• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권7호
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• pp.607-611
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• 2000

The characteristics on the interface between Epoxy and EPDM which are materials of the underground insulation systems of power delivery have studied. The breakdown strength of specimens are observed by applying high AC voltage at the room temperature. The breakdown times under the constant voltage below the breakdown voltage were gained. As constant voltage is applied the breakdown time is proportion to the breakdown strength. The life exponent n is gained by inverse power law and the long breakdown life time can be evaluated. AC breakdown strength and life time is improved by oiling to the interface. When the low viscosity oil is spread interface has the highest life time.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권2호
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• pp.350-355
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• 2021

IGBT는 MOSFET과 BJT의 구조를 동시에 포함하고 있는 전력반도체 소자이며, MOSFET의 빠른 스위칭 속도와 BJT의 고 내압, 높은 전류내량 특성을 갖고 있다. GBT는 높은 항복전압, 낮은 V_CE-SAT, 빠른 스위칭 속도, 고 신뢰성의 이상적인 파워 반도체 소자의 요구사항을 목표로 하는 소자이다. 본 논문에서는 1,200V 급 Trench Gate Field Stop IGBT의 상단 공정 파라미터인 Gate oxide thickness, Trench Gate Width, P+ Emitter width를 변화시키면서 변화하는 Eoff, V_CE-SAT을 분석하였고, 이에 따른 최적의 상단 공정 파라미터를 제시하였다. Synopsys T-CAD Simulator를 통해 항복전압 1,470V와 V_CE-SAT 2.17V, Eon 0.361mJ, Eoff 1.152mJ의 전기적 특성을 갖는 IGBT 소자를 구현하였다.

• 한국작물학회지
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• 제22권1호
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• pp.41-44
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• 1977

담배에서 약배양에 의한 반수체육종을 실용화하고 저 중촌등의 'D'배지를 이용하여 실험을 하였든바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 배양약중 평균 30% 이상이 반수농식물을 유기하였으며 약당 유기된 식물개체수는 평균 6주이상이었다. 2. F$_1$으로부터 유기된 반수체중 T.M.V 저항성은 이론치와 일치하는 1 : 1의 비를 나타내었다. 3. 반수체식물의 생육조사에서는 예기한바와 같이 모든 측정형질에 대하여 F$_1$의 반수체가 모본의 반수체보다 더큰 변이를 보였다.큰 변이를 보였다.

• 전자공학회논문지T
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• 제36T권3호
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• pp.1-6
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• 1999

청녹색 발광을 하는 분산형 전계 발광 소자의 제작, 전기적 및 광학적 특성에 관하여 검토하였다. 전기적 및 광학적 특성에서 전류와 휘도는 전압과 주파수에 따라 증가하였으며, 휘도는 20㎑, 150V의 구동 조건에서 840㏅/㎡를 보였다. 그리고 그 결과를 등가회로화에 의해서 설명하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.63-63
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• 2009

In this work, we demonstrate 800V 4H-SiC power DMOSFETs with several structural alterations to observe static DC characteristics, such as a threshold voltage ($V_{TH}$) and a figure of merit ($V_B^2/R_{SP,ON}$). To optimize the static DC characteristics, we consider four design parameters; (a) the doping concentration ($N_{CSL}$) of current spreading layer (CSL) beneath the p-base region, (b) the thickness of p-base ($t_{BASE}$), (c) the doping concentration ($N_J$) and width ($W_J$) of a JFET region, (d) the doping concentration ($N_{EPI}$) and thickness ($t_{EPI}$) of epi-layer. Design parameters are optimized using 2D numerical simulations and the 4H-SiC DMOSFET structure results in high figure of merit ($V_B^2/R_{SP,ON}$>~$340MW/cm^2$) for a power MOSFET in $V_B{\sim}1200V$ range.

• 열처리공학회지
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• 제31권2호
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• pp.49-55
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• 2018

A T-shape structure was manufactured by the superplastic forming and diffusion bonding process using two Ti-3Al-2.5V alloy tubes. A Ti-3Al-2.5V tube was prepared for the hydroforming in the superplastic condition until it reaches a surface area such as a roof welded in the hole of another Ti-3Al-2.5V tube. Afterward, the superplastic forming process and the diffusion bonding process were carried out simultaneously until the appropriate bonding along the interface area of two Ti-3Al-2.5V tubes was obtained. The bonding qualities were different at each location of the entire interface according to the applied process conditions such as strain, pressure, temperature, holding time, geometries, etc. The microstructures of bonding interface have been observed to understand the characteristics of the applied processes in this study.

