• 한국지반공학회:학술대회논문집
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• 한국지반공학회 2008년도 춘계 학술발표회 초청강연 및 논문집
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• pp.742-753
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• 2008

Currently an increasing number of urban tunnels with small overburden are excavated according to the principle of the New Austrian Tunneling Method (NATM). Therefore, a possibility of a tunnel collapse during excavation is getting higher in a proportionate manner. This paper will analyze causes the failure mechanism of a shallow NATM tunnel for different geological conditions, ground-water and invert solutions by investigation typical collapse site during tunnel construction. In this paper, this analysis performed two phase, firstly, the field investigation considering displacement measurement, ground-water level, geological characteristic, secondly, the numerical simulation considering the exist of invert construction and the effect of ground-water. It has been found that environmental factors such as state of underground water or construction sequences could influence failure mechanism of a shallow tunnel.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제2권4호
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• pp.215-221
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• 2007

IPv6는 IETF가 IPv4를 대체하기 위해 제안한 프로토콜이며, 기존 IPv4 네트워크와 새롭게 추가되는 IPv6 네트워크 간의 원활한 통신을 위해 다양한 메커니즘이 연구 및 개발되었다. IPv4/IPv6 전환 메커니즘 중 DSTM 터널링 방법은 IPv6 네트워크 내의 듀얼스택 호스트가 동적으로 IPv4 주소를 할당 받아 IPv4 주소만을 가지는 노드와 통신을 할 수 있으며, IPv6 네트워크에서 IPv4 전용 어플리케이션을 수정 없이 사용할 수 있다는 특징을 가지고 있다. 본 논문에서는 DSTM을 이용하는 네트워크에서 발생 가능한 DHCP 공격, TEP 공격, 소스 스푸핑 공격에 대한 보안 취약점들에 대해서 기술하고, 실험을 통하여 이를 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권12호
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• pp.2361-2365
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• 2007

OLED 소자의 전기적 특성을 온도 변화에 따라 측정을 하였다. OLED 소자는 N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD)를 정공 수송층으로, tris(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3)를 전자송층 및 발광층으로 사용하였다. 전압-전류 특성은 온도 범위 $10K{\sim}300K$에서 측정하였다. OLED 소자에서의 전도 메커니즘의 해석은 Fowler-Nordheim tunneling 법을 이용하여 해석하였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2001년도 춘계학술대회논문집D
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• pp.354-359
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• 2001

As the temperature of liquid under negative pressure approaches the absolute zero, the nucleation process due to thermal fluctuations hardly occurs. Instead of this mechanism, quantum fluctuations may lead the formation of nucleus for new phase in metastable state. In this study, the thermal as well as quantum nucleation bubble in liquid helium under negative pressure was investigated theoretically. The energy barrier against nucleation was estimated by molecular interaction due to the Londom dispersion force. It is shown that the phase transition from liquid to vapor in is possible due to the quantum tunneling below 0.2 K for Helium-4 and 0.1 K for Helium-3, at negative pressures close to the ideal tensile strength at which every liquid molecules become bubbles simultaneously.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권2호
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• pp.53-63
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• 1993

Device degradations by the Fowler-Nordheim tunneling have been studide. The changes of device characteristics such as the threshold voltage, subthreshold slope, I-.or. curves have been measured after bidirectionally stressing n-channel MOSFET's and p-channel MOSFET's. Also the interface states have been directly measured by the charge pumping methodIt is shown that the change of interface states is determined by the number of hole carriers tunneling the gate oxide and electrons which are trapped in the gate oxide. Also, in this paper, we propose a model for device lifetime limited by the increase of interface states.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제2회(2013년)
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• pp.240-242
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• 2013

In this paper, novel Carbon Nanotube Gate-Elongated Tunneling Field Transistor(CNT G-E TFET) is proposed. This proposed device is designed to decrease off-current around 2~6 orders of magnitude compared to the gate-channel size matched TFET. Mechanism of CNT G-E TFET creates additional steps in energy band structure so that off-current can be reduced. Since CNT TFETs show a great probability for tunneling processes and they are beneficial for the overall device performance in terms of switching speed and power consumption, CNT G-E TFET looks pretty much promising.

