• 한국지형학회지
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• 제21권4호
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• pp.1-17
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• 2014

본 연구는 우리나라의 12개 기반암 지역과 24개 산지와 곡지를 대상으로 지형 기복 특성을 분석하고, 이를 토대로 기반암과 지형 기복 간의 특성 및 관계를 다음의 4가지로 유형화하였다. 1) 편마암-고 산지와 화강암-고의 전체, 산지, 곡지는 지반 융기로 인하여 하천의 하각 작용은 활발하지만, 삭박의 영향이 사면 전체에 전달되지 못하여, 매우 높은 해발고도에 비해 기복과 경사는 상대적으로 크지 않다. 2) 편마암-고 전체, 곡지, 편마암-중 산지, 편암-산지, 화강암-중 산지, 화산암 전체, 산지, 퇴적암-고(역암) 전체, 산지, 곡지, 퇴적암-중(사암, 셰일) 산지, 석회암 전체, 산지 지역은 하천 침식과 사면 운반 작용이 활발하지만, 풍화 침식에 대한 저항력이 강한 기반암이나 지질 구조를 가져서 지형 기복이 큰 편이다. 3) 편마암-중 전체, 곡지, 편암-전체, 곡지, 화강암-중 전체, 곡지, 화산암 곡지, 퇴적암-중 전체, 곡지, 퇴적암-저(셰일) 산지, 석회암 곡지 지역은 풍화 침식에 대한 저항력이 약하며, 사면과 하곡에서 풍화, 사면 운반, 하천의 침식, 운반, 퇴적 작용이 진행되어, 지형 기복이 작은 편이다. 4) 편마암-저 전체, 산지, 곡지, 화강암-저 전체, 산지, 곡지, 퇴적암-저 전체, 곡지 지역은 고도가 낮은 해안에 위치하여, 하천의 침식 작용과 활발한 사면 운반작용은 거의 발생하지 않아, 지형 기복이 매우 작다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권5호
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• pp.329-337
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• 2001

고유전 (Ba, Sr)TiO/sub 3/ (BST) 박막을 이용한 DRAM storage capacitor의 저전계 영역에서의 전하손실을 발생시키는 커패시터의 누설전류는 유전완화전류와 진성 누설전류로 이루진다고 알려져 있다. 특히, 기가급 DRAM의 동작 전압(~IV)에서 유전완화전류가 진성 누설전류에 비해 훨씬 크기 때문에 이에 대한 심도 있는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 thermally stimulated current (TSC) 측정법을 BST 박막에 처음으로 적용하여 트랩의 에너지 level 및 공정변화에 따른 트랩 밀도의 상대적 평가를 하였다. 그리고, 기존에 사용되던 전류-전압(I-V) 측정이나 전류-시간(I-t) 측정과 비교 및 분석함으로써 유전완화 전류의 원인을 규명하고 TSC 측정법의 신뢰성을 살펴보았다. 먼저 안정적인 TSC 측정을 위해 전계, 시간, 온도 및 승온속도에 따른 polarization condition을 알아보았다 이 조건을 이용한 TSC 측정으로부터 BST 박막에서의 트랩의 energy level이 0.20(±0.01) eV와 0.45(±0.02) eV임을 알 수 있었다. Rapid thermal annealing (RTA)을 이용한 후속 열처리에 따른 TSC 측정을 통하여 이 트랩들이 산소결핍(oxygen vacancy)에 기인함을 확인할 수 있었다. MIM BST 커패시터의 열처리에 대한 TSC 특성은 전류-전압(I-V) 및 전류-시간(I-t) 특성과 같은 경향성을 보인다. 이것은 TSC 측정이 BST 박막내의 트랩을 평가하는데 있어서 매우 효과적인 방법이라는 것을 보여준다.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.161-169
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• 2020

