• Title/Summary/Keyword: V 모델

Search Result 1,402, Processing Time 0.032 seconds

Property analysis of multi layer Organic Light Emitting Diodes using equivalent circuit models (등가 회로 모델을 이용한 다층 유기발광 소자의 특성 분석)

  • Park, Hyung-Jun;Kim, Hyun-Min;Yi, Jun-Sin;Nam, Eun-Kyoung;Jung, Dong-Geun
    • Proceedings of the KIEE Conference
    • /
    • 2006.10a
    • /
    • pp.119-120
    • /
    • 2006
  • The impedance spectroscopy is one of the effective ways to understand the electrical properties of organic light emitting diodes. The frequency-dependant properties of small molecule based OLEDs have been studied. The equivalent circuit of single-layer device is composed of contact resistance ($R_c$), bulk resistance ($R_p$) and bulk capacitance ($C_p$). The equivalent circuit of double layer device is composed of two parallel circuits connected in series, each of which is a parallel resistor and a capacitor. We have fabricated a double layer device indium-rio-oxide (ITO, anode), N,NV -diphenyl- N,NV -bis(3-methylphenyI)-1,1V -diphenyl-4,4V-diamine (TPD, hole-transporting layer), tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3, emitting layer), and aluminum (AI, cathode) and two single layer devices ([TO/ Alq3/ AI, ITO/TPD/AI).

  • PDF

The Crystal and Molecular Structure of BENTAZONE, $C_{10}H_{12}N_2O_3S$ (BENTAZONE, $C_{10}H_{12}N_2O_3S$의 결정 및 분자구조)

  • 박권일;조성일
    • Korean Journal of Crystallography
    • /
    • v.8 no.2
    • /
    • pp.144-148
    • /
    • 1997
  • the molecular and crystal 3-dimensional structure of bentazone, C10H12N2O3S, has been determined from single crystal x-ray diffraction study. Crystal system is monoclinic: a=8.7817(9)Å, b=9.6059(9) Å, c=13.574(9) Å, β=97.269(1)', V=1136.1(6)Å, space group : P21/c, z=4. The molecular structure model was solved by direct method and refined by full matrix least squares. The final reliable factor, R, is 0.045 for 1396 independent reflections(Fo2>4σFo2). A molecule has a staggered conformation with thiocarbazin ring and isopropyl functional group and the molecules by hydrogen bonds are cross stacked along the c-axis.

  • PDF

HSPICE Macro-Model and Midpoint-Reference Generation Circuits for MRAM (MRAM용 HSPICE 마크로 모델과 midpoint reference 발생 회로에 관한 연구)

  • 이승연;이승준;신형순
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
    • /
    • v.41 no.8
    • /
    • pp.105-113
    • /
    • 2004
  • MRAM uses magneto-resistance material as a storage element, which stores cell data as a polarization of spin in a free magnetic layer. This magneto-resistance material has hysteresis, asteroid curve at the thermal variation, and R-V characteristics for switching the data. Therefore, a macro-model which can reproduce these characteristics is required for MRAM simulation. We propose a macro-model of TMR (Tunneling Magneto Resistance) that can reproduce all of these characteristics on HSPICE. Also we propose a novel sensing scheme, which generates reference resistance having the medium value, ( $R_{H}$+ $R_{L}$)/2, for a wide range of applied voltage and present simulation results based on the HSPICE macro-model of MTJ that we have developed.d.d.

The Crystal and Molecular Structure of Fenothiocarb, $C_{13}H_{19}NO_2S$. (Fenothiocarb, $C_{13}H_{19}NO_2S$의 결정 및 분자구조)

  • 박권일;조성일
    • Korean Journal of Crystallography
    • /
    • v.6 no.2
    • /
    • pp.63-68
    • /
    • 1995
  • The crystal structure of fenothiocarb(S-4-phenoxybutyl dimethylthiocarbamate), C13H19NO2S is monoclinic, space group P21/c, a=9.045(1)Å, b=14.577(2)Å, c=10.727(2)Å, β=103.56(1)°, Z=4, V=1375.20(6)Å3, Dc=1.23g/cm3, λ(Mo-Kα)=0.71069Å, μ=2.3cm-1, F(000)=544, temperature : 293±3K, R=0.049 for 1543 unique observed reflections. The structure was determined by direct method and refined by full-matrix least squares method. The molecules are contacted to the c axis with two fold screw and van der Waales force.

