• 한국소음진동공학회논문집
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• 제18권12호
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• pp.1310-1316
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• 2008

Bi-layer and tri-layer structures of electro-active paper(EAPap) using conductive polyaniline(PANI) coating were investigated to improve bending displacement of cellulose EAPap. Two different counter ions, perchlorate($CIO_4^-$) and tetrafluoroborate($BF_4^-$), are used as dopant ions in the PANI processing. The actuation performances of hi-layer and tri-layer structure are evaluated in terms of tip displacement, blocked force, strain energy density and power output density. The actuation performance of the tri-layer actuator was better than the hi-layer structure, and the maximum displacement and blocked force of tri-layer $CIO_4^-$ doped-PANI-EAPap were 13.2 mm and 0.15 mN, respectively. Also the power output of the actuator is similar to the required power of biological muscle application.

• 전기전자학회논문지
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• 제26권3호
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• pp.500-505
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• 2022

본 연구에서는 새로운 구조의 dual gate tri-layer split channel 박막트랜지스터를 제작하였다. 전류 구동 능력을 향상시키기 위해 액티브 층의 양쪽에 게이트를 형성하였고 전하이동도를 증가시키기 위하여 액티브 층에서 채널이 형성되는 구간인 첫번째 층과 세번째 층에 전도성이 높은 ITO 층을 배치하였다. 추가적으로 분할 채널을 이용하여 채널의 series 저항을 낮추면서 분할한 채널의 측면에서도 accumulation을 유도하여 전하이동도를 향상시켰다. 기존의 single gate a-ITGZO 박막트랜지스터가 15 cm²/Vs의 전하이동도를 가지는 반면 dual gate tri-layer split channel 박막트랜지스터는 134 cm²/Vs의 높은 전하이동도를 가졌다.

• Journal of Electrochemical Science and Technology
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• 제13권2호
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• pp.254-260
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• 2022

Trimethylammonium tetrafluoroborate (TriMA BF₄), consisting of the smallest trialkylammonium ion, was investigated for use in electrochemical double-layer capacitors. Despite the presence of a proton in TriMA⁺, cycle life tests in acetonitrile (AN) and -butyrolactone (GBL) showed a good capacity retention with a 1.8 V cut-off voltage. The rate of electrolysis of TriMA BF₄ in GBL was lower than that in AN because of the lower conductivity in GBL. As a consequence, the cells based on GBL achieved a higher capacitance and longer life than those with AN. TriMA BF₄ had a higher conductivity and lower viscosity than the quaternary salt tetraethylammonium tetrafluoroborate in GBL, as well as higher ionic mobility, these factors resulted in a higher rate capability.

• 열처리공학회지
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• 제30권4호
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• pp.151-155
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• 2017

The ZTO single layer and ZTO/Ag/ZTO tri-layer films were deposited on glass substrates by using the radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputtering and then rapid thermal annealed (RTA) in a low pressure condition for 10 minutes at 150 and $300^{\circ}C$, respectively. As deposited tri-layer films show the 81.7% of visible transmittance and $4.88{\times}10^{-5}{\Omega}cm$ of electrical resistivity, while the films annealed at $300^{\circ}C$ show the increased visible transmittance of 82.8%. The electrical resistivity also decreased as low as $3.64{\times}10^{-5}{\Omega}cm$. From the observed results, it is concluded that rapid thermal annealing (RTA) is an attractive post-deposition process to optimize the opto-elecrtical properties of ZTO/Ag/ZTO tri-layer films for the various display applications.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.318-321
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• 2002

This paper presents a proper condition to achieve high conversion efficiency using PC1D simulator on sri-crystalline Si solar cells. Various efficiency influencing parameters such as rear surface recombination velocity and minority carrier diffusion length in the base region, front surface recombination velocity, junction depth and doping concentration in the Emitter layer, BSF thickness and doping concentration were investigated. Optimized cell parameters were given as rear surface recombination of 1000 cm/s, minority carrier diffusion length in the base region 200 $\mu\textrm{m}$, front surface recombination velocity 100 cm/s, sheet resistivity of emitter layer 100 Ω/$\square$, BSF thickness 5 $\mu\textrm{m}$, doping concentration 5${\times}$10$\^$19/ cm$\^$-3/. Among the investigated variables, we learn that a diffusion length of base layer acts as a key factor to achieve conversion efficiency higher than 19 %.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권5호
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• pp.495-500
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• 1988

