Effect of current collecting layer on the cathode was characterized by AC impedance spectroscopy at 800$^{\circ}C$ under flowing air. LSM-YSZ composite cathode showed lower polarization resistance due to the in-crease of triple phase (LSM/YSZ/Pore) boundary length by incorporation of YSZ. Ohmic resistance {{{{ {R }_{1 } }} of LSM-YSZ was higher than that of pure LSM however because in-plane resistance of the cathode was fair-ly high due to its high specific resistivity. To reduce the in-plane resistance of LSM-YSZ cathode cathode side current collecting layer was required. Ohmic resistance {{{{ {R }_{1 } }} was reduced after forming LSM current col-lecting layer on the LSM-YSZ cathode. In case of pure LSM cathode the formation of Pt, or LSCO current collecting layer reduced polarization resistance {{{{ {R }_{p } }} but ohmic resistance {{{{ {R }_{1 } }} was relatively constant. After annealing of LSM cathode with Pt current collector at higher temperature polarization resistance {{{{ {R }_{p } }} was in-creased but ohmic resistance {{{{ {R }_{1 } }} was constant. These phenomena indicate that Pt or LSCo current col-lecting layers act as a catalytic layer for oxygen reduction of pure LSM cathode. LSCO current collector was effective in reducing the ohmic and polarization resistance of LSM-YSZ cathode.
Na, Kyoung Il;Won, Jongil;Koo, Jin-Gun;Kim, Sang Gi;Kim, Jongdae;Yang, Yil Suk;Lee, Jin Ho
ETRI Journal
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제35권3호
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pp.425-430
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2013
In this paper, we propose a triple-gate trench power MOSFET (TGRMOS) that is made through a modified RESURF stepped oxide (RSO) process, that is, the nitride_RSO process. The electrical characteristics of TGRMOSs, such as the blocking voltage ($BV_{DS}$) and on-state current ($I_{D,MAX}$), are strongly dependent on the gate configuration and its bias condition. In the nitride_RSO process, the thick single insulation layer ($SiO_2$) of a conventional RSO power MOSFET is changed to a multilayered insulator ($SiO_2/SiN_x/TEOS$). The inserted $SiN_x$ layer can create the selective etching of the TEOS layer between the gate oxide and poly-Si layers. After additional oxidation and the poly-Si filling processes, the gates are automatically separated into three parts. Moreover, to confirm the variation in the electrical properties of TGRMOSs, such as $BV_{DS}$ and $I_{D,MAX}$, simulation studies are performed on the function of the gate configurations and their bias conditions. $BV_{DS}$ and $I_{D,MAX}$ are controlled from 87 V to 152 V and from 0.14 mA to 0.24 mA at a 15-V gate voltage. This $I_{D,MAX}$ variation indicates the specific on-resistance modulation.
In a triple-layered structure of ITO/N,N'-diph enyl-N,N'bis(3-methylphenyl)-1,1' - biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum($Alq_3$)/(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)/Al device, we have studied the electrical and optical characteristics of organic light-emitting diodes(OLEDs) depending on the deposition condition of BCP layer. Several different sizes of holes on boat and several different deposition rates were employed in evaporating the organic materials. And then, electrical properties of the organic light-emitting diodes were measured and the performance of the devices was analyzed. It was found that the hole-size of crucible boat and the evaporation rate affect on the surface roughness of BCP layer as well as the performance of the device. When the hole-size of crucible boat and the deposition rate of BCP are 1.2 mm and $1.0\;{\AA}/s$, respectively, average surface roughness of BCP layer is lower and the efficiency of the device is higher than the ones made with other conditions. From the analysis of current density-luminance-voltage characteristics of a triple layered device, we divided the conductive mechanism by four region according to applied voltage. So we have obtained a coefficient of ${\beta}_{ST}$ in schottky region is $3.85{\times}10^{-24}$, a coefficient of ${\beta}_{PF}$ in Poole-Frenkel region is $7.35{\times}10^{-24}$, and a potential barrier of ${\phi}_{FN}$ in Fower-Nordheim region is 0.39 eV.
