• 열처리공학회지
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• 제21권2호
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• pp.79-86
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• 2008

As a basic research for developing 600 MPa yield strength reinforcing steel bars, the strengthening of 0.25 wt.% carbon steel by vanadium addition was studied. The changes of microstructure and mechanical properties were investigated for the specimen V0 (0.00 wt.% V), V1 (0.03 wt.% V) and V2 (0.06 wt.% V) processed by various heat treatments. To set the heat treatment conditions, the continuous cooling transformation (CCT) curves were drawn for austenitizing temperatures of $900^{\circ}C$ and $1100^{\circ}C$. For specimens tempered at $600^{\circ}C$ after quenching from $900^{\circ}C$ and $1100^{\circ}C$, yield strength was increased by 19 MPa and 21 MPa for 0.01 wt % V addition, and tensile strength was increased by 25 MPa and 28 MPa for 0.01 wt % V addition, respectively. Also, for 0.06 wt.% V added specimens tempered after quenching and normalized, tensile strength was increased by 50 MPa and 30 MPa for increasing austenitizing temperature of $100^{\circ}C$, respectively.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2018년도 추계학술대회
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• pp.325-328
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• 2018

빠른 자율주행 기술의 발전으로 승용차뿐만 아니라 화물차 및 버스의 자율주행 상용화가 가까운 미래로 다가왔다. 세계 각국에서 자율주행 상용화를 위한 연구가 활발하게 진행 중인 가운데, 기술의 발전에 따라 본 논문에서는 더욱 효과적인 버스의 자율주행을 위하여 C-V2X를 기반으로 한 새로운 개념의 군집주행 기술을 적용한 버스를 제안한다. 군집주행 버스를 실현하기 위해서 군집주행의 핵심 통신인 차량 간 통신, 차량 대 인프라 통신에 기존에 사용하던 V2X를 보완한 C-V2X를 활용하여 보다 효율적인 군집주행 버스를 제안한다.

• 전자공학회논문지T
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• 제35T권1호
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• pp.48-58
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• 1998

본 논문은 센서에서 수반되는 기생용량과 온도 드리프트 및 누설전류의 영향을 경감하기 위한 C-V변환회로 및 C-V변환회로에 관한 실험결과를 제시하고, 또한 논문에서 제안한 센싱 주파수를 기준주파수로 나누어줌으로써 상기 영향들을 줄일 수 있는 새로운 인터페이스 회로를 제시한다 이 회로는 용량비의 출력신호를 디지털 방식으로 16진수로 계수 함으로써 신호의 전송이나 컴퓨터 처리가 쉬울 뿐 아니라 비트수의 증가에 따라 분해 능을 향상시킬 수 있는 이점도 있다. 시작한 인터페이스 회로의 C-V 및 C-F 변환회로에서 전원전압 4.0V, 피이드백 커패시턴스10pF, 압력 0∼10 KPa범위에서 감도는 각각 28 ㎷/㎪·V, -6.6 ㎐/㎩로서 양호하였고, 온도 드리프트 특성은 0.051 %F.S./℃ 및 0.078 %F.S./℃로서 크게 개선되었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제51권3호
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• pp.313-318
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• 2013

$V_2O_5-WO_3/TiO_2$ 촉매의 질소산화물 환원반응에 있어서 $V_2O_5$ 함량이 NO 환원 및 $N_2O$ 생성에 미치는 영향을 조사하기 위하여 분말촉매를 사용한 미분반응기에서 실험 연구를 수행하였다. 고정된 비율의 $WO_3$와 $TiO_2$에 $V_2O_5$ 함량을 1에서 8 wt%까지 변화시킨 촉매에서 NO 환원반응과 암모니아 산화반응 특성이 조사되었다. $V_2O_5-WO_3/TiO_2$ 촉매에서 NO 환원 반응은 $200^{\circ}C$ 이하에서도 상당량 진행되지만, $V_2O_5$ 함량을 1 wt% 촉매의 경우 700 ppm의 NO를 99.9%이상 전환시키는 최저 반응온도가 $340^{\circ}C$에서 아주 좁은 활성 온도창으로 일어났다. 그리고 이 활성온도는 촉매의 $V_2O_5$ 함량이 증가됨에 따라 점점 저온 쪽으로 이동하여, 6 wt% 촉매의 경우 $220{\sim}340^{\circ}C$에서 높은 활성을 보였다. $V_2O_5$ 함량이 8 wt% 촉매의 경우 전 온도 구간에서 6 wt% 촉매보다 낮은 NO 환원율을 보였다. 그러나 반응온도 $340^{\circ}C$ 이상에서는 촉매의 $V_2O_5$ 함량이 증가함에 따라 NO 전환율이 감소하였다. 이는 $V_2O_5-WO_3/TiO_2$ 촉매의 NO 환원을 위한 촉매 활성점 상당 크기 이상의 $V_2O_5$ 입자와 관계되는 것으로 판단되며 촉매 입자가 클수록 $320^{\circ}C$ 이상에서 암모니아 산화에 의해 발생되는 $N_2O$ 생성을 고려하여야 한다. $V_2O_5-WO_3/TiO_2$ 촉매는 배기가스 중의 질소산화물 제거를 위하여 현재 통상적으로 $350{\sim}450^{\circ}C$의 영역에서 운전되고 있으나, 고온 영역에선 2차 오염물인 $N_2O$의 발생을 피할 수 없고 에너지 소비량이 많으므로, $250{\sim}320^{\circ}C$의 저온 영역에서 적합한 촉매로써 $V_2O_5$ 함량이 높은 $V_2O_5-WO_3/TiO_2$ 촉매의 사용이 권장되었다.