  • PDF

통신위성 전력시스템의 기본 설계

  • Choe, Jae-Dong
    • Aerospace Engineering and Technology
    • /
    • v.1 no.1
    • /
    • pp.84-96
    • /
    • 2002
  • The major goal of this research is to use as a baseline guide for a flight model design of power system of next domestic communication satellite. For this purpose, the EPS(Electrical Power Subsystem) is designed to compliance performance requirements specified in EPS subsystem specification during all expected spacecraft operations. The regulated electrical power bus gives 42.5V to the various spacecraft loads from PCDU(Power Control & Distribution Unit) and the solar arrays are composed of 6 panel, each panel has 3 circuits including 7 string. The battery system is comprised of two batteries consisting of 26 IPV(Individual-Pressure-Vessel) NiH2 cells. Each battery can be capable of delivering 2878Watt-hours at a 80% maximum DOD(Depth of Discharge) based on the nameplate capacity of 150 amper-hours.

  • PDF

Statistical Analysis of VHF Channel Over the Sea Surface for Various Ranges (거리에 따른 해상 초단파 채널의 통계적 특성 분석)

  • Kim, Sea-Moon;Byun, Seong-Hoon;Kim, Seung-Geun;Yun, Chang-Ho;Lim, Yong-Kon
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
    • /
    • v.36 no.8B
    • /
    • pp.1021-1027
    • /
    • 2011
  • VHF is generally used for data or voice communications between ships and land stations. Although there exist many analytical and empirical channel models for radio waves on land, over-the-sea models are very limited to basic description. In this paper, a VHF channel is measured using vertical and/or horizontal whip antennas on shore and a moving ship for various ranges. The results show that the Doppler shift and changes in power for various ranges are observed. We can also find that the statistical analysis results in that the statistical parameters are rapidly changes, especially for V/H and H/V channels.

2 GHz Down Conversion MMIC Mixer using SiGe HBT Foundry (SiGe HBT 공정을 이용한 2 GHz Down Conversion MMIC Mixer 개발)

  • S.-M. Heo;J.-H. Joo;S.-Y. Ryu;J.-S. Choi;Y.-H. Nho;B.-S. Kim
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
    • /
    • v.13 no.8
    • /
    • pp.764-768
    • /
    • 2002
  • In this paper, a double balanced gilbert cell MMIC mixer was realized in Tachyonics SiGe HBT technology. The fabricated mixer has 17 dB conversion gain, 9.8 dB noise figure, -4.2 dBm output 1 dB compression point, -27 dBc RF to IF isolation, and the good input, output matching characteristics. It draws 10 mA from a 3 V supply. The simulation and the measured results are closer to each other, which confirms accuracy of the model library and reliability of the process.

Design of Electronic Ballast for HID Lamps (HID 램프용 전자식 안정기의 설계)

  • 이치환
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
    • /
    • v.13 no.4
    • /
    • pp.14-20
    • /
    • 1999
  • This paper presents a design techniques for an electronic ballast of HID lamps. An electronic ballast for HID lamps usually employs a high-frequeocy resonant inverter and voltage-to-frequency converter to control the outpIt and a half-bridge and series resonant circuit are chosen for the ballast First, to design PI controller, the inverter with V/F converter is modeled with a transfer function and the controller PI gains are determined. This paper shows that an integral controller is only needed to control the current. Second, a se1f-feedback controller is proposed. This structure, simple and robust, is analyzed and a feedback gain is determined by using the inverter model. Experirrental system is built with a commercial 250W high pressure sodium lamp and the results show a validity of the proposed ballast and the total efficiency is increased by 5%.

