• 대한금속재료학회지
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• 제49권2호
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• pp.192-196
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• 2011

The multi-layered thin film with an ITO/Ag/ITO structure was produced on PET by using magnetron reactive sputtering method. First, 30 nm of ITO thin film was coated on PET by using normal temperature process. Then 20-52 nm of the Ag thin film was coated. Lastly, 30 nm of ITO thin film was coated on Ag layer. The sample of the 20 nm Ag thin film showed more than 70% transmission and a $2.7{\Omega}/{\Box}$ sheet resistance. When compared to the existing single-layered transparent conducting thin film, multi-layered film was found to be superior with about $5{\Omega}/{\Box}$ less sheet resistance. However, since the Ag layer became thinner, the band gap energy needs to be increased to more than 3.5 eV.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 춘계 학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.69-69
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• 2002

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제36회 동계학술대회 초록집
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• pp.269.1-269.1
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• 2009

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2006년도 춘계학술발표대회 및 제10회 신소재 심포지엄 논문개요집
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• pp.30.2-30.2
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• 2006

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제36권6호
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• pp.96-104
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• 2008

본 연구에서는 고대 칠 기법을 규명하기 위하여 4가지 그룹의 표준칠편을 제작하여 광학현미경(투광, 낙사광, 편광)을 이용한 관찰을 실시하였다. 그룹 I 은 투명한 적갈색을 띠며 일부 층의 구분이 불명확하였고 연마가 된 층은 구분이 쉽게 되었다. 그룹 II는 대부분 투명 황갈색을 띠며 목재표면에 먼저 흑색안료를 메운 후 칠한 칠층과 흑색안료를 혼합하여 칠 한 칠층은 구분이 가능하였다. 그룹 III은 칠이 경화되는 과정에서 상층 부분이 먼저 막을 형성하고 내부는 칠과 불포화지방산이 산화 건조되어 상층의 칠층이 분리되어 관찰되었다. 그룹 IV의 칠도 막은 편광에서 관찰시 철 성분이 검은색과 붉은색으로 혼합되어 보이며 토분은 실리카 결정이 빛의 반사에 의하여 구분되어 졌다. 또한 석간주 칠층은 붉은색을 띠고 주칠과 석간주가 혼합된 칠은 윗부분과 아랫부분이 짙은 붉은 색을 띠며 가운데는 밝은 붉은색으로 구분되어 졌다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.40-40
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• 2010

Structural, electrical, and optical properties of atomic layer-controlled AI-doped ZnO (ZnO:Al) films grown on glass by atomic layer deposition (ALD) were characterized with various $Al_2O_3$ film contents for use as transparent electrodes. Unlike films made using sputtering methods, the diffraction peak position of the films grown by ALD based on alternate self-limiting surface chemical reactions moved progressively to a wider angle (red shift) with increasing $Al_2O_3$ film content, which seems to be evidence of Zn substitution in the film by layer-by-layer growth. By adjusting the $Al_2O_3$ film content, the electrical resistivity of ZnO:Al film with the $Al_2O_3$ film content of 2.96% reached the lowest electrical resistivity of $9.80{\times}10^{-4}\Omega{\cdot}cm$, in which the carrier mobility, carrier concentration, and optical transmittance were $11.20\;cm^2V^{-1}s^{-1}$, $5.69{\times}10^{20}\;cm^{-3}$, and 94.23%, respectively. Moreover, the estimated figure of merit value for the transparent conductive oxide applications from our best sample was $7.7\;m{\Omega}^{-1}$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.490.1-490.1
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• 2014

