• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.388-388
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• 2013

현대 사회에서 고집적 및 고성능의 전자소자의 필요성은 지속적으로 요구되고 있으며, 투명하거나 플렉서블한 특성의 필요성에 따라 이에 대한 기술개발이 이루어지고 있다. 특히, 이러한 특성을 만족하면서 대면적화 및 저온 공정의 특성을 지니는 유기물 반도체가 주목받고 있고, 이를 이용하여 OLED (Organic Light Emitting Diode), OTFT (Organic Thin Film Transistor)와 같은 다양한 유기물 반도체 소자가 개발되고 있다. 대표적인 예로는이 있다. 유기물 반도체 소자의 특성을 이용한 메모리 소자 또한 연구 및 개발이 지속되고 있으며, 유연성과 낮은 공정가격 등의 특성을 가지는 나노 입자들이 기존 Floating Gate의 대체물로 각광받고 있다. 본 논문에서는 MIS (Metal/Insulator/Semiconductor) 구조를 제작하고, Insulator 내부에Core/Shell 구조를 가지는 CdSe/ZnS 나노 입자를 부착하여 메모리 소자의 특성 확인 및 단위 면적당 개수에 따른 특성 변화를 확인하고자 하였다. 합성된 PVP (Poly 4-Vinyl Phenol)를 Insulator 층으로 사용하였으며 단위 면적당 나노 입자의 개수를 조절하여 제작된 MIS 소자를 Capacitance versus Voltage (C-V) 측정을 통하여 변화특성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2002.04a
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• pp.631-634
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• 2002

In this paper we improved that hump occurrence by increased oxidation thickness, and control field oxide recess$(\leq20nm)$, wet oxidation etch time(19HF, 30sec), STI nitride wet cleaning time(99 HF, 60sec + P 90min) and gate pre-oxidation cleaning time(U10min+19HF, 60sec) to prevent hump occurring at STI channel edge.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.22.1-22.1
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• 2009

차세대 CMOS 공정에서 유전상수가 높은 게이트 절연막과 함께 게이트 전극이 관심을 끌고 있다. 게이트 전극은 전도도가 높아야 하고 p-MOS, n-MOS에 맞는 일함수를 가져야 하며 열적 특성이 안정해야 한다. 탄탈룸 계열 탄화물이나 질화물은 게이트 전극으로 관심을 끌고 있는 물질이며 이를 원자층 화학증착법으로 박막화 하는 공정이 관심을 끌고 있다. 원자층 화학공정에서는 전구체의 역할이 중요하며 이의 기상반응 메카니즘, 표면 반응 메카니즘을 제대로 이해해야 한다. 본 연구에서는 TBTDET (tert-butylimido tris-diethylamido tantalum) 전구체의 반응 메커니즘을 FTIR(Fourier Transform Infrared)을 이용해 진단하였다. 또한 수소, 암모니아, 메탄을 이용한 열화학 원자층 증착, 플라즈마 원자층 증착 공정을 수행하여 박막을 얻고 이들의 특성을 평가하였다. 각 공정에 따라 반응 메커니즘이 달라지고 박막의 조성이 달라지며 또한 박막의 물성도 달라진다. 특히 박막에 형성되는 TaC, TaN, Ta3N5, Ta2O5 (증착 후 산소의 유입에 의해 형성됨) 등의 조성이 공정에 따라 달라지며 박막의 물성도 달라진다. 반응메카니즘의 연구를 통해 각 공정에서 어떠한 조성의 박막이 얻어지는 지를 규명하였고 박막의 밀도에 따라 산소유입량이 어떻게 달라지는 지를 규명하였다.

• Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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• v.28 no.8
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• pp.406-413
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• 2001

본 논문은 CMOS 디지털 회로에서 글리치(glitch)에 의해 발생하는 전력소모를 줄이기 위한 효율적인 휴리스틱 알고리즘을 제시한다. 제안된 알고리즘은 사이징되는 게이트의 위치와 양에 따라 게이트 사이징을 세 가지 type으로 분류한다. 또한 버퍼삽입은 삽입되는 버퍼의 위치에 따라서 두 가지 type으로 분류한다. 글리치 제거 효과를 극대화하기 위해서 비용과 이득의 상관관계를 고려하여 하나의 최적화 과정 안에서 세 가지 type의 게이트 사이징과 두 가지 type의 버퍼삽입을 혼합한다. 제안된 알고리즘은 0.5$\mu\textrm{m}$ 표준 셀 라이브러리(standard cell library)를 이용한 LGSynth91 벤치마크 회로에 대한 테스트 결과 효율성을 검증하였다. 실험결과는 평균적으로 69.98%의 글리치 감소와 28.69%의 전력감소를 얻을 수 있었으며 이것은 독립적으로 적용된 게이트 사이징과 버퍼 삽입 알고리즘에 의한 것 보다 좋은 결과이다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.277-279
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• 2016

