• 제목/요약/키워드: Tunneling mechanism

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IPv6 멀티호밍 환경에서 확장 헤더를 이용한 경로 최적화 메커니즘 (A Route Optimization Mechanism using an Extension Header in the IPv6 Multihoming Environment)

  • 허지영;이재훈
    • 한국정보과학회논문지:정보통신
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    • 제34권1호
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    • pp.33-40
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    • 2007
  • 멀티호밍은 하나의 기업 혹은 자율 시스템(AS, Autonomous System)이 둘 이상의 인터넷 서비스 제공업체(ISP, Internet Service Provider)로부터 인터넷 연결 서비스를 제공받는 메커니즘이다. 멀티호밍 메커니즘을 사용하는 AS는 망 내의 호스트들에게 여러 ISP를 통하여 좋은 성능과 신뢰성을 가지는 인터넷 연결을 제공할 수 있다. IPv6 멀티호밍에서는 멀티호밍 사이트가 하나의 ISP하의 연결에 문제가 발생하였을 경우 멀티호밍 사이트로 전송되어야 하는 패킷을 손실 없이 목적지로 전달할 수 있도록 하기 위하여 Non-direct EBGP(Exterior Border Gateway Protocol)를 통한 터널링 메커니즘이 정의되었다. 그러나 이 메커니즘의 경우 신뢰성 있는 인터넷 연결은 제공하지만 통신 경로가 최적화되지 못하는 문제점을 가진다. 본 논문에서는 IPv6 멀티호밍 환경에서 IPv6 확장 헤더를 사용함으로써 멀티호밍 사이트가 하나의 ISP와의 연결에 문제가 발생하였을 경우에 최적화된 경로를 통하여 신뢰성 있는 인터넷 연결을 제공할 수 있는 메커니즘을 제안한다.

점성토 지반에서의 실드 터널 시공에 따른 지표침하 예측 기법 (A Prediction Method for Ground Surface Settlement During Shield Tunneling in Cohesive Soils)

  • 유충식;이호
    • 한국지반공학회지:지반
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    • 제13권6호
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    • pp.107-122
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    • 1997
  • 본 논문에서는 점성토 지반에서의 실드 터널 시공에 따른 지표 침하 예측 기법을 제시하였다. 예측 기법을 개발하기 위해 실드 터널의 시공과정을 모사할 수 있는 3차원 유한요소해석기법을 이용하여 매개변수 변환 연구를 수행하였으며, 해석 결과를 이용하여 지반 거동메카니즘을 고찰하고 지반 거동과 영향 요소와의 관계를 나타내는 데이터 베이스를 구축 하였다. 구축된 데이터 베이스에 대한 다중 회귀분석을 통해 막장 상부에서의 지표 침하비와 변곡점의 위치를 결정하는 반경험식을 개발하고 이를 기존의 정규확률분포함수와 접목시켜 횡단면 및 종단면 지표 침하 형상을 예측하는 기법을 제안하였다. 제안된 예측 기법은 유효요소 해석 결과 및 현장 계측 자료와의 비교를 통해 그 타당성이 입증되었으며, 따라서 제시된 예측 기법은 본 연구에서 고려한 경계조건과 유사한 조건에서 효율적으로 적용될 수 있을 것으로 판단된다.

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가변 극성 알루미늄 아크 용접의 이론적 배경 고찰 (Theoretical background discussion on variable polarity arc welding of aluminum)

  • 조정호;이중재;배승환;이용기;박경배;김용준;이준경
    • Journal of Welding and Joining
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    • 제33권2호
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    • pp.14-17
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    • 2015
  • Cleaning effect is well known mechanism of oxide layer removal in DCEP polarity. It is also known that DCEN has higher heat input efficiency than DCEP in GTAW process. Based on these two renowned arc theories, conventional variable polarity arc for aluminum welding was set up to have minimum DCEP and maximum DCEN duty ratio to achieve the highest heat input efficiency and weldability increase. However, recent several variable polarity GTA research papers reported unexpected result of proportional relationship between DCEP duty ratio and heat input. The authors also observed the same result then suggested combination of tunneling effect and random walk of cathode spot to fill up the gap between experiment and conventional arc theory. In this research, suggested combinational work of tunneling effect and rapid cathode spot changing is applied to another unexpected phenomena of variable polarity aluminum arc welding. From previous research, it is reported that wider oxide removal range, narrower bead width and shallower penetration depth are observed in thin oxide layered aluminum compared to the case of thick oxide. This result was reported for the first time and it was hard to explain the reason at that time therefore the inference by the authors was hardly acceptable. However, the suggested combinational theory successfully explains the result of the previous report in logical way.

