Photoelectrochemical (PEC) systems are promising methods of producing H2 gas using solar energy in an aqueous solution. The photoelectrochemical properties of numerous metal oxides have been studied. Among them, the PEC systems based on TiO2 have been extensively studied. However, the drawback of a PEC system with TiO2 is that only ultraviolet (UV) light can be absorbed because of its large band gap (3.2 - 3.4 eV). Two approaches have been introduced in order to use PEC cells in the visible light region. The first method includes doping impurities, such as nitrogen, into TiO2, and this technique has been extensively studied in an attempt to narrow the band gap. In comparison, research on the second method, which includes visible light water splitting in molecular photosystems, has been slow. Mallouk et al. recently developed electrochemical water-splitting cells using the Ru(II) complex as the visible light photosensitizer. the dye-sensitized PEC cell consisted of a dye-sensitized TiO2 layer, a Pt counter electrode, and an aqueous solution between them. Under a visible light (< 3 eV) illumination, only the dye molecule absorbed the light and became excited because TiO2 had the wide band gap. The light absorption of the dye was followed by the transfer of an electron from the excited state (S*) of the dye to the conduction band (CB) of TiO2 and its subsequent transfer to the transparent conducting oxide (TCO). The electrons moved through the wire to the Pt, where the water reduction (or H2 evolution) occurred. The oxidized dye molecules caused the water oxidation because their HOMO level was below the H2O/O2 level. Organic dyes have been developed as metal-free alternatives to the Ru(II) complexes because of their tunable optical and electronic properties and low-cost manufacturing. Recently, organic dye molecules containing multi-branched, multi-anchoring groups have received a great deal of interest. In this work, tri-branched tri-anchoring organic dyes (Dye 2) were designed and applied to visible light water-splitting cells based on dye-sensitized TiO2 electrodes. Dye 2 had a molecular structure containing one donor (D) and three acceptor (A) groups, and each ended with an anchoring functionality. In comparison, mono-anchoring dyes (Dye 1) were also synthesized. The PEC response of the Dye 2-sensitized TiO2 film was much better than the Dye 1-sensitized or unsensitized TiO2 films.
The growth kinetion of $CuCl_x$ layer on Cu was investigated using $Cl_2$ gas with/without plasma. The etching kinetics ofit was also studied, in which PEt3 gas as well as $Cl_2$ gas were used. when plasma and DC bias were applied, not only the growth rate of $CuCl_x$ layer but also the surface concentration of Cl in $CuCl_x$ layer drastically increased. The growth mode is divided into three regimes, where the thinkness $CuCl_x$ layer ise proportional to t, lo9g $T^{1/2}$ , respectively, whether plasma, is applied or not. These three regime. It is also identified that the eath rate of Cu is drastically increased as the $Cl_2$ pressure is increased. However, when plasma and DC bias were applied, the etching rate is decreased, and ClCu-P-U layer is formed. in addition, as the etching time is increased, the surface concentration of Cl is increased and $CuCl_2$ formed partially.
Jo, Sung-Sik;Ju, Yang-Ro;Lim, Tae-Kyun;Jang, Eun-Sil;Kim, Hun;Han, Hang-Man
Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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2010.04a
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pp.151-153
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2010
In this paper, the tri-band planar monopole microstrip antenna which stimulaneously meets the three bands such as TRS, WLAN and DMB is designed. The designed antenna size was smaller using CPW-fed structure that shows a ground-plane and a patch-plane are existed at one layer. The proposed antenna is designed on FR-4 substrate with a relative dielectric constant 4.3, thickness of 1.5mm and tangent loss 0.04. The designed antenna shows that VSWR is below 2 and has good return loss below -10dB over the three bandwidths.
