• 자원리싸이클링
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• 제31권1호
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• pp.46-55
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• 2022

최근 희유금속 자원 회수에서 초경합금 스크랩 재활용의 중요성이 증가하고 있다. 그러나 IV, V족 전이금속 질화물로 코팅된 초경합금 스크랩에서 고순도 분말 회수에서 어려움을 겪고 있다. 제1원리 계산을 사용하여 IV 및 V족 전이금속 질화물(TiN, VN, ZrN, NbN, HfN 및 TaN)의 구조, 탄성 및 기계적 특성을 조사하였다. IV족 전이금속 질화물