Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.26
no.10
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pp.1567-1570
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2022
This paper, we presents a RF protection technique of antenna switch by improving the power handling capability in worst case environment mode for mobile phone applications without critical payment of circuit performances such as insertion loss, isolation and ACBV (AC breakdown voltage). By applying a additional capacitive path located in front of the antenna in cell-phone, it performs the effective reduction of input power in high voltage standing wave ratio (VSWR) condition. Under the all-path off condition which causes a high VSWR, it achieved 37.7dBm power handling level as high as 5.7dB compared to that of conventional one at 2GHz. In addition, insertion loss and isolation performances were 0.31dB and 42.72dB at 2 GHz, respectively which were almost similar to that of the conventional circuit. The proposed antenna switch was fabricated in 130nm CMOS SOI technology.
An UWB(Ultra Wide Band) antenna with band rejection characteristics is designed and implemented. A planar radiation patch with slot, parasitic elements on both sides of strip and ground plane on back side consist the proposed antenna. The slot in the radiation patch and parasitic elements contribute corresponding bands rejection characteristics. The slot contributes for WiMAX(World interoperability for Microwave Access, 3.30~3.70 GHz) band rejection and parasitic elements contribute for X-Band(7.25~8.395 GHz) rejection. Ansoft's HFSS(High Frequency Structure Simulator) was used to design the proposed antenna and performance simulations. Simulation result showed VSWR(Voltage Standing Wave Ratio) less than 2.0 for UWB band except for dual rejection bands of 3.30~3.86 GHz and 7.21~8.39 GHz. And VSWR measurement result for the implemented antenna shows less than 2.0 for 3.10~10.60 GHz band except dual rejection bands of 3.25~3.71 GHz and 7.25~8.46 GHz.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.6
no.3
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pp.8-11
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1969
In the precision measurement of the voltage standing wave ratio (VSWR) or reflection coefficient by means of the slotted line technique, one of the important factors is the maximum error due to the discontinuities and multi-reflection in the slotted line. Particularly, this error becomes a critical factor when the VSWR or the reflection coefficient to be measured is very small. In this paper, the exact expression of this error is obtained by means of the Signal flow graph method.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.24
no.4
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pp.394-402
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2013
This paper presents design, fabrication and ruggedness test of switching-mode power amplifier using GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) for S-band radar applications. The power amplifier is designed to Class-F for high efficiency. The input signal for the measurement of the power amplifier is pulse signal at $100{\mu}s$ pulse width and duty cycle of 10 %. The measurement results of the fabricated Class-F power amplifier are a power gain of 10.8 dB, an output power of 40.8 dBm, a power added efficiency(PAE) of 54.2 %, and a drain efficiency of 62.6 %, at the center frequency. We proposed reliability test set-up of a power amplifier for ruggedness test. And we measured output power and efficiency according to VSWR(Voltage Standing Wave Ratio) variation. The designed power amplifier achieved output power of 32.6~41.1 dBm and drain efficiency of 23.4~63 % by changing VSWR, respectively.
This paper deals with the design and fabrication of a coplanar waveguide (CPW)-fed super-wideband semicircular-disk-shaped dipole antenna operating in a frequency band of 2.4 GHz or higher. To feed the antenna, a CPW feed line was appended to the center of the lower arm of the semicircular-disk-shaped dipole antenna. For miniaturization, square patches were added to the ends of the two arms of the semicircular-disk-shaped dipole, whereas the slot width of the CPW feed line at the center of the dipole antenna was increased to improve impedance matching in the 5.4-6.3 GHz band. The simulated frequency band of the proposed antenna for a voltage standing wave ratio (VSWR) less than 2 was 2.369-30 GHz(170.7%), whereas the fabricated antenna was maintained VSWR less than 2 in the frequency range of 2.378-20 GHz when measured using a network analyzer operating up to 20 GHz so it can be applied as a super-wideband antenna for next-generation mobile communications.