Nanowire-FET은 Gate-All-Around (GAA) 구조로 차세대 반도체 소자 구조로 여겨지고 있다. Nanowire-FET은 채널 두께에 따라 $I_D-V_G$ curve에 매우 중요한 영향을 끼친다. 따라서 본 논문은, Edison 시뮬레이션을 이용하여 Nanowire-FET의 Silicon Thickness에 따른 여러 특성을 비교하여 최적 Silicon Thickness에 대해 연구하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.73-73
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• 2008

LCD, OLED 등의 평판디스플레이와 RFID tag, smart card 등의 구동 소자 등 넓은 산업 분야에 적용하기 위하여 PVP 유기물과 병합된 ZnO 산화물을 이용하여 차세대 박막트랜지스터의 제작 공정과 전기적 특성을 조사하였다. 또한 제작된 박막트랜지스터의 전기적 특성을 향상시키기 위하여 유, 무기 박막의 특성을 분석하고, $O_2$ plasma 처리를 통하여 유-무기 박막간 계면 접합력 및 계면 효과의 변화특성이 OITFT 특성에 미치는 영향을 조사하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.11a
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• pp.79-80
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• 2007

A high performance organic phototransistor with dynamic range of 120 dB is demonstrated by employing soluble pentacene as a photo-sensing layer. The organic phototransistor used suspended source/drain (SSD) electrode structure, which provides a dark current level of ${\sim}10^{-14}$ A at positive gate bias. Under a steady-state illumination, the organic phototransistor exhibited a current modulation of $10^6$ compared to dark to give a dynamic range of 120 dB. These results suggest that the organic phototransistor based on TIPS pentacene can be a new premising candidate for low-cost and high-performance photo-sensing element for digital imaging applications.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2005.10a
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• pp.661-665
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• 2005

The muffler reducing the exhaust noise and vibration from the engine influence on the engine performance. Recently the semi-active muffler was developed and adopted to the actual use in consideration of the cost and technical side for noise and vibration. This study is about the recently developed semi-active muffler. This paper attempt to analyze the dynamic stress field on the gate plate by using the finite element methods. According to the analysis of the Exhaust Variable Valve, its spring has the most influence on its operation compare with effects of other components. The design parameters of the Exhaust Variable Valve such as the spring displacement, diameter, coil number, free angle and so forth were used.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2016.10a
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• pp.649-651
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• 2016

본 연구에서는 디지털 신호에 포함되어 있는 잡음을 효과적으로 제거하기 위한 방법으로 프로그램 가능한 디지털 FIR 필터를 제안한다. 이러한 필터는 Altera의 FPGA(Field Programmable Gate Array)인 cyclone II EP2C70F89618를 이용하여 설계하고 구현하였다. 데이터 신호 잡음 제거 알고리즘을 바탕으로 한 영상 신호 제거 결과는 출력 영상으로부터 알 수 있듯이 필터 적용 후 출력 영상은 적용 전의 출력 영상에 비해 월등히 구분이 가능한 출력 영상 특성을 보임을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2019.05a
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• pp.469-471
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• 2019

본 논문은 신호에 포함되어 있는 다양한 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 프로그램 가능한 디지털 유한 임펄스 응답 필터를 제안한다. 이러한 필터는 복잡도 등을 고려하여 3차 회로로 설계되어 있다. Altera사의 FPGA(Field Programmable Gate Array)인 cyclone II EP2C70F89618를 이용하여 설계하였다. 신호에 포함된 미세하고 다양한 잡음을 제거하기 위한 알고리즘을 개발하였다. 이를 바탕으로 필터 적용 후 출력 영상은 적용 전의 출력 영상에 비해 다양한 잡음에 대해 우수한 출력 영상을 확인하였다.