• 한국컴퓨터산업학회논문지
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• 제5권2호
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• pp.261-268
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• 2004

본 연구는 다기능의 광 네트워크에 있어서 256 위상 Opto-ULSI 프로세서를 구현하는 최적위상 디자인을 제안한다. 이미 구성된 8 위상 프로세서에 대한 디자인의 실험 특성을 바탕으로 하여 본 연구에서 액정의 비선형성을 보정하며 최적의 위상을 찾아 대용량의 Opto-ULSI 프로세서를 구현할 수 있다. 이 연구는 최적의 위상 특성을 조사하고 액정의 비선형성 보정방법에 대한 개발을 통해 초기의 8 위상 Opto-ULSI 프로세서 개발을 중심으로 통합된 지능형 포토닉스 시스템 (IIPS)을 위한 광선제어 Opto-ULSI (BS) 프로세서 (OUP) 구현을 목표로 한다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제3권3호
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• pp.158-164
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• 2008

본 논문은 다중기능 광 네트워크에 있어서 256위상 광 ULSI 프로세서를 구현하기 위한 최적위상 도출에 관해 연구한다. 이미 구성된 8위상 프로세서를 실험 및 평가를 위한 기반으로 사용한다. 이 연구에서는 액정의 비선형성을 상쇄시킬 수 있는 최적의 위상을 찾아내어 보다 큰 규모의 광 ULSI 프로세서 구현이 가능하게 한다. 이는 집적화된 지능형 광자유도 시스템(IIPS)에 사용되는 빔 조종 8위상 광 ULSI 프로세서에 기초하여 구현 된다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1996년도 재료학회 춘계학술발표회
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• pp.10-10
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• 1996

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 한국전기화학회 1999년도 제3회 총회 및 추계학술발표회
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• pp.44-44
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• 1999

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 한국전기화학회 1999년도 제3회 총회 및 추계학술발표회
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• pp.43-43
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• 1999

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1994년도 제6회 학술발표회 논문개요집
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• pp.11-12
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• 1994

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2000년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.102-102
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• 2000

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권8호
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• pp.78-85
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• 1995

We fabricated the Pb$_{1-0.28{\alpha}}La_{0.28}TiO_{3}$ (PLT(28)) thin film successfully by using the sol-gel method and characterized it to evaluate its potential for being utilized as the capacitor dielectrics of ULSI DRAMs. In our sol-gel process, the acetates were used as the starting materials. Through the TGA-DTA analysis, we established the excellent fabrication conditions of the sol-gel method for the PLT(28) thin film. We obtained the dense and crack-free PLT(28) thin film of 100% perovskite phase by drying at 350$^{\circ}C$ after each coating and final annealing at 650$^{\circ}C$. Its electrical properties were measured from the planar capacitors fabricated on the Pt/Ti/SiO$_{2}$/Si substrate. By the P-E hysteresis measurement, its paraelectric phase was identified and its dielectric constant and leakage current density were measured as 936 and 1.1${\mu}A/cm^{2}$, respectively. Those electrical values indicate that the PLT(28) thin film is the most successful candidate for the capacitor dielectrics of ULSI DRAMs at the present.

• 한국진공학회지
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• 제4권S1호
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• pp.145-150
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• 1995

PZT thin films were fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrates at $500^{\circ}C$ by ECR-PECVD for the application to the charge storage capacitor of ULSI DRAMs. Perovskite single phase PZT films were obtained by controling the film compositional ratio Pb/(Zr+Ti) close to 1. The anion concentrations in the PZT films were successfully controlled by adjusting the flow rates of each MO sources. Capacitance of a typical 94 nm thick PZT film prepared at $500^{\circ}C$ in this work was about 5.3 uF/$\textrm{cm}^2$, which corresponds to the equivalent SiO2 thickness of 0.65nm.

• 전자공학회지
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• 제19권5호
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• pp.101-107
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• 1992