Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)
- Volume 4 Issue 3
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- Pages.259-266
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- 1991
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
Fabrication and characteristics of short channel nonvolatile SNOSFET memory devices
Short channel 비휘발성 SNOSFET 기억소자의 제작과 특성
Abstract
1.5.mu.m의 찬넬길이를 갖는 short channel 비휘발성 SNOSFET 기억소자를 기존의 CMOS 1 Mbit 공정기술을 이용하여 제작하고 I
Keywords