Kim, Ji-Hae;Kim, Mi-Suk;Kim, Jong-Seong;Son, Seok-Bo;Kim, Young-Baek
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.22
no.10
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pp.990-998
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2011
In this paper, we have designed a multi-band single layer microstrip patch antenna with slots for GPS L2/L1, GLONASS receivers. The antenna has dual feed structure and consists of single layer microstrip patch with slots and impedance matching circuit. The antenna specifications are a VSWR(Voltage Standing Wave Ratio) of less than 2.0, RHCP(Right-Hand Circular Polarization) characteristics over the operating frequency bands of GPS L2(1,227.6 MHz)/L1(1,575.42 MHz) and GLONASS(1,602 MHz), the maximum active antenna gain of more than 30 dB and the axial ratio of less than 3 dB. The antenna has been successfully evaluated by various tests.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.14
no.3
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pp.1445-1450
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2013
In this paper, a broadband series-fed bow-tie dipole pair (SBDP) antenna operating in the band of 1.7-2.7 GHz for mobile communication base station applications is proposed. The proposed antenna uses bow-tie-shaped dipole elements instead of straight strip dipole ones used in a conventional series-fed dipole pair (SDP) antenna. The simulation results show that the lowest operating frequency is shifted toward lower frequency as the flare angle increases, and so the lengths of the bow-tie dipole elements can be reduced in proportion to the frequency shift toward lower frequency. An SBDP antenna with a flare angle of 10 degrees is fabricated on an FR4 substrate (dielectric constant = 4.4 and thickness = 1.6 mm) and total width of the fabricated antenna is reduced by 10% compared to that of the conventional SDP antenna. The measured impedance bandwidth for voltage standing wave ratio (VSWR) < 2 is 48.8% (1.69-2.78 GHz), gain is 5.8-6.3 dBi, and the front-to-back ratio (FBR) is 14-17 dB.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2006.05a
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pp.902-905
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2006
This paper presents a new RF testing scheme based on a design-for-testability (DFT) method for measuring functional specifications of RF integrated circuits (IC). The proposed method provides input impedance. gain, noise figure. input voltage standing wave ratio (VSWR) and output signal-to-noise ratio (SNR) of a low noise amplifier (LNA). The RF test scheme is based on theoretical expressions that produce the actual RF device specifications by output DC voltages from the DR chip.
The common-source low noise amplifier(LNA) with inductive degeneration using a genetic algorithm is designed and tested for a down converter in an industrial, scientific and medical (ISM) band application and a wireless broadband internet service (WiBro). The genetic algorithm optimizes the reflection coefficients to be well matched the input and output ports between multistage transistor amplifiers, and it generates low voltage standing wave ratio as well as gain flatness of the amplifier. The stability and the gain flatness of the LNA have been improved by combining the matching circuits and the series feedback microstrip lines with inductive degeneration at common-source port. In the frequency range of ISM band and WiBro application operating at $2.3GHz{\sim}2.5GHz$, the measured power gain and maximum voltage standing wave ratio (VSWR) of the LNA are $41{\pm}0.5dB$ and 1.3, and the noise figure of the LNA is lower than 0.85dB. The above results are agreed well with the theoretical values of the amplifiers.
In this paper, the design of a miniaturized wideband tapered slot antenna using slots combining various types of fan-shaped structures was studied. To miniaturize the tapered slot antenna and make it operate at low frequencies, slots combining fan-shaped structures were added to the ground plane of the tapered slot antenna. The miniaturization design process of the final proposed antenna was systematically explained by comparing the input reflection coefficient and gain variations when each fan-shaped structure was appended, compared to when there was no slot. The proposed miniaturized wideband tapered slot antenna using slots combining the fan-shaped structures was fabricated on an RF-35 substrate and its measured characteristics were compared with the simulation results. Experiment results show that the frequency band with a voltage standing wave ratio (VSWR) less than 2 was 2.59-11.39 GHz, and gain within the band was measured to be 3.3-7.0 dBi. The proposed miniaturized wideband tapered slot antenna can be reduced in size by 36.9%, compared to when there are no slots in the ground plane.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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