• 한국주조공학회지
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• 제7권1호
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• pp.53-59
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• 1987

In order to study the infuence of Sb addition on the compacted vermicular graphite cast iron(C/V) and gray cast iron(GC), these specimen which had different Sb content(0-0, 1wt.%) were prepared. these specimen were tested for microstructure and mechanical properties. The result from this study are as follows. For C/V and GC, the microstructure of graphite appeared to be finer with increasing Sb content more than 0.06wt.% Ferrite disappeared from the matrix with addition of Sb more than 0.06wt.% in GC and more than 0.08wt.% in C/V. The size of the eutectic cell in GC was 4.5 to 7 times larger than that in C/V, but the decreasing tendancy of its size was more remarkable in GC than in C/V with increasing Sb content. The abrasion speed corresponding to the maximum amount of abrasion in the nabrasion test was found to be 1.37m/sec. GC sample weared 3.6 to 21 times faster than those of C/V did. the amount of abrasion demeased remarkably with Sb addition, and the abrasion rate was constant with Sb content over 0.04wt.%

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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• pp.644-647
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• 2001

이 연구에서는 P-MOS 커패시터에 Co $u^{60}$-${\gamma}$선을 조사한 후 조사선량 및 산화막 두께에 따른 전하의 거동을 고찰하고자 1[MHz]의 고주파 신호에서 정전용량-전압(C-V) 특성 및 유전손실계수-전압(D-V)특성을 측정하였다. C-V 특성에서 플랫밴드 전압과 문턱전압을 구하여 이들 파라메타와 D-V 특성의 피크와의 관련성을 검토하였다. C-V 특성이 P-MOS 커패시터의 정상상태의 전하의 거동 및 계면 상태특성을 해석하기가 편리하고 D-V 특성은 C-V 특성보다 산화막 내부의 공간전하분포와 계면상태의 밑도 등을 더 명확하게 파악할 수 있으며 산화막내 캐리어의 전도철상에 관한 미시적 전하 거동의 고찰에도 편리함이 확인되었다.

• 대한본초학회지
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• 제25권3호
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• pp.111-116
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• 2010

Objectives : This experimental study was performed to investigate the antibacterial effect of Caesalpinia sappan and Coptis chinensis extract against B. cereus and V. parahaemolyticus. Methods : Methanol extracts of C. sappan and C. chinensis was tested against B. cereus and V. parahaemolyticus by paper disc method. Results : The growth of B. cereus and V. parahaemolyticus was inhibited by C. sappan and C. chinensis extract among 6 kinds of medicinal plant extracts. The extract of C. sappan and C. chinensis extract inhibited the growth of V. parahaemolyticus and B. cereus, respectively. The growth of B. cereus and V. parahaemolyticus had a tendency to increase depend on the concentration of the extract. EtOEt and EtOAc fractions and EtOEt and BuOH fractions of the C. sappan extract had a high antibacterial activity against B. cereus and V. parahaemolyticus, respectively. And, BuOH and $H_2O$ fractions of the C. chinensis extract showed antibacterial activity against B. cereus highly. Conclusions : C. sappan and C. chinensis extract efficiently inhibited the growth of B. cereus and V. parahaemolyticus.