The effectiveness of tri layer resist (TLR) technique is compared with that of single layer resist (SLR) technique in order to make a 0.8um pattern with the linewidth deviation of 10 percents. SLR technique is not appropriate to shape the micro-pattern on oxide and aluminum steps because of the standing wave effect and the light scattering effect in shaping the resist pattern. On the contrary, the uniform line with a width of 0.8um on oxide and aluminum steps can be formed by TLR technique, reducting such effects. The planarization and the light absorption coefficient of the bottom layer resist in TLR are optimized by exposing it to ultra violet light after baking it for 30min at 230\ulcorner. An uniform line with a width of 0.8um on oxide step is defined with the light absorption coefficient of 0.85 whereas that on aluminum step is defined with 0.95.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.9-14
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• 1999

삼파장 형광등의 제작에서 문제가 되는 것은 원하는 목표 색을 맞추기 위하여 혼합하는 세 가지 형광물질의 혼합비율이다. 한 형광체의 광 스펙트럼이 약간 변형되거나, 공정변수에 의하여 변경되거나, Ar과 Kr 같은 불활성가스의 스펙트럼이 혼재하거나 또는 재래 할로인산칼슘이 공존할 경우 원하는 정확한 색을 찾기가 매우 힘들어지게 된다. 이 연구에서는 원하는 목표 색을 빠르게 찾는 방법을 연구하였다. 세 개의 각각의 단일색의 형광등과 3색을 서로 다른 비율로 혼합한 형광등을 만들고 각각의 스펙트럼을 측정한 후 이로부터 알곤과 수은의 스펙트럼을 빼서 변형 색 좌표를 얻었다. 이 변형 색 좌표로부터 적생에 대한 청색과 녹색의 광속비를 그의 무게 비에 대하여 도시하여 무게 대 광속비의 관계를 구하였다. 이 관계식을 이용하여 생산라인에서 삼파장 형광체의 단일 도포 및 할로인산칼슘을 1차로 도포하는 2중 도포를 실시하여 목표색을 조합해본 결과 만족할만한 결과를 얻었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.391-394
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• 2004

In this study, highly thermal stable Ni Germanosilicide has been utilized using NiPt alloy and novel NiPt/Co/TiN tri-layer. And, the Ni Germanosilicide Properties were characterized according to different Ge ratio (x) in $Si_{l-x}Ge_x$ for the next generation CMOS application. The sheet resistance of Ni Germanosilicide utilizing pure-Ni increased dramatically after the post-silicidation annealing at $600^{\circ}C$ for 30 min. Moreover, more degradation was found as the Ge fraction increases. However, using the proposed NiPt/Co/TiN tri-layer, low temperature silicidation and wide range of RTP process window were achieved as well as the improvement of the thermal stability according to different Ge fractions by the subsequent Co and TiN capping layer above NiPt on the $Si_{l-x}Ge_x$. Therefore, highly thermal immune Ni Germanosilicide up to $600^{\circ}C$ for 30 min is utilized using the NiPt/Co/TiN tri-layer promising for future SiGe based ULSI technology.

• 한국결정성장학회지
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• 제31권4호
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• pp.190-195
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• 2021

상온에서 PET 기판 위에 Mn-SnO₂/Ag/Mn-SnO₂ 3중 다층막을 RF/DC 마그네트론 스파터링 방식으로 제조하였다. EMP 시뮬레이션 결과에 따라 Mn-SnO₂의 막 두께는 40 nm, Ag 막 두께는 13 nm로 고정하였다. 550 nm 파장대역에서 측정한 3중막의 투과율은 82.9에서 88.1 % 범위였으며 면저항은 5.9에서 6.9 Ω/☐로 변화하였다. 가장 높은 성능지수(ϕ_TC)는 48.1 × 10^-3 Ω^-1로 나타났다. 곡률반경 4, 5 mm 조건에서 inner 밴딩과 out 밴딩의 굽힘시험을 10,000회 실시한 결과 Mn-SnO₂/Ag/Mn-SnO₂ 3중막의 저항변화율은 약 1.5 %로 탁월한 기계적 유연성을 보였다.

• 대한화학회지
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• 제18권4호
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• pp.272-277
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• 1974

분배계수와 용매의 용해도 파라미터 도표상의 추출포물선을 검토하여 질산산성에서 유로퓸을 TBP로 추출할 때 유로퓸착물과 TBP의 활동도 계수간의 관계를 알 수 있었고 이에 따라 TBP의 용해도 파라미터를 결정하는 가능성을 제시하였다. 용매로서는 cyclohexane, 벤젠, 톨루엔, chlorobenzene을 사용하였고 TBP의 농도를 용적백분율로 5에서 50까지 변화시켰다.