• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.71-74
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• 2000

Pt/Pb$TiO_3$/$SrTiO_3$/p-Si films were prepared by metallo-organic solution deposition(M0SD) method and investigated its structure and ferroelectric properties. Crystallinity of specimen as a funtions of post annealing temperature and the thickness of $SrTiO_3$(STO) buffer layer was studied using XRD and AFM. Based on C-V and P-E curve, $PbTiO_3$(PTO) capacitors showed good ferroelectric hysteresis arising from the polarization switching properties. When the thickness of ST0 buffer layer between PTO and Si substrate was 260 nrn and the post annealing temperature was $650^{\circ}C$, it was showed that production of the pyrochlore phase due to interdiffusion of Si into FTO was prevented. The dielectric constant of FTO thin films calculated from a maximum Cma in the accumulation region was 180 and the dielectric loss was 0.30 at 100 kHz frequency. The memory window in the C-V curve is 1.6V at a gate voltage of 5V.

• 한국음향학회지
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• 제43권4호
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• pp.383-390
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• 2024

수중 이동체의 방사소음을 측정하는 경우 이동체와 수신기 사이의 거리 정보가 중요한 요소이지만 수중에서는 Global Positioning System(GPS)를 사용할 수 없기 때문에 대체 수단이 필요하다. 대체 수단으로써 별도의 음향신호를 이용하여 도달 시간, 도달 시간 차 및 도달 주파수 차 등을 추정하여 거리를 측정한다. 하지만 채널 환경에 의해 오류가 발생하며, 이러한 특이값들은 연속적으로 거리를 측정함에 있어서 장애 요인이 된다. 본 논문에서는 거리 정보를 측정하는 과정에서 발생한 특이값들을 제거하기 위하여 사후 처리로써 V-곡선 형태의 함수로 곡선 적합하여 오류를 감소시키는 방법을 제안한다. 제안한 방법의 성능검증을 위해 모의, 호수 및 해상실험을 수행하였다. 호수실험 결과에서는 Root Mean Square Error(RMSE) 관점에서 약 85 % 정도로 거리 추정 오차가 감소하였다.

• 농업과학연구
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• 제25권2호
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• pp.225-234
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• 1998

연직 드레인의 이론식에서 교란효과와 배수저항에 관련된 변수들을 변화시켜 구한 이론곡선과 현장의 실측자료를 쌍곡선, Curve Fitting, Asaoka, Monden방법에 의한 압밀도곡선을 비교 분석하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 쌍곡선방법에 의한 압밀도곡선은 Curve Fitting, Asaoka, Monden방법에 의한 압밀도곡선과 비교할 때 압밀도가 과소하게 나타났다. 2. 현장 실측자료로부터 역산한 수평방향 압밀계수($C_h$)와 실내 시험에서 구한 수직 방향 압밀계수($C_v$)의 전체적인 범위는 교란효과와 배수저항을 무시하는 이상적인 경우에서는 $C_h=(0.5{\sim}2.5)C_v$, 교란효과와 배수저항을 고려한 경우에는 $C_h=(2{\sim}3)C_v$의 범위로 나타났다. 3. 역해석에 의한 교란된 지역의 투수계수란된 지역의 투수계수($K_s$)는 비교란지역의 수직투수계수($K_v$)의 1/2로, 교란지역의 직경($d_s$)은 Mendrel직경($d_m$)의 2배일 때 실측침하량에 의한 압밀도 곡선과 유사하게 나타났다. 4. 연직배수재 설계에 따른 배수저항의 영향은 직경감소가 커질수록 압밀이 지연되는 경향을 보였고, 드레인의 투수계수가 작은 경우가 큰 경우 보다 영향이 더 큰 것으로 나타났다. 따라서 감소 직경을 사용하는 설계법은 교란효과와 배수저항의 영향을 고려하는 것이 합리적이다.

• 비파괴검사학회지
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• 제30권5호
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• pp.437-443
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• 2010

최근 재료, 생물의학(biomedicine), 음향, 전자 등 다양한 분야에서 나노 구조를 갖는 박막 기술이 도입되면서 박막 계면의 수명과 내구성 확보를 위한 초고주파수의 초음파현미경을 이용한 정량적인 비파괴적 접합평가에 관한 연구가 큰 이슈가 되고 있다. 본 연구에서는 초음파의 집속, 누설탄성표면파의 발생과 V(z) 곡선의 시뮬레이션 그리고 초고주파수 음향 이미징 기법을 이용하여 나노 스케일 구조를 갖는 박막 시험편의 접합계면을 평가하였다. V(z) 곡선의 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 접합계면에 존재하는 미세 결함(디라미네이션 등)의 검출 감도를 추정할 수 있었으며, 1 GHz의 초고주파수 디포커싱 모드로 박막 시험편의 접합계면에 존재하는 나노 스케일의 미세 결함을 음향 이미지로 가시화 할 수 있어 나노 구조를 갖는 박막의 접합계면의 비파괴평가에 초음파현미경이 매우 유용함을 알 수 있었다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제5C권5호
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• pp.183-190
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• 2005

In order to drive the high-density plasma displays, a high-speed driving technology must be researched. In this experiment, the relationship between the width of the address electrode and high-speed driving is analyzed using the Vt close curve and the panel structure for high-speed driving is proposed. In addition we show that the wider the width of the address electrode is, the narrower the width of the scan pulse becomes. Therefore, we could achieve the minimum data voltage of 50.1V at a scan pulse width of $1.0/{\mu}s$ and a ramp voltage of 210V at an address electrode width of $180/{\mu}m$ for the high-speed driving 4-inch test PDP.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제30권4호
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• pp.364-376
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• 1998