  • PDF

콜로이드 ZnO 양자점을 포함한 Polymethyl methacrylate층을 저장 영역으로 사용한 유기 쌍안정성 소자의 기억 메커니즘

  • Sim, Jae-Ho;Son, Dong-Ik;Jeong, Jae-Hun;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2010.02a
    • /
    • pp.185-185
    • /
    • 2010
  • 유기물과 무기물이 혼합된 나노 복합재료는 저전력 동작을 요구하는 휘어짐이 가능한 차세대 전자소자 응용에 대단히 유용한 소재이다. 간단하고 저렴한 제조 공정과 휘어짐이 가능한 유기물과 무기물이 혼합된 나노 복합재료를 사용한 비휘발성 메모리 소자의 제작과 전기적 특성은 연구되었다. 최근에 간단한 방법으로 고집적화된 휘어짐이 가능한 유기 쌍안정성 소자의 제작에 대한 연구가 진행되고 있다. 그러나 유기 쌍안정 소자의 기억 메커니즘에 대한 연구는 비교적 적게 연구되었다. 유기 쌍안정성 소자의 기억 메커니즘에 대한 연구는 효율과 신뢰성을 증진하기 위하여 대단히 중요하다. 본 연구에서는 polymethyl methacrylate (PMMA) 층에 콜로이드 ZnO 양자점을 혼합하여 제작한 유기 쌍안정성 소자의 전기적 성질과 기억 메커니즘에 대한 것을 연구하였다. 본 연구에 사용된 콜로이드 ZnO 양자점은 dimethylformamide를 사용한 환원법을 이용하여 제작하였다. 소자를 제작하기 위하여 PMMA에 대한 콜로이드 ZnO 양자점의 조성비가 1.5 wt% 가 되도록 dimethylformamide에 녹여 혼합한 용액을 하부 전극인 ITO가 증착된 유리기판위에 스핀코팅 방법을 이용하여 박막을 형성하였다. 콜로이드 ZnO 양자점을 포함한 PMMA 박막위에 상부전극으로 Al을 증착하였다. 복합 소재에 대한 투과 전자 현미경 상은 콜로이드 ZnO 양자점이 PMMA 층 안에 형성되어 있음을 보여주었다. 측정된 전류-전압(I-V) 특성은 쌍안정성 특성을 나타내었으며 이 결과는 콜로이드 ZnO 양자점에서 전하 포획, 저장과 방출 과정에 의한 것이다. 콜로이드 ZnO 양자점을 포함한 PMMA 박막을 저장 영역으로 사용한 유기 쌍안정성 소자의 I-V 측정결과를 바탕으로 전하 수송 모델과 전자적 구조를 사용하여 기억 메커니즘을 논하였다.

  • PDF

실시간 비저항 측정을 통한 N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 결정화에 대한 연구

  • Lee, Do-Gyu;Do, Gi-Hun;Son, Hyeon-Cheol;Go, Dae-Hong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2010.02a
    • /
    • pp.136-136
    • /
    • 2010
  • $Ge_2Sb_2Te_5$ (GST)는 광학 스토리지 및 PRAM(Phase-change Random Access Memory)에 적용 가능한 대표적인 상변화 물질이며 상변화 거동에 대한 다양한 연구가 진행되고 있다. 차세대 비휘발성 메모리로 각광을 받고 있는 PRAM의 경우 저전력 그러나 향후 고집적, 고성능 PRAM 소자구현을 위해서는 Reset 전류 감소를 통한 소비 전력 감소, 인접 셀간의 'cross talking'을 방지할 수 있는 열적 안정성 개선 등의 문제점들을 해결해야 한다. GST 물질의 전기적, 열적 특성을 조절하여 이러한 문제를 해결하기 위하여 GST 물질에 이종의 원소를 첨가하는 연구가 활발히 진행되고 있으며, 특히 질소 첨가에 의해 결정 성장 억제를 통한 결정화 온도 증가, 결정질의 저항 증가 등의 보고가 있었다. 본 연구에서는 질소를 첨가한 N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ (NGST) 박막의 상변화 거동을 규명하고 GST 박막과 비교하여 첨가된 질소의 영향을 분석하고자 한다. D.C Magnetron sputtering 방법으로 증착된 GST와 NGST 박막을 등온으로 유지하여 각 온도별로 열처리 시간 증가에 따른 비저항을 실시간으로 측정하여 GST와 NGST 박막의 상분율을 계산하고 Kissinger 모델을 이용하여 effective activation energy ($E_a$)를 구하였다. GST와 NGST 박막의 $E_a$는 각각 $2.08\;{\pm}\;0.11\;eV$$2.66\;{\pm}\;0.12\;eV$로 계산되었다. 따라서 첨가된 질소에 의해 NGST 박막의 결정화를 위하여 GST 박막의 경우보다 더 큰 활성화 에너지가 필요하다.

  • PDF