in 2010.
Kim, Dae-Yop;Lee, Jae-Hyuk;Kang, Dou-Youl;Choi, Jong-Sun;Kim, Young-Kwan;Shin, Dong-Myung
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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pp.69-70
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2000
There are currently considerable interest in the applications of conjugated polymers, oligomers, and small molecules for thin-film electronic devices. Organic materials have potential advantages to be utilized as semiconductors in field-effect transistors and light-emitting diodes. In this study, pentacene thin-film transistors (TFTs) were fabricated on glass substrate. Aluminums were used for gate electrodes. Silicon dioxide was deposited as a gate insulator by PECVD and patterned by reactive ion etching (R.I.E). Gold was used for the electrodes of source and drain. The active semiconductor pentacene layer was thermally evaporated in vacuum at a pressure of about $10^{-8}$ Torr and a deposition rate $0.3{\AA}/s$. The fabricated devices exhibited the field-effect mobility as large as 0.07 $cm^2/V.s$ and on/off current ratio as larger than $10^7$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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