Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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2009.01a
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pp.49-54
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2009
Synchronization between media is an important aspect in the design of multimedia streaming system. This paper proposes a precise media synchronization mechanism for digital video and audio transport over IP networks. To support synchronization between video and audio bitstreams transported over IP networks, RTP/RTCP protocol suite is usually employed. To provide a precise mechanism for media synchronization between video and audio, we suggest an efficient media synchronization algorithm based on NPT (Normal Play Time) which can be derivable from the timestamp information in the header part of RTP packet generated for the transport of video and audio streams. With the proposed method, we do not need to send and process any RTCP SR (sender report) packet which is required for conventional media synchronization scheme, and accordingly could reduce the number of required UDP ports and the amount of control traffic injected into the network.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11b
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pp.370-373
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2001
Temperature-dependent current-voltage characteristics of Organic Light-Emitting Diodes(OLEDs) were studied. The OLEDs were based on the molecular compounds, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD) as a hole transport and tris(8-hydroxyquinoline) aluminum($Alq_3$) as an electron transport and emissive material. The current-voltage characteristics were measured in the temperature range of 10[K] and 300[K]. A conduction mechanism in OLEDs was interpreted in terms of tunneling and trap-filled limited current.
A two-dimensional direct numerical simulation is performed to investigate the formation characteristics of a single vortex interacting with $CH_4/N_2$-Air counterflow nonpremixed flame. The numerical method was based on a predictor-corrector scheme for a low Mach number flow. The detailed transport properties and a 16-step augmented reduced mechanism are adopted in this calculation. The budgets of the vorticity transport equation arc examined to reveal the mechanisms leading to the formation, evolution and dissipation of a single vortex interacting with counterflow nonpremixed flame. It is found that the stretching term, which depends on the azimuthal component of vorticity, and radial velocity, mainly generates vortieitv in non-reacting and reacting flows. The viscous and baroclinic torque term destroy the vorticity in non-reacting flow. In addition, the baroclinic torque term due to density and pressure gradient generates vorticity, while viscous and the volumetric expansion terms due to density gradient destroy vorticity in reacting flow.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.23
no.9A
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pp.2282-2288
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1998
ATM techniques ar ewidely accepted as a key transport mechanism infiber-based broadband network. However, to keep pace with the rpid emerging wireless high speed market, it is desirable to verify the reliability & daptability of ATM protocol on high error environment. This paper investigates the various ATM cell transfer characteristics over air interface. Though simulation, we analyze their usabilities of HeC mechanism and single-bit error correction algorithm based on ITU-T recommendation. We propose some methods for cell transport improvement over errored environment and investigate their performance for suggested schemes.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.5
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pp.365-370
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2000
Schottky contacts on n-In$\_$0.53//Ga$\_$0.47//As have been made by metal deposition on substrates cooled to a temperature of 77K. The current-voltage and capacitance-voltage characteristics showed that the Schottky diodes formed at low temperature had a much improved barrier height compared to those formed at room temperature. The Schottky barrier height ø$\_$B/ was found to be increased from 0.2eV to 0.6eV with Ag metal. The saturation current density of the low temperature diode was about 4 orders smaller than for the room temperature diode. A current transport mechanism dominated by thermionic emission over the barrier for the low temperature diode was found from current-voltage-temperature measurement. Deep level transient spectroscopy studies exhibited a bulk electron trap at E$\_$c/-0.23eV. The low temperature process appears to reduce metal induced surface damage and may form an MIS (metal-insulator-semiconductor)-like structure at the interface.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.149-152
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2000
AC impedance measurements on poly-p-phenylenevinylene (PPV) LEDs in the frequency range between 10 Hz and 10$\^$6/ Hz were carried out. The complex-plane impedance spectra indicate that PPV devices can be represented by equivalent circuits that corresponds to the bulk and interfacial regions at high and low frequencies, respectively. As a result of complex impedance analysis through the separation of bulk and interfacial region impedances, increase of forward bias in Al/PPV/ITO devices gave rise to relative decrease of the interfacial region impedance. Above the electric field of 10$\^$6/ V/cm the PPV device showed a space charge limited current (SCLC) conduction. The dependence of the transport mechanism and dielectric properties on the applied bias voltage is discussed.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.6
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pp.668-672
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2004
Upon Debye's dielectric relaxation theory, we tried simple determination method of trap level in organic EL materials. From dielectric measurements in the 20 Hz - 1 MHz frequency range and in the 150 K - 320K temperature range, the depth of traps in Alq$_3$ filled with remaining electrons was determinated. Comparing to other determination techniques like TSL, or TL, the apparatus all we need is just simple LCR meter, thermometer and cooling method(liquid nitrogen). The mean activation energy is about 0.20 eV. It is in good agreement with previous determinations by other techniques like TSL. This results consolidate the validity of Burrow's transport mechanism model. Further intensified experiment with UV light on the dielectric absorption(Photodipolair effect) was nevertheless disturbed by the photoconductivity component.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11a
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pp.370-373
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2001
Temperature-dependent current-voltage characteristics of Organic Light-Emitting Diodes (OLEDs) were studied. The OLEDs were based on the molecular compounds, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD) as a hole transport and trois(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq$_3$) as an electron transport and emissive material. The current-voltage characteristics were measured in the temperature range of 10[K] and 300[K]. A conduction mechanism in OLEDs was interpreted in terms of tunneling and trap-filled limited current.
Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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2004.11a
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pp.596-599
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2004
The media transport systems, such as printers, copiers, facsimile, ATMs, cameras, etc., have been widely used and being developed rapidly. In the development of those systems, the media feeding mechanism is an important key technology for the design and development of the media transport systems. In this paper, a multi-degree of freedom sheet model with dynamic contact conditions is presented to understand the mechanism of sticking and jamming. A sheet is modelled as a cantilever beam and the feeding velocity is assumed to be constant. The relation between the feeding velocity and the coefficient of friction for guaranteeing stable feeding is presented. Simulations are performed for a horizontal linear guide and a oblique linear guide, calculating the contact force and contact states of mass points.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.11
no.12
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pp.2361-2365
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2007
Temperature-dependent current-voltage characteristics of Organic Light-Emitting Diodes(OLEDs) were studied. The OLEDs were based on the molecular compounds, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3- methylrhenyi)-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD) as a hole transport and tris(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3) as an electron transport and emissive material. The current-voltage characteristics were measured in the temperature range of 10[K] and 300[K]. A conduction mechanism in OLEDs was interpreted in terms of tunneling and trap-filled limited current.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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