In order to reduce reflectance of soda-lime glass having average reflectance of 7.35% and refractive index of 1.53, single (SiO2), double (SiO2/20SiO2-80ZrO2), and triple (SiO2/ZrO2/75SiO2-25ZrO2) layers were designed and fabricated on the glass substrate by Sol-Gel method. Stble sols of SiO2-ZrO2 binary system for antireflective (AR) coatings were synthesized with tetraethyl orthosilicate (TEOS) and zirconium n-butoxide as precursors and ethylacetoacetate (EAcAc) as a chelating agent in an atmosphere environment. Films were deposited on soda-lime glass at the withdrawal rates of 3~11 cm/min using the prepared polymeric sols by dip-coating and they were heat-treated at 45$0^{\circ}C$ for 10 min to obtain homogeneous, amorphous and crack-free films. In case of SiO2-ZrO2 binary system, refractive index of film increased with an increase of ZrO2 mol%. Designed optical constant of films could be obtained through varying the withdrawal rate. In the visible region (380~780nm), reflectance was measured with UV/VIS/NIR Spectrophotometer. Average reflectances of the prepared single-layer [SiO2 (n=1.46, t=103nm)], double-layer [SiO2 (n=1.46, t=1-4nm)/20SiO2-80ZrO2 (n=1.81, t=82nm)], and triple-layer [SiO2 (n=1.46, t=104nm)/ZrO2 (n=1.90, t=80nm)/75SiO2-25ZrO2 (n=1.61, t=94 nm)] were 4.74%, 0.75% and 0.38%, respectively.
Park, Sung-Kyu;Han, Jeong-In;Moon, Dae-Gyu;Kim, Won-Keun
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제3권2호
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pp.32-37
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2002
This paper gives the basic mechanical properties of indium-tin-oxide (ITO) films on polymer substrates which are exposed to externally and thermally induced bending force. By using modified Storney formula including triple layer structure and bulge test measuring the conductive changes of patterned ITO islands as a function of bending curvature, the mechanical stability of ITO films on polymer substrates was intensively investigated. The numerical analyses and experimental results show thermally and externally induced mechanical stresses in the films are responsible for the difference of thermal expansion between the ITO film and the substrate, and leer substrate material and its thickness, respectively. Therefore, a gradually ramped heating process and an organic buffer layer were employed to improve the mechanical stability, and then, the effects of the buffer layer were also quantified in terms of conductivity-strain variations. As a result, it is uncovered that a buffer layer is also a critical factor determining the magnitude of mechanical stress and the layer with the Young's modulus lower than a specific value can contribute to relieving the mechanical stress of the films.
Conidio spores of Aspergillus niger (strain No. NRRL 330) cultured on potato dextrose agar media were studied by electron microscopy, using the thin sectioning techniques. Conidio spores to be sectioned were fixed by triple methods with $K_2Cr_2O_7$, Glutaraldehyde and $OsO_4$. After dehydrated with alcohol, the specimens were embedded in metacrylate and epon resin media, and thinly sectioned by Porter-Blum MT-2. After sectioned these specimens were negative-stained with uranyl acetate and observed. by Hitachi HS-6 electron microscope. The results of this experiment were summarized as follows. 1. The structures of spore ,wall system seem to be formed 4 layers; exosporium, basal layer, spore coat and unit cell membrane. The protuberance of spore surface that was looked like hair appears to be protrusived from the basal layer. 2. The 3 layers of unit cell membrane was constituted outer layer membrane, inner layer membrane and inter-mediate light layer. 3. The structures of intra cytoplasmic membrane appear as spiral form which was consisted of 3 layers membrane system; outer membrane, inner membrane, and intermediate layer, which has pits. 4. The cement substance of spore coat and cortex may be changed quantitatively by physiological state in cell. 5. In some cases, we observed that the ribosome was transformed into poly ribosome group, and the storage materials and the protein crystals were changed variously. It. has been suggested that the morphological change of some cytoplasmic materials may be caused by some specialized function of the physiological stage.
Kim, Eui-Hyeon;Hwang, Heui-Soo;Ko, Myeong-Hee;Bae, Seung-Muk;Hwang, Jin-Ha
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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pp.319.1-319.1
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2013
Solid oxide fuel cells (SOFCs) have been recognized as one of emerging renewable energy sources, due to minimized pollutant production and high efficiency in operation. The performance of SOFCs is largely dependent on the electrode polarization which involves the oxidation/reduction in cathodes and anodes along with the charge transport of ions and electronic carriers. Atomic layer deposition is based on the alternate chemical surface reaction occurring at low temperatures with high uniformity and superior step coverage. Such features can be extended into the coating of metal oxide and/or metal layer onto the porous materials. In particular, the atomic layer deposition is can manipulated in controlling the charge transport in terms of triple phase boundaries, in order to control artificially the electrochemical polarization in electrodes of SOFC. The current work applied atomic layer deposition of metal oxides intro the electrodes of SOFCs. The corresponding effect was monitored in terms of the electrochemical characterization. The roles of atomic layer deposition in solid oxide fuel cells are discussed towards optimized towards long-term durability at intermediate temperature.