• Asian-Australasian Journal of Animal Sciences
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• 제32권10호
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• pp.1603-1610
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• 2019

Objective: The purpose of this study was to investigate the effect of fermented spinach derived nitrite and sodium nitrite on cured pork loin. Methods: The following treatments were prepared using brine (8% [w/v] salt): Control (-), no nitrite added; Control (+), 0.08% (w/v) sodium nitrite brine; T1, 0.04% (w/v) nitrite fermented spinach juice in 0.04% (w/v) sodium nitrite brine; T2, spinach juice in 0.04% (w/v) sodium nitrite brine; T3, 0.04% (w/v) nitrite fermented spinach juice used as sodium nitrite free brine; and T4, spinach juice used as sodium nitrite free brine. T2 and T4 were incubated to allow to reduce nitrate to nitrite. Results: Spinach juice did not affect cooking loss and pH but negatively influenced flavor and overall acceptability (p<0.05). T1 samples containing synthetic and natural nitrites showed the highest redness values. Spinach juice negatively affected volatile basic nitrogen; however, thiobarbituric acid reactive substance values of T1 and T3 were similar to those of controls (+) (p>0.05). Residual nitrite content decreased with decreasing synthetic nitrite levels. T1 and control samples showed no significant differences in overall acceptability (p>0.05). Conclusion: Thus, combined synthetic and natural nitrites improved the quality of cured pork loin.

• 해양환경안전학회지
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• 제21권6호
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• pp.778-783
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• 2015

본 연구는 해상에서의 안전사고의 경감과 국민의 생명을 보호하기 위한 목적으로 자체 연구를 수행하여 FRP의 수리공법인 Butt Joint, Lap Joint, V-Scarf Joint(12t, 16t, 20t), X-Scarf Joint(12t 16t, 20t)의 인장강도와 굽힘강도를 통해 이음방식에 따른 구조강도 특성을 실험하였다. 이음 방법에 따른 인장강도와 굽힘강도의 시험편을 종합 분석한 결과, 인장강도의 강도와 굽힘강도의 그래프 패턴은 비슷한 양상으로 증가와 감소를 하였으며, 인장강도와 굽힘강도 모두 X-Scarf-Butt Joint-V-Scarf-Lap Joint 순으로 강도가 우수하였다. 인장강도는 강도특성이 가장 우수한 X-Scarf라 하더라도 Basic Material의 57% 수준의 강도를 나타내었고 굽힘강도는 X-Scarf가 Basic Material의 77% 수준의 강도를 나타내었다. 종합적으로 Over-Lay 구분을 포함하여 X-Scarf 12t 이음이 인장강도, 굽힘강도 특성이 우수하였으며 Lap Joint가 가장 좋지 않았다. Scarf 이음시 Taper 길이에 따른 강도의 차이는 V-Scarf 이음은 Taper의 길이가 가장 큰 20t가 인장강도, 굽힘강도 특성이 우수한 반면 X-Scarf 이음은 Taper의 길이가 가장 짧은 12t가 인장강도, 굽힘강도 특성이 우수하여 상반되는 결과를 나타내었다. 선박에는 많은 Stress가 작용하여 시험편만을 가지고 실험한 본 연구와 직접적인 비교는 힘들지만, 재료의 가장 기본 특성을 인장강도와 굽힘강도 시험을 통해 확인할 수 있다. FRP 국부적인 수리 방법인 Butt Joint, Lap Joint, V-Scarf, X-Scarf 4가지의 이음방법에 따른 시험값과 모재 대비 감소되는 비율을 제시하였고 추가적으로 V-Scarf와 X-Scarf의 Taper 길이별 특성을 12t, 16t, 20t로 구분한 결과값을 제시함으로써 수리 현장에서의 위치별 특성에 맞는 수리 방법의 응용이 가능하도록 하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제4권3호
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• pp.259-266
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• 1991

1.5.mu.m의 찬넬길이를 갖는 short channel 비휘발성 SNOSFET 기억소자를 기존의 CMOS 1 Mbit 공정기술을 이용하여 제작하고 I$_{d}$-V$_{d}$ 및 I$_{d}$- V$_{g}$특성과 스윗칭 및 기억유지특성을 조사하였다. 그 결과 제작한 소자는 논리회로 설계에 적절한 전도특성을 가졌으며 스윗칭시간은 인가전압의 크기에 의존함을 보였다. 그리고 3V의 memory window 크기를 얻기 위해서 V$_{w}$ =+34V, t$_{w}$ =50.mu.sec 및 V$_{e}$=-34V, t$_{e}$=500.mu.sec의 펄스전압으로 각각 write-in과 erase할 수 있었다. 또한 기억상태는 10년이상 유지할 수 있음을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.126-130
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• 1995

$CdS_{1-x}Te_{1-x}$ polycrystalline thin films were fabricated from CdS and CdTe powder by co-evaporation method at $10^{-6}$ Torr. The Optimum evaporation condition was substrate temperature $T_{s}$=$150^{\circ}C$, evaporation time t=30 min. XRD spectrums indicated that the crystal structure chanced from zinc blonde (x$\leq$0.22) to wurtzite (x$\geq$0.96) through mixed structure (0.22$\leq$0.74) as composition value x increase to CdS. Conductive type was n-type by hot point probe method. van der Pauw method was not applicable for x<0,5 due to high hall voltages, Electrical resistivity and Hall carrier mobility were decreased as x increase, while Hall carrier concentration was increased. The optical bandgap of $CdS_{1-x}Te_{1-x}$ polycrystalline thin films measure d at R.T. had quardratic form and the bowing parameter was fitted as 1.98eV for theoretical value of 2.0eV. I-V characteristics of In/CdTe/$CdS_{x}Te_{1-x}$Au Schottky diodes showed that CdS-rich one had better forward characteristics than CdTe-rich one.