Aluminum-doped Zinc Oxide (AZO) is considered as an excellent candidate to replace Indium Tin Oxide (ITO), which is widely used as transparent conductive oxide (TCO) for electronic devices such as liquid crystal displays (LCDs), organic light emitting diodes (OLEDs) and organic solar cells (OSCs). In the present study, AZO thin film was applied to the transparent electrode of a channel-shaped flexible organic solar cell using a low-temperature selective-area atomic layer deposition (ALD) process. AZO thin films were deposited on Poly-Ethylene-Naphthalate (PEN) substrates with Di-Ethyl-Zinc (DEZ) and Tri-Methyl-Aluminum (TMA) as precursors and $H_2O$ as an oxidant for the atomic layer deposition at the deposition temperature of $130^{\circ}C$. The pulse time of TMA, DEZ and $H_2O$, and purge time were 0.1 second and 20 second, respectively. The electrical and optical properties of the AZO films were characterized as a function of film thickness. The 300 nm-thick AZO film grown on a PEN substrate exhibited sheet resistance of $87{\Omega}$/square and optical transmittance of 84.3% at a wavelength between 400 and 800 nm.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.405-405
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2016
CIGS 박막 태양전지에서 완충층으로 사용되는 ZnS는 단파장 영역에서 높은 투과도와 CIGS 계면과의 좋은 접착을 가지고 친환경적이며 3.74eV의 에너지 밴드갭을 가지고 있기 때문에 CdS를 사용했을 때 보다 더 넓은 에너지 영역의 광자를 p-n 접합 경계 영역으로 통과 시킬 수 있고 Cd-free 물질이라는 점에서 기존의 CdS 완충층의 대체 물질로 각광 받고 있다. 본 연구에서는 CIGS 박막에 화학습식공정 방법을 이용하여 최적화된 ZnS 박막의 증착 조건을 찾기 위해 실험 변수인 시약의 농도, 실험온도, 열처리 조건 등의 다양한 변화를 통해 실험을 진행하였고, 박막의 갈라짐과 pin-hole 현상을 개선하고 균일한 막을 제조하기 위해 구연산 나트륨 농도에 따른 ZnS 박막의 특성을 연구하였다. 본 실험 결과로서 실험변수인 황산아연의 농도 0.15M, 암모니아는 0.3M, 티오요소 1M, 공정 온도 $80^{\circ}C$의 최적화 된 조건에서 가장 좋은 품질의 ZnS 박막을 제조하였지만, ZnS 박막의 열처리 후 산소의 양이 줄어감에 따라 박막의 표면이 갈라지고 pin-hole 현상이 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 박막의 품질을 개선하기 위해 구연산 나트륨을 첨가하여 실험한 결과 구연산 나트륨의 0.05M의 농도에서는 박막 표면에 90nm의 갈라짐의 크기와 pin-hole 현상이 남아있는 것을 확인하였고, 농도가 높아질수록 점차 크기가 줄어들면서 0.4M에서는 갈라짐이 거의 없는 표면과 pin-hole 현상도 없어지는 것을 확인하였고, 약 144nm의 박막 두께와 3.8eV의 에너지 밴드갭을 가지고, 약 81%의 높은 광투과율을 갖는 고품질의 ZnS 박막을 제작할 수 있었다.
Alumina composite membranes were prepared by chemical vapor deposition (CVD) using aluminum-tri-isopropoxide as a precursor. Porous alumina supports were used in deposition, which were in disk shape with mean pore diameter of 0.1 ${\mu}{\textrm}{m}$ and prepared by slip-coasting process. film deposition morphology on porous support was simulated through depositing alumina film on polycrystalline silicon pattern, and its step coverage observed by SEM showed one deviated from uniform step coverage. N2 permeability through composite membranes and the pressure dependence decreased as the deposition time increased. Initially, the N2 permeability of the top layer was tend to decrease rapidly, and then the degree of decrease in N2 permeability was tend to diminish with deposition time. The N2 permeability increased with heat treatment temperature and the crack was generated in top layer at 100$0^{\circ}C$.
Sin, Jin-Ho;Gang, Sang-U;Kim, Jin-Tae;Sin, Yong-Hyeon;Go, Mun-Gyu;Yun, Ju-Yeong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.355-355
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2011
최근 석유 자원의 고갈로 인하여 요구되는 대체 에너지 개발의 필요성이 대두되고 있다. 그 중 태양에너지는 지구의 생명체가 살아가는 에너지의 근원으로서 매초 800~1000 W에 달하는 에너지양으로 볼 때 태양은 인류가 가장 풍부하게 활용할 수 있는 에너지원이다. 태양에너지를 이용한 염료감응형 태양전지(Dye-Sensitized Solar Cells, DSSCs)는 제조원가를 낮출 수 있고, 유리 전극을 이용한 투명한 태양전지를 제조할 수 있어 건물의 유리창등으로 응용할 수 있는 장점이있다. 이러한 태양전지의 에너지 변환 효율을 증가시키기 위한 방법으로 흡착된 염료에서 발생되는 광전자가 전해질의 산화, 환원되는 요오드 이온(I-/I3-)과의 재결합(recombination)현상으로 인해 광전변환효율이 떨어지는 현상이 발생한다. 이에 본 연구는 TiO2 전극 위에 높은 밴드 갭(band-gap)을 가지는 Al2O3 박막을 TriMethylAluminium(TMA) 전구체를 이용한 Atomic Layer Deposition(ALD) 공정을 사용하여 증착, 재결합 방지 효과에 대한 연구를 진행하였다.