• Journal of the Korean Physical Society
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• 제73권9호
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• pp.1356-1361
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• 2018

Replacing conventional Si diodes with SiC diodes in Si insulated gate bipolar transistor (IGBT) modules is advantageous as it can reduce power losses significantly. Also, the fast switching nature of the SiC diode will allow Si IGBTs to operate at their full high-switching-speed potential, which at present conventional Si diodes cannot do. In this work, the electrical test results for Si-IGBT/4HSiC-Schottky hybrid substrates (hybrid SiC substrates) are presented. These substrates are built for two voltage ratings, 1.7 kV and 3.3 kV. Comparisons of the 1.7 kV and the 3.3 kV Si-IGBT/Si-diode substrates (Si substrates) at room temperature ($20^{\circ}C$, RT) and high temperature ($H125^{\circ}C$, HT) have shown that the switching losses in hybrid SiC substrates are miniscule as compared to those in Si substrates but necessary steps are required to mitigate the ringing observed in the current waveforms. Also, the effect of design variations on the electrical performance of 1.7 kV, 50 A diodes is reported here. These variations are made in the active and termination regions of the device.

• 한국식품과학회지
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• 제26권3호
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• pp.204-212
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• 1994

곶감중 당은 주로 glucose, fructose, mannose였다. 당도 조절을 위하여 가한 sucrose는 즉시 단당류로 분해되었다. Glucose는 $25^{\circ}C$ 발효의 경우 발효 8일째 거의 발효가 완료되었으나 $15^{\circ}C$ 경우 75% 정도 발효되었다. 발효속도는 발효온도에 관계없이 glucose>fructose>mannose 순이었다. 곶감에서 검출된 유기산은 acetic acid, levulinic acid, 4-methylvaleric acid, oxalic acid, N-butyric acid, succinic acid 등이었고 발효온도에 관계없이 발효초기에 감소하다 4일, 6일째 증가후 다시 감소하는 경향이었다. Levulinic acid는 발효가 진행됨에 따라 가장 급격히 감소하였다. Acetic acid와 4-methylvaleric acid는 발효가 진행됨에 따라 증가하였다. 유리 아미노산은 Ala, Gly, Val, Leu, Ile, Met, Ser, Pro, Phe, Asp, Hyp, Glu, Asn, Lys, Gln, Arg, His, Trp, Tyr 등 19가지가 검출되었다. 총 유리아미노산의 함량은 발효온도에 관계없이 발효 2일까지는 감소하다가 다시 증가하여 2주에서 원료용액과 같은 수준이었다. Ethanol함량은 발효 8일째까지는 $25^{\circ}C$우 9.4%(v/v), $15^{\circ}C$ 발효의 경우는 5.3%(v/v)였으나 12주째에는 $25^{\circ}C$ 경우 9.4%(v/v), $15^{\circ}C$ 경우 14.5%(v/v)로 $15^{\circ}C$ 경우가 알코올함량이 높았다. 고급 알코올은 2-methyl-1-propanol, 3-methyl-1-butanol, 2-methyl-1-butanol, 2-methyl-2-propanol 등이 0.001%(v/v)에서 0.06%(v/v) 범위에서 검출되었고 발효기간의 경과에 따라 증가하는 경향이었다.

• 한국재료학회지
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• 제10권2호
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• pp.144-147
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• 2000

10%C-5%Mo-5%W-10%Cr 및 10%C-5%Mo-5%W-10%V 백주철의 응고거동을 열분석을 통하여 연구하였다. 15Kg 용량의 고주파 유도옹해로에 선철, 고철, Fe-Mo, Fe-W, Fe-Cr, Fe-V 등을 장입시켜 용해시킨 후 슬래그를 제거시키고 $1550^{\circ}C$에서 Y블럭의 펩 주형에 주입하였다. 응고거동을 조사하기 위하여 50g을 Y블럭에서 채취한 뒤 알루미나 도가니에 넣어 재용해시킨 후 1$0^{\circ}C$/min의 냉각속도로 냉각시키면서 여섯 종류의 다른 온도에서 도중에 급냉시켜 응고조직을 광학현미경으로 관찰하였다. 10%C-5%Mo-5%W-10%Cr 백주철의 경우 초정 오스테나이트, 오스테나이트와 M(sub)7C(sob)3의 공정, 오스테나이트와 M(sub)6C의 공정으로, 10%C-5%Mo-5%W-10%V 백주철의 경우 초정 MC, 오스테나이트와 MC의 공정, 오스테나이트와 M(sub)2C의 공정으로 각각 순차적으로 정출하였다. 정출하였다.