The statistical analysis method was applied to the evaluation of fracture toughness in the ductile-brittle transition temperature region. Because cleavage fracture in steel is of a statistical nature, fracture toughness data or values show a similar statistical trend. Using the three-parameter Weibull distribution, a fracture toughness vs. temperature curve (K-curve) was directly generated from a set of fracture toughness data at a selected temperature. Charpy V-notch impact energy was also used to obtain the K-curve by a $K_{IC}$ -CVN (Charpy V-notch energy) correlation. Furthermore, this method was applied to evaluate the neutron irradiation embrittlement of reactor pressure vessel (RPV) steel. Most of the fracture toughness data were within the 95% confidence limits. The prediction of a transition temperature shift by statistical analysis was compared with that from the experimental data.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제28권9호
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• pp.52-59
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• 2014

The aims of this paper are to characterize the transient overvoltages(TOVs) and to evaluate the risk occurring at 22.9kV consumer's substation. The measurements of lightning- and switching-caused TOVs were made during Mar. 2013 and Feb. 2014. As a consequence, 47 events of TOVs were recorded and 4 of them were higher than the input voltage envelope(IVE) of the information technology industry council(ITI) curve. The measured TOVs are characterized by longer front times and longer durations compared to the $1.2/50{\mu}s$ standard impulse voltage waveform, and some of them represent bipolar waves with lower oscillation frequencies. It suggests that the test of non-standard impulse voltage waveforms is needed for effective risk assessments of power apparatus. Lightning- and switching-caused TOVs exceeding IVE of ITI curve are induced at the secondary of 22.9kV potential transformer(PT). We may, therefore, conclude that the surge protection devices should be applied at the secondary of PT and the surge absorbers should be installed at the primary of VCB or PT. The results presented in this paper could be useful to design the reasonable insulation coordination for 22.9kV consumer's substation.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제35권3호
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• pp.234-242
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• 2003

The full energy peak efficiency of a hyper pure germanium (HPGe) detector was calibrated in a wide energy range from 0.06 to 11 MeV. Both the experimental technique and the Monte Carlo method were used for the efficiency calibration. The measurement was performed using the standard radioisotopes in the low energy region of $60{\sim}1408$ keV, which was further extended up to 11 MeV by using the $^{14}N(n,r)\;and\;^{35}Cl(n,r)$ reactions. The GEANT Monte Carlo code was used for efficiency calculation. The calculated efficiency had the same dependency on the r-ray energy with the measurement, and the discrepancy between the calculation and the measurement was minimized by fine-tuning of the detector geometry. From the calculated result, the efficiency curve of the HPGe detector was reliably determined particularly in the high energy region above several MeV, where the number of measured efficiency points is relatively small despite the wide energy region. The calculated efficiency agreed with the measurement within about $7\%$. In addition to the efficiency calculation, the origin of the local minimum near 600 keV on the efficiency curve was analyzed as a general characteristics of a HPGe detector.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2003년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.53-53
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• 2003

Plasma polymerized organic thin films were deposited on Si(100) glass and metal substrates using thiophene and ethylcyclohexane precursors by PECVD method. In order to compare electrochemical properties of the as-grown thin films, the effects of the RF plasma power in the range of 30~100 W. AFM showed that the polymer films with smooth surface and sharp interface could be grown under various deposition conditions. Impedance analyzer was utilized for the determination of I-V curve for leakage current density and C-V for dielectric constants, respectively. To obtain C-V curve, we used a MIM structure of metal(Al)-insulator(plasma polymerized thin film)-metal(Pt) structure. Al as the electrode was evaporated on the thiophene films that grew on Pt coated silicon substrates, and the dielectric constants of the as-grown films were then calculated from C- V data measured at 1MHz. From the electrical property measurements such as I-V and C-V characteristics, the minimum dielectric constant and the best leakage current of thiophene thin films were obtained to be about 3.22 and $1{\;}{\times}10^{-11}{\;}A/cm^2$. However, in case of ethylcyclohexane thin films, the minimum dielectric constant and the best leakage current were obtained to be about 3.11 and $5{\;}{\times}10^{-12}{\;}A/cm^2$.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권5호
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• pp.46-51
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• 1989

DC 스트레스에 의해 노쇠화된 짧은 채널 LDD NMOSFET에서 문턱전압과 subthreshold 전류곡선의 변화를 관측하여 hot-carrier 주입에 의한 노쇠화를 연구하였다. 포화영역에서 정의된 문턱전압의 변화 ${Delta}V_{tex}$를 trapped charge에 기인한 변화성분 ${Delta}V_{ot}$와 midgap에서 문턱전압 영역에 생성된 계면상태에 의한 변화성분${Delta}V_{it}$로 분리하였다. 게이트 전압이 드레인 전압보다 큰 positive oxid field ($V_g>V_d$) 조건에서는 전자들이 게이트 산화막으로 주입되어 문턱전압이 증가되었으나 subthreshold swing은 크게 변화하지 않고 subthreshold 전류곡선만 높은 게이트 전압으로 평행 이동하였다. 게이트 전압이 드레인 전압보다 낮은 negative oxide field ($V_g) 조건에서는 hole이 주입되고 포획된 결과를 보였으나 포획된 positive charge수 보다 더 많은 계면상태가 동시에 생성되어 문턱전압과 subth-reshold swing이 증가되었다.