본 논문에서는 $UHF(860{\sim}960MHz)$ 대역 RFTD 태그(tag) 칩을 위한 저전력 고성능 아날로그 회로를 설계하였다. 설계된 아날로그 front-end 블록은 국제표준인 ISO/IEC 18000-6C(EPCglobal class1 generation2) 표준규격을 따르며, 성능테스트를 위한 메모리 블록을 포함하고 있다. 모든 회로를 1V에서 동작하도록 하여 세부 회로들의 전력소모를 최소화하였으며, 보다 정확한 복조를 위해 전류모드 슈미트 트리거를 포함한 ASK 복조기를 제안하였다. 제안된 복조기는 0.014% 복조오차를 갖는다. 설계된 회로를 0.18um CMOS 공정 변수를 이용하여 모의실험 한 결과 최소 $0.2V_{peak}$ 입력으로 동작 가능하며, 1V 전원전압에서 $2.63{\mu}A$의 전류소모를 갖는다. 칩 면적은 $0.12mm^2$이다.
UHF 대역과 13.56MHz를 동시에 지원하는 단일 패키지의 Multi band RFID 리더를 설계하고 SIP (System in Package)로 구현하였다. 제안된 리더 시스템은 UHF 대역에서 많이 사용되는 EPC Class1 Gen.2 표준과 HF대역인 13.56MHz에서 사용하는 ISO14443 A/B, ISO15693 프로토콜을 지원하고, RISC 코어에 탑재된 내장형 S/W에 의하여 동작 모드를 선택하도록 설계되었다. 제작된 시스템은 $40mm{\times}40mm$, 4 layer의 SiP 위에 구성되어 있으며 3.3V의 단일 공급전압으로 최대 210mA의 전류소모를 통해 13.56MHz의 경우 최대 5cm, UHF 대역의 경우 최대 20cm 인식거리를 실현하였다.
Analysis of the electromagnetic environment on topside of a ship is needed for optimal arrangement of all kinds of antennas to be installed on the shipboard in order to minimize the probability of EMI of equipment and subsystems in real ship after construction phase. In this paper we analyze the characteristics of electric-fields such as radiation patterns and near E-fields of V/UHF antennas installed on a shipboard. We compare simulated results with measurements on the real ship for near E-fields to verify the reliability of the computed electromagnetic environment. Although there are various factors causing errors such as cable loss and impedance mismatching etc. when measuring near E-field, both data show similar trends in the range of the acceptable tolerance.
A compact broadband active composite dipole antenna for direction finding system at the V/UHF-band is presented. It uses the composite structure which improves the antenna gain and the active circuit for broadband operation. This type of antenna has a high gain more than that of one dipole antenna within limited length(1m). The basic design and performance of both antenna structure and integrated active circuit are presented.
본 논문에서는 UHF RFID 태그 칩용 512bit EEPROM의 저면적 설계 기술과 고신뢰성 기술을 제안하였다. 저면적회로는 디코딩 로직(decoding logic)을 단순화한 WL 구동 회로, BGR 회로 대신 저항 분배기(resistor divider)를 이용한 VREF 발생회로이다. Magnachip $0.18{\mu}m$ EEPROM 공정을 이용하여 설계된 512bit EEPROM IP의 레이아웃 크기는 $59.465{\mu}m{\times}366.76{\mu}m$으로 기존 회로를 사용한 EEPROM 대비 16.7% 줄였다. 그리고 쓰기 모드(write mode)를 빠져나올 때 DC-DC 변환기(converter)에서 출력되는 부스팅된 출력전압을 VDDP(=3.15V)로 방전시키는 대신, 공통접지(common ground)인 VSS로 방전시키는 방식을 제안하여 VDDP 전압을 일정하게 유지함으로써 5V 소자가 파괴되는 문제를 해결하였다.
본 논문에서는 유효한 DC 전압을 얻기 위해 요구되는 최소입력전압이 충분히 낮으면서도 소비전력이 기존의 정류기 보다 낮은 새로운 NMOS 전류미러형 브리지 정류기를 제안하였다. 설계된 정류기는 13.56 MHz의 HF (for ISO 18000-3)부터 915 MHz의 UHF (for ISO 18000-6) 및 2.45 GHz의 마이크로파 대역 (for ISO 18000-4)까지의 전 주파수 범위에 대해 RFID Transponder에 내장된 마이크로 칩을 구동하기에 충분히 높고 잘 정류된 직류전압을 공급할 수 있다. 제안된 NMOS 정류기의 출력특성은 고주파 등가회로를 이용하여 해석하였으며, 동작 주파수 종가에 따른 게이트 누설전류를 효과적으로 감소시킬 수 있는 회로적 방법을 이론적으로 제시하였다. 이러한 방법을 사용하여 설계된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 3V 피크-투-피크 입력전압과 $45\;K{\Omega}$ 부하저항에서 $100\;{\mu}W$의 소비전력 특성과 2.13V의 DC 출력전압이 구해졌다. 제안된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 기존의 정류기에 비해 UHF 및 마이크로파 대역에서도 안정적으로 동작하며, 보다 우수한 특성들을 보였다.
UHF method is very effective to diagnosis for partial discharge of GIS. In generally, inner UHF sensor can be attached on sheath cover of GIS under construction for periodic inspection. However, there is no inner UHF sensor for GIS of the domestic substation. We used the outer UHF sensor attached on spacer for GIS of existing substation. In this paper, we report the diagnosis result of partial discharge on 800kV GIS in domestic substation. From these results, we can find the quantity, reason and location of PD and certificate the performance of UHF method for partial discharge diagnosis of GIS.
Ultra high frequency (UHF) signals caused by the bouncing motion of aluminium particles in the 352 kV gas-insulated switchgear (GIS) test chamber were measured in order to investigate the signal pattern against the applied voltage phase and ultra sonic signals.
The Ultra-High Frequency(UHF) method for detecting a partial discharge in Gas-Insulated Substation(GIS) has some advantages compared to a conventional method(IEC 270) but there is a shortage in view of a quantitative analysis. Therefore, this paper describes the implementation of a calibrator and the calibration process based on it. And its characteristics are confirmed through the experiment using the 362kV GIS chamber.
본 논문에서는 UHF 대역 수동 RFID 태그(UHF-band passive RFID tag) 칩 제작에 필수적인 요소인 쇼트키(Schottky) 다이오드를 CMOS 공정으로 제작하고 크기에 따른 특성을 분석하였으며 이를 이용하여 전압체배기를 설계하였다. 쇼트키 다이오드는 Titanium-Silicon 접합을 이용하여 제작되었으며, $4{\times}10{\times}10\;{\mu}m^{2}$의 면적을 가지는 쇼트키 다이오드는 $20\;{\mu}A$의 전류 구동에 대해 약 0.15 V의 순방향 전압 강하의 우수한 특성을 나타내었다. 역방향 파괴전압(breakdown)은 약 -9 V로 수동 RFID 태그칩의 전압체배기에 사용될 수 있는 충분한 값을 나타내었다. 제작된 쇼트키 다이오드의 소신호 등가모델을 이용하여 다이오드의 크기에 따른 순방향 전압강하와 입력 임피던스간의 trade-off에 대해 분석하였다. 이를 이용하여 제작된 6-단 전압체배기는 900 MHz 주파수, 200mV 최대 입력 전압에 대해 1.3 V이상의 출력 전압 특성을 나타내어 인식거리가 비교적 큰 수동형 태그에 적합한 특성을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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