The ZnO nanowire (NW)-based nanogenerators (NGs) can have rectifying current and potential generated by the coupled piezoelectric and semiconducting properties of ZnO by variety of external stimulation such as pushing, bending and stretching. So, ZnO NGs needed to enhance durability for stable properties of NGs. The durability of the metal electrodes used in the typical ZnO nanogenerators(NGs) is unstable for both electrical and mechanical stability. Indium tin oxide (ITO) is used as transparent flexible electrode but because of high cost and limited supply of indium, the fragility and lack of flexibility of ITO layers, alternatives are being sought. It is expected that carbon nanotube and Ag nanowire conductive coatings could be a prospective replacement. In this work, we demonstrated transparent flexible ZnO NGs by using CNT/Ag nanowire hybrid electrode, in which electrical and mechanical stability of top electrode has been improved. We grew vertical type ZnO NW by hydrothermal method and ZnO NW was coated with hybrid silicone coating solution as capping layer to enhance adhesion and durability of ZNW. We coated the CNT/Ag nanowire hybrid electrode by using bar coating system on a capping layer. Power generation of the ZnO NG is measured by using a picoammeter, a oscilloscope and confirmed surface condition with FE-SEM. As a results, the NGs using the CNT/Ag NW hybrid electrode show 75% transparency at wavelength 550 nm and small change of the resistance of the electrode after bending test. It will be discussed the effect of the improved flexibility of top electrode on power generation enhancement of ZnO NGs.

• 센서학회지
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• 제24권1호
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• pp.15-21
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• 2015

Transparent and conductive multilayer thin films consisting of three alternating layers FZTO/Ag/$WO_3$ have been fabricated by radio-frequency (RF) sputtering for the applications as transparent conducting oxides and the structural and optical properties of the resulting films were carefully studied. The single layer fluorine doped zinc tin oxide (FZTO) and tungsten oxide ($WO_3$) films grown at room temperature are found to have an amorphous structure. Multilayer structured electrode with a few nm Ag layer embedded in FZTO/Ag/$WO_3$ (FAW) was fabricated and showed the optical transmittance of 87.60 % in the visible range (${\lambda}=380{\sim}770nm$), quite low electrical resistivity of ${\sim}10^{-5}{\Omega}cm$ and the corresponding figure of merit ($T^{10}/R_s$) is equivalent to $3.0{\times}10^{-2}{\Omega}^{-1}$. The resultant power conversion efficiency of 2.50% of the multilayer based OPV is lower than that of the reference commercial ITO. Asymmetric D/M/D multilayer is a promising transparent conducting electrode material due to its low resistivity, high transmittance, low temperature deposition and low cost components.

• 한국음향학회지
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• 제35권6호
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• pp.491-500
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• 2016

본 논문에서는 공기를 통과시켜 풍압을 저감하면서 소음을 제어할 수 있는 새로운 개념의 방음벽의 음향감쇠 특성을 분석하였다. 통기형 방음벽의 소음저감 특성을 조사하기 위하여 우선 개구부의 크기 및 공명기의 체적 등을 변화시켜 총 17가지 방음벽 모델의 음향감쇠계수를 측정하였다. 실험결과 공명기의 체적과 개구부의 면적에 따라 음향감쇠계수 값이 달라지고 있으며, 목표 주파수대역(400 ~ 1250 Hz)에서 단일 방음벽보다 이중 방음벽의 음향감쇠계수가 더 높게 나타났다. 이를 통해 개구부 및 공명기의 물리적 특성이 통기형 방음벽의 차음특성에 영향을 미친다는 점을 밝혀냈다.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.241-246
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• 2003

ATO(antimony-doped tin oxide) 투명전도막을 sol-gel dip coating 방법에 의해 $SiO_2$/glass 기판 위에 성공적으로 제조하였다 ATO막의 결정상은 $SnO_2$상임을 확인하였고, 막의 두께는 withdrawal speed를 50 mm/minute로 코팅시 약 100 nm/layer였다. $SiO_2$/glass 기판 위에 코팅한 400 nm두께의 ATO 박막을 질소분위기에서 annealing한 후, 측정한 광 투과율과 전기 저항치는 각각 84%와 $5.0\times 10^{-3}\Omega \textrm{cm}$였다. 이러한 특성은 $SiO_2$막이 Na 이온의 확산을 제어하여 $Na_2SnO_3$ 및 SnO와 같은 불순물의 형성을 억제하고, 막 내부의 Sb의 농도와 $Sb^{3+}$에 대한 $Sb^{5+}$의 비를 증가시키는데 기여했기 때문으로 확인되었다. 또한, $N_2$ annealing은 $Sb^{5+}$뿐만 아니라 $Sn^{4+}$를 환원시킴으로써 전기전도도를 향상시킴을 확인하였다.