We have fabricated simple triple-layer blue-emitting phosphorescent organic light emitting diodes (OLEDs) using different thicknesses (25 and 55 nm) of 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP) electron transport layers. 1,1-bis[4-bis (4-methylphenyl)- aminophenyllcyclohexane (TAPC), bis[(4,6-di-fluorophenyl)-pyridinate-$N,C^{2'}$]picolinate (FIrpic) and N,N' -dicarbazolyl-3,5-benzene (mCP) were used as hole transport, blue guest and host materials, respectively. The driving voltage, electroluminescence (EL) efficiency and emission characteristics of devices were investigated. The maximum EL efficiency was 20 cd/A in the device with 55 nm BCP layer, which efficiency was about 33% higher than the device with 25 nm BCP layer. The higher efficiency in the 55 nm BCP device resulted from the enhanced electron-hole balance. In the EL spectrum of blue phosphorescent OLED with BCP layer, the relative intensity between 470 and 500 nm peaks was related to the location of emission zone.
An experimental study has been performed on a three-dimensional boundary layer over a rotating disk with an impinging jet at the center of the disk. The objective of the present study is to investigate the turbulence statistics of the three-dimensional turbulent boundary layer, which may be regarded as one of the simplest models for the flow in turbomachinery. Six components of the Reynolds stresses and ten triple products are measured by aligning the miniature X-wire probe to the mean velocity direction. The ratio of the wall-parallel shear stress magnitude to twice the turbulent kinetic energy in the near-wall region is strongly decreased by the impinging jet. In the case of the free rotating disk flow the shear stress vector lags behind the mean velocity gradient vector in the whole boundary layer, while the lag is weakened as the impinging jet speed increases.
Environmental Sciences Bulletin of The Korean Environmental Sciences Society
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제4권1호
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pp.31-42
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2000
The dry deposition velocities and fluxes of air pollutants such as SO2(g), O3(g), HNO3(g), sub-micron particulates, NO3(s), and SO42-(s) were estimated according to local meteorological elements in the atmospheric boundary layer. The model used for these calculations was the multiple layer resistance model developed by Hicks et al.1). The meteorological data were recorded on an hourly basis from July, 1990 to June, 1991 at the Austin Cary forest site, near Gainesville FL. Weekly integrated samples of ambient dry deposition species were collected at the site using triple-fiter packs. For the study period, the annual average dry deposition velocities at this site were estimated as 0.87$\pm$0.07 cm/s for SO2(g), 0.65$\pm$0.11 cm/s for O3(g), 1.20$\pm$0.14cm/s for HNO3(g), 0.0045$\pm$0.0006 cm/s for sub-micron particulates, and 0.089$\pm$0.014 cm/s for NO3-(s) and SO42-(s). The trends observed in the daily mean deposition velocities were largely seasonal, indicated by larger deposition velocities for the summer season and smaller deposition velocities for the winter season. The monthly and weekly averaged values for the deposition velocities did not show large differences over the year yet did show a tendency of increased deposition velocities in the summer and decreased values in the winter. The annual mean concentrations of the air pollutants obtained by the triple filter pack every 7 days were 3.63$\pm$1.92 $\mu\textrm{g}$/m3 for SO42-, 2.00$\pm$1.22 $\mu\textrm{g}$/m-3 for SO2, 1.30$\pm$0.59 $\mu\textrm{g}$/m-3 for HNO3, and 0.704$\pm$0.419 $\mu\textrm{g}$/m3 for NO3-, respectively. The air pollutant with the largest deposition flux was SO2 followed by HNO3, SO42-(S), and NO3-(S) in order of their magnitude. The sulfur dioxide and NO3- deposition fluxes were higher in the winter than in the summer, and the nitric acid and sulfate deposition fluxes were high during the spring and summer.
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