• Progress in Superconductivity
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• 제5권1호
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• pp.5-8
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• 2003

We studied the effect of spin injection on tunneling conduction properties of intrinsic Josephson junctions formed in $Bi_2$$Sr_2$$CaCu_2$$O_{ 8＋x}$ single crystals. properties of an identical stack (10${\times}$5.0${\times}$0.030 $\mu\textrm{m}^3$) of intrinsic Josephson junctions were compared for the bias current injected through Au and Co electrodes. The suppression of the superconducting gap in the $_2$ double layers and the interlayer Josephson critical current was manifested in the tunneling current-voltage characteristics of the stacks. This effect appears to be caused by the pair breaking associated with spin-polarized carriers injected from the Co electrode into the $Bi_2$$Sr_2$$_2$O$CaCu_{ 8＋x}$ single crystal. This study may provide valuable information on clarifying the mechanism of high- $T_{c}$ superconductivity.y.y.

• Progress in Superconductivity
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• 제7권1호
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• pp.1-5
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• 2005

A pseudogap in the normal-state quasiparticle density of states of $high-T_c$ superconductors has been revealed in many different kinds of experiments. The existence of the pseudogap and the superconducting gap, and the correlation between them has attracted considerable attention because they are believed to be a key to understanding the mechanism of the $high-T_c$ superconductivity. The interlayer tunneling spectroscopy, excluding the surface-dependent effect, is one of the most accurate means to examine the electron spectral characteristics both in the superconducting and the normal states. In this study, a new constant-temperature intrinsic tunneling spectroscopic technique, excluding the overheating effect using the in-situ temperature monitoring combined with the digital proportional-integral-derivative control, is introduced. The implication on the $high-T_c$ superconductivity of the detailed temperature dependencies of the observed spectral weight in $Bi_{2}Sr_{2}CaCu_{2}O_{8+x}\;high-T_c$ material for overdoped and underdoped levels is discussed.

• 한국통신학회논문지
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• 제26권12C호
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• pp.208-217
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• 2001

이동 인터넷 환경에서 이동 멀티캐스트를 제공하기 위해서 기존의 Mobile IP 프로토콜과 멀티캐스트 프로토콜을 그대로 조합하여 사용할 경우, 멀티캐스트 데이터그램은 특정 노드의 IP 주소가 아닌 그룹 주소를 사용하고 있기 때문에 Mobile IP에서 처리할 수 없는 라우팅 문제가 발생한다. 이를 해결하기 위해 IETF에서는 원격지 등록(remote subscription) 방식과 양방향 터널링(hi-directional tunneling) 방식을 제안하였다. 그러나 원격지 등록 방식은 멀티캐스트 트리를 재구성하는데 발생하는 시간지연이 크기 때문에 심각한 멀티캐스트 데이터그램의 손실이 발생할 수 있으며, 양방항 터널링 방식에서는 멀티캐스트 경로가 최적화되지 못하는 문제가 발생한다. 본 논문에서는 이동 노드가 외부 네트워크로 이동시 빠르게 멀티캐스트 데이터그램을 수신할 수 있고 멀티캐스트 경로를 최적화할 수 있는 Mobile If Multicast using Local Broadcast(MIMLB) 프로토콜을 제안하였다. 제안한 MIMLB 프로토콜은 터널링을 이용하여 신속하게 멀티캐스트 데이터그램을 수신하도록 하였고, 멀티캐스트 데이터그램의 중복 문제를 해결하였으며, 멀티캐스트 트리 경로의 최적화를 위하여 로컬 브로드캐스트 기법을 도입하였다. 제안된 프로토콜의 성능을 시뮬레이션을 통해 확하였으며, 기존 프로토콜에 비해 이동 노드가 외부 네트워크로 이동시 부가되는 경로의 길이가 줄었고, 라우팅 경로가 최적화되었음을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.876-884
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• 2017

TCAD 시뮬레이션을 이용하여 소스 영역으로 오버랩된(Overlapped) 게이트를 가진 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)과 실리콘-게르마늄(Si-Ge) Hetero 터널 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET)의 터널링 전류 특성을 분석하였다. $SiO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 포인트와 라인 터널링이 모두 나타나서 험프(Hump) 현상이 나타난다. Ge-TFET는 구동전류가 Si-TFET보다 높으나 누설전류가 높고 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. Hetero-TFET의 경우에 구동전류가 높게 나타나고 누설전류는 나타나지 않았으나 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. $HfO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 라인 터널링의 문턱전압(threshold voltage)이 감소하여 라인 터널링만 나타난다. Ge과 Hetero-TFET의 경우에 포인트 터널링의 문턱전압이 감소하여 포인트 터널링에 의해 동작되며 Ge-TFET는 누설전류가 증가하였고, Hetero-TFET에서 Hump가 나타난다.