무선충전기, USB 타입-C 등의 응용에 사용되는 MCU 칩은 제조 원가를 줄이기 위해 3~5개의 추가 공정 마스크가 필요한 DP-EEPROM(Double Poly EEPROM)보다는 추가 마스크가 한 장 이내이면서 메모리 셀 사이즈가 작은 MTP(Multi-Time Programmable) 메모리가 요구된다. 그리고 E/P(Erase/Program) cycling에 따른 MTP 메모리 셀의 endurance 특성과 데이터 retention 특성을 좋게 하기 위해서 V_TP(Program Threshold Voltage)와 V_TE(Erase Threshold Voltage)의 산포는 좁은 것이 필요하다. 그래서 본 논문에서는 short pulse의 erase와 program pulse를 여러 번 수행하면서 목표 전류와 비교한 뒤 전류스펙을 만족하면 더 이상 program이나 erase 동작을 수행하지 않게 하므로 program V_T 산포나 erase V_T 산포를 줄이는 알고리즘과 current-type BL S/A(Bit-Line Sense Amplifier) 회로, WM(Write Mask) 회로, BLD(BL Driver) 회로를 제안하였다. 매그나칩반도체 0.13㎛ 공정으로 제작된 256Kb MTP 메모리 웨이퍼에서 동작 모드에 맞게 정상적으로 동작하는 것을 확인할 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2021년도 추계학술대회
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• pp.634-636
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• 2021

이번 연구에서는 피드백 전계 효과 트랜지스터(feedback field-effect transistor, FBFET)의 메크로 모델링에 대한 연구를 SPICE 시뮬레이터를 통해 진행했다. 기존에 제시된 FBFET의 메크로 모델은 두 개의 회로로 구성돼 있으며, 하나는 전하 축적 기능을 구현한 회로이며 다른 하나는 전류 생성 회로이다. 기존 전류 생성회로는 I_DS-V_GS 특성만 구현 가능하여 회로 예측에 어려움이 있다. 이를 해결하기 위해 전류 생성 회로에 다이오드를 추가함으로 I_DS-V_DS 특성까지 구현 가능한 모델을 제시한다.

• 분석과학
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• 제16권4호
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• pp.269-276
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• 2003

새로운 종류의 벗김전압전류법, 즉 전도된 촉매 벗김전압전류법 ($IC_tSV$)을 소개한다. 염산 용액에서 로듐-포름알데히드 착물은 역주사 동안에 환원전류 봉우리 즉 전도된 촉매수소 봉우리가 생긴다. 이 전도된 봉우리의 특징을 조사하고 이 봉우리를 분석 봉우리로 이용하여 결정한 검출한계는 $1.2{\times}10^{-10}M$ (축적시간 50초)이었다. 최적 실험 조건은 0.015% (W/V) HCHO-0.42 M HCl, 농축전위 -1.1 V, 주사속도 100 mV/s이다.

• 대한환경공학회지
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• 제33권8호
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• pp.598-605
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• 2011

본 연구의 주 목적은 다층 다단 다공성 시스템에 편극전하 방식을 부가하여 본 시스템의 집진특성을 실험적으로 해석하는데 있다. 본 시스템의 압력손실 및 집진효율 특성 해석을 위해 실험은 인가전압, 시스템 유입유속, 유입농도 및 stage 수 등의 실험적 변수들에 의해 수행된다. 실험결과, 기류유입 시 유입유속 $v_{in}$ = 3.11 m/s에서 단(stage) 수 변화($1{\rightarrow}5$단)에 따라 압력손실은 $18{\sim}134mmH_2O$를 나타낸다. 인가전압 0 kV 및 기류유입이 없을 때, 시스템 유입유속 $v_{in}$ = 2.58 m/s인 경우 5 stage에서 집진효율은 92.5% 인 데 비해, 동일 유속에서 플레이트 별 편극전하(alternating polarization charge-applied voltage 2.5 kV) 및 기류유입 시스템인 경우 5 stage 효율은 98.5%로 전자에 비해 6% 정도 매우 높은 효율 상승을 보인다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.1-8
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• 1999