Search for the preformed-pair state in the pseudogap regime above T$_c$ using c-axis tunneling in Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+d}$ single crystals

  • Chang, Hyun-Sik;Lee, Hu-Jong;Oda, MigaKu;Jang, Eue-Soon;Ido, Masayuki;Choy, Jin-Ho
    • 한국초전도학회:학술대회논문집
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    • 한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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    • pp.85-85
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    • 2000
  • The normal state of high-Tc superconducting materials has been believed to contain important clues to finding the correct mechanism of the high-Tc superconductivity. One example is the existence of pseudogap in the normal state even above Tc, as observed in various measurements such as photoemission spectroscopy and tunneling conductance. In this pseudogap regime the existence of preformed pairs only with local phase coherence has been debated. Recently Choi, Bang, and Campbell[1] have proposed the occurrence of the zero-bias conductance enhancement due to Andreev quasiparticle reflection from the preformed pairs even with the local phase coherence. In this study we examine the zero-bias enhancement of the differential conductance near or slightly above Tc, using c-axis tunneling in mesa structure of Bi2Sr20a0u208+d single crystals. In slightly overdoped samples zero-bias conductance enhancement (ZBCE) has been observed over a range of 2 K above Tc. In contrast, in underdoped samples with Tc${\sim}$72K the ZBCE appears over a range of 5-6 K above Tc, a much wider temperature range than in overdoped samples. This result may pose as positive signs of the existence of prefurmed pairs in the normal state of high- Tc superconducting materials.

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호스트의 이동 정보에 근거한 모바일 멀티캐스팅 기법 (A Mobile Multicasting Mechanism Based on Mobility Information of Mobile Hosts)

  • 백덕화;김재수
    • 한국멀티미디어학회논문지
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    • 제8권2호
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    • pp.258-268
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    • 2005
  • 이동 컴퓨팅 환경에서 이동 중인 호스트에게 멀티캐스트 서비스를 효율적으로 제공하는 것은 쉬운 일이 아니다. 양방향 터널링 기법은 캡슐화와 삼각 라우팅의 오버헤드를 야기하는 반면, 원격 가입 기법은 빈번한 트리 재구성을 필요로 하는데 이는 고속으로 이동하는 호스트에게는 비효율적이다. 본 논문에서는 호스트의 이동 정보에 근거하여 원격 가입 기법과 양방향 터널링 기법 사이의 장점을 찾고자 하는 이동 정보에 근거한 모바일 멀티캐스팅(MBMOM) 기법을 제안한다. 만약 호스트의 이동 속도가 고속이라고 판단되면 양방향 터널링 기법을 사용하여 홈 에이전트가 멀티 캐스트 패킷을 전달하게 된다. 만약 호스트의 이동 속도가 저속이라고 판단되면 원격 가입 기법이 적용되며 외래에이전트는 멀티 캐스트 그룹에 가입을 시도한다. 본 논문에서 제안하는 기법의 성능을 분석하기 위하여 분석 모델을 개발하였으며, MOM(Mobile Multicast)과 RBMOM (Range Based MOM), TBMOM(Timer Based MOM) 기법과 비교하여 시뮬레이션을 실시하였다. 시뮬레이션의 결과는 본 논문의 기법이 호스트의 이동 속도와 멀티캐스트 그룹의 크기 측면에서 위의 세 기법들보다 전달시간이 적게 걸리는 것을 보여주고 있다.

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터널링 기반 IPv4/IPv6 전이 기법을 위한 패킷 필터링 기능 개선 (An Improvement of Packet Filtering Functions for Tunneling Based IPv4/IPv6 Transition Mechanisms)

  • 이완직;허석렬;이원열;신범주
    • 정보보호학회논문지
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    • 제17권6호
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    • pp.77-87
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    • 2007
  • IPv6가 현재의 IPv4 프로토콜을 완전히 대치하기 위해서는 상당한 시일이 소요될 것으로 예상된다. 이 기간 동안 인터넷은 두 개의 IP 프로토콜이 함께 사용될 것이다. 이 두 프로토콜의 공존을 위해 IETF에서는 여러 가지 IPv4/IPv6 전이기법을 표준화하였다. 하지만 전이 기법에 주로 사용되는 터널링 때문에, IPsec 적용과 IPv6 패킷 필터링에 관한 보안 문제가 발생할 수 있다. 본 논문에서는 이러한 보안 문제 해결을 위해, 내부 헤더 필터링과 전이 기법 전용 필터링의 두 가지 패킷 필터링 개선 기법을 제안하였다. 또한 제안한 기법을 리눅스 넷필터(Netfilter) 프레임워크에서 구현하였으며, IPv4/IPv6 전이 기법 테스트 환경에서 구현 기능을 테스트하고, 시험적인 성능 평가를 수행하였다. 이러한 기능 시험과 성능 평가를 통해, 주 논문의 패킷 필터링 개선 기능이 시스템의 큰 성능 저하 없이, IPv4/IPv6 전이 기법의 패킷 필터링 문제들을 해결할 수 있음을 보였다.