Kim, Yeon-Ku;Kim, Weon-Ju;Yeo, SungHwan;Cho, Moon-Sung
Journal of Powder Materials
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v.21
no.6
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pp.434-440
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2014
Silicon carbide(SiC) layer is particularly important tri-isotropic (TRISO) coating layers because it acts as a miniature pressure vessel and a diffusion barrier to gaseous and metallic fission products in the TRISO coated particle. The high temperature deposition of SiC layer normally performed at $1500-1650^{\circ}C$ has a negative effect on the property of IPyC layer by increasing its anisotropy. To investigate the feasibility of lower temperature SiC deposition, the influence of deposition temperature on the property of SiC layer are examined in this study. While the SiC layer coated at $1500^{\circ}C$ obtains nearly stoichiometric composition, the composition of the SiC layer coated at $1300-1400^{\circ}C$ shows discrepancy from stoichiometric ratio(1:1). $3-7{\mu}m$ grain size of SiC layer coated at $1500^{\circ}C$ is decreased to sub-micrometer (< $1{\mu}m$) $-2{\mu}m$ grain size when coated at $1400^{\circ}C$, and further decreased to nano grain size when coated at $1300-1350^{\circ}C$. Moreover, the high density of SiC layer (${\geq}3.19g/cm^3$) which is easily obtained at $1500^{\circ}C$ coating is difficult to achieve at lower temperature owing to nano size pores. the density is remarkably decreased with decreasing SiC deposition temperature.
In order to prevent water vapor and oxygen permeation in the organic light emitting diodes (OLED), Al2O3 thin-film encapsulation (TFE) technology were investigated. Atomic layer deposition (ALD) method was used for making the Al2O3 TFE layer because it has superior barrier performance with advantages of excellent uniformity over large scales at relatively low deposition temperatures. In this study, the thickness of the Al2O3 layer was varied by controlling the numbers of the unit pulse cycle including Tri Methyl Aluminum(Al(CH3)3) injection, Ar purge, and H2O injection. In this case, several process parameters such as injection pulse times, Ar flow rate, precursor temperature, and substrate temperatures were fixed for analysis of the effect only on the thickness of the Al2O3 layer. As results, at least the thickness of 39 nm was required in order to obtain the minimum WVTR of 9.04 mg/m2day per one Al2O3 layer and a good transmittance of 90.94 % at 550 nm wavelength.
Kim, Jong-Pil;Lee, Hyang-Hee;Moon, Jae-Hak;Ha, Dong-Ryong;Kim, Eun-Sun;Kim, Jin-Hwan;Seo, Kye-Won
Korean Journal of Food Science and Technology
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v.45
no.6
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pp.777-784
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2013
The ethyl acetate (EtOAc) layer of Canavalia gladiata (sword bean) methanol extracts showed higher 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl (DPPH) radical-scavenging activity than other layers. Four phenolic compounds were isolated from the EtOAc layer by silica gel column chromatography and prep-HPLC using a guided DPPH radical-scavenging assay. The isolated compounds were identified as methyl gallate (1), gallic acid (2), 1,6-di-O-galloyl ${\beta}$-$\small{D}$-glucopyranoside (3), and 1,4,6-tri-O-galloyl ${\beta}$-$\small{D}$-glucopyranoside (4) based on MS and NMR analyses. Among the four compounds, no. 4 was isolated from this plant for the first time. Their DPPH radical-scavenging activities based on $SC_{50}$ decreased in the following order: 4 (6.9 ${\mu}M$)>3 (8.3 ${\mu}M$)>2 (10.0 ${\mu}M$)>1 (10.3 ${\mu}M$).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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