최근 들어 레이저를 이용한 방전 제어 기술에 대한 관심이 여러 분야에서 고조되고 있다. 특히, 레이저의 우수한 특성 때문에 Electro-Discharge Machining(EDM)분야에서 각광을 받고 있다. 본 연구에서는 펄스형 Nd:TAG 레이저를 이용해서 방전 가공 장치에 적용될 수 있는 방전 유도 기술에 관한 기초 데이터의 확보를 위한 실험이 수행되었다. 레이저에 의한 직류 발전 유도 실험의 동작 압력의 범위는 0.2~20 torr였다. 진공조 내의 압력 P와 전극간의 거리 d에 따른 최소 직류 레이저 방전 유도 전압 $V_{G.min}$을 측정하였으며, $V_{G.min}$이 자연 방전전압 VND보다 훨씬 낮고 P.d값에 따른 $V_{G.min}$이 $V_{ND}$와 유사한 경향을 가짐을 확인하였다. 그리고 레이저 출력 에너지 $E_{out}$은 플래쉬램프의 전류 펄스폭 $t_p$가 증가함에 따라 감소하고 $t_p$값이 증가할수록 $V_{G.min}$은 방전 지속 시간 동안에 조사되는 광자량이 감소하기 때문에 더 높아짐을 알 수 있었다. 또한 레이저에 의한 방전 유도 가능범위와 레이저 출력에 따른 방전 유도 특성을 조사하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.782-787
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• 2000

광대역 고출력 SP3T MMIC GaAs PIN 다이오드 스위치를 설계, 제작하고 특성을 측정하였다. 전력단속능력을 개선시키기 위하여 다이오드의 버퍼층을 저온 버퍼와 초격자 버퍼로 이루어진 2층 구조로 설계하였다. 개발된 다이오드의 항복전압은 65V이고 순방향 정압강하는 1.3V 이었다. MMIC 스위치는 마이크로스트립 라인형으로 구현되었고 인덕턴스가 낮은 via hole 공정을 이용하여 신호를 접지하였다. 평면형 구조보다 더 낮은 기생성분과 진성영역에서 고품질을 갖는 수직형 에피텍셜 PIN 구조를 사용하여 우수한 마이크로파 성능을 얻었다. 제작된 SP3T 스위치의 고출력 특성은 14.5GHz CW에서 입력전력을 8dBm부터 32dBM 까지 증가시킬 때 삽입손실은 0.6dB보다 작은, 분리도는 50dB보다 크게 측정되었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권7호
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• pp.292-297
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• 2002

In this paper, a flat-type $L_{-}$-$B_{8}$ mode Ultrasonic Motor[USM] having the size of 80 x 20 x ${1.5}mm^3$($l{\times}\omega{\times}t$) was designed and fabricated to examine the characteristics of an ultrasonic vibration. We used ANSYS simulation program based on FEM to get the optimum design of this USM. As results of experiment, the fastest speed of revolution(v), the maximum torque(T) and the efficiency(n) were 37.5cm/s, 5.0 mN.m and 1.17% when 27.9KHz, 150N, 50V were applied respectively. And this flat-type $L_{-}$-$B_{8}$ mode USM could be controlled the speed of rotor revolution by applied voltage, frequency and pre-load of rotor as well as showed the characteristics of typical drooping torque-speed, large torque and high speed. So, we think that this flat-type $L_{-}$-$B_{8}$ mode USM has characteristics of enough torque and velocity to be usable for applications in forwarding device of an electric card or a paper, etc.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권1호
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• pp.1-10
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• 2003

본 연구에서는 Metal-Ferroelecric-Semiconductor FET (MFSFET) 소자의 특성을 시뮬레이션 하였다. 시뮬레이션에서는 field-dependent polarization 모델과 square-law FET 모델이 도입되었다. MFSFET 시뮬레이전에서 C-V/sub G/ 곡선은 축적과 공핍 및 반전 영역을 확실하게 나타내었다. 게이트 전압에 따른 캐패시턴스, subthreshold 전류 그리고, 드레인 전류특성에서 강유전체 항전압이 0.5, 1V 일 때, 각각 1, 2V 의 memory window 를 나타내었다. 드레인 전류-드레인 전압 곡선은 증가영역과 포화영역으로 구성되었다. 드레인 전류-드레인 전압 곡선에서 두 부분의 문턱전압에 의해 나타난 포화드레인 전류차이는 게이트 전압이 0, 0.1, 0.2 그리고, 0.3V 일 때, 각각 1.5, 2.7, 4.0 그리고 5.7㎃ 이었다. 시간경과 후의 드레인 전류를 분석하였는데, PLZT(10/30/70) 박막은 10년 후에 약 18%의 포화 전류가 감소하여 우수한 신뢰성을 보였다. 본 모델은 MFSFET 소자의 동작을 예측하는데 중요한 역할을 할 것으로 판단된다.