반복변형된 동 및 동알루미늄 단결정 표면형상의 나노-스케일 관찰 (Nano-Scale Surface Observation of Cyclically Deformed Copper and Cu-Al Single Crystals)

  • 최성종;이권용
    • 한국윤활학회:학술대회논문집
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    • 한국윤활학회 1999년도 제29회 춘계학술대회
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    • pp.67-72
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    • 1999
  • Scanning probe Microscope(SPM) such as Scanning Tunneling Microscope(STM) and Atomic Force Microscope(AFM) was shown to be the powerful tool for nano-scale characterization of material surfaces Using this technique, surface morphology of the cyclically deformed Cu or Cu-Al single crystal was observed. The surface became proportionately rough as the number of cycles increased, but after some number of cycles no further change was observed. Slip steps with the heights of 100 to 200 nm and the widths of 1000 to 2000 nm were prevailing at the stage. The slipped distance of one slip system at the surface was not uniform. and formation of the extrusions or intrusions was assumed to occur such place. By comparing the morphological change caused by crystallographic orientation, strain amplitude, number of cycles or stacking fault energy, some interesting results which help to clarify the basic mechanism of fatigue damage were obtained. Furthermore, applicability of the scanning tunneling microscopy to fatigue damage is discussed.

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Prediction of Ultra-High ON/OFF Ratio Nanoelectromechanical Switching from Covalently Bound $C_{60}$ Chains

  • Kim, Han Seul;Kim, Yong-Hoon
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.645-645
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    • 2013
  • Applying a first-principles computational approach combining density-functional theory and matrix Green's function calculations, we have studied the effects [2+2] cycloaddition olligormerization of fullerene $C_{60}$ chains on their junction charge transport properties. Analyzing first the microscopic mechanism of the switching realized in recent scanning tunneling microscope (STM) experiments, we found that, in agreement with experimental conclusions, the device characteristics are not significantly affected by the changes in electronic structure of $C_{60}$ chains. It is further predicted that the switching characteristics will sensitively depend on the STM tip metal species and the associated energy level bending direction in the $C_{60}-STM$ tip vacuum gap. Considering infinite $C_{60}$ chains, however, we confirm that unbound $C_{60}$ chains with strong orbital hybridizations and band formation should in principle induce a much higher conductance state. We demonstrate that a nanoelectromechanical approach in which the $C_{60}-STM$ tip distance is maintained at short distances can achieve a metal-independent and drastically improved switching performance based on the intrinsically better electronic connectivity in the bound $C_{60}$ chains.

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ITO/PEDOT:PSS/TPD/$Alq_3$/LiAl 구조에서 온도 변화에 따른 전압-전류 특성 (Current-voltage characteristics of ITO/PEDOT:PSS/TPD/$Alq_3$/LiAl device with temperature variation)

  • 김상걸;정동회;홍진웅;정택균;김태완;이준웅
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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    • pp.114-117
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    • 2002
  • We have studied the dependence of current-voltage characteristics of Organic Light Emitting Diodes(OLEDs) on temperature-dependent variation. The OLEDs have been based on the molecular compounds. N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1, 1'- biphenyl-4, 4'-diamine (TPD) as a hole transport. tris(8-hydroxyquinolinoline) aluminum (III) ($Alq_3$) as an electron transport and Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT:PSS) as a buffer layer. The current-voltage characteristics were measured in the temperature range of 10K and 300K. A conduction mechanism in OLEDs has been interpreted in terms of space-charge-limited current(SCLC) and tunneling region.Ā᐀會Ā᐀衅?⨀頱岒ᄀĀ저會Ā저?⨀⡌ឫഀĀ᐀會Ā᐀㡆?⨀쁌ឫഀĀ᐀會Ā᐀遆?⨀郞ග瀀ꀏ會Ā?⨀〲岒ऀĀ᐀會Ā᐀䁇?⨀젲岒Ā㰀會Ā㰀顇?⨀끩Ā㈀會Ā㈀?⨀䡪ഀĀ᐀會Ā᐀䡈?⨀Ā᐀會Ā᐀ꁈ?⨀硫Ā저會Ā저?⨀샟ගऀĀ저會Ā저偉?⨀栰岒ഀĀ저會Ā저ꡉ?⨀1岒ഀĀ저會Ā저J?⨀惝ග؀Ā؀會Ā؀塊?⨀ග䈀Ā切

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동종 접합 InGaAs 수직형 Fin TFET의 온도 의존 DC 특성에 대한 연구 (Temperature-dependent DC Characteristics of Homojunction InGaAs vertical Fin TFETs)

  • 백지민;김대현
    • 센서학회지
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    • 제29권4호
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    • pp.275-278
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    • 2020
  • In this study, we evaluated the temperature-dependent characteristics of homojunction InGaAs vertical Fin-shaped Tunnel Field-Effect Transistors (Fin TFETs), which were fabricated using a novel nano-fin patterning technique in which the Au electroplating and the high-temperature InGaAs dry-etching processes were combined. The fabricated homojunction InGaAs vertical Fin TFETs, with a fin width and gate length of 60 nm and 100 nm, respectively, exhibited excellent device characteristics, such as a minimum subthreshold swing of 80 mV/decade for drain voltage (VDS) = 0.3 V at 300 K. We also analyzed the temperature-dependent characteristics of the fabricated TFETs and confirmed that the on-state characteristics were insensitive to temperature variations. From 77 K to 300 K, the subthreshold swing at gate voltage (VGS) = threshold voltage (VT), and it was constant at 115 mV/decade, thereby indicating that the conduction mechanism through band-to-band tunneling influenced the on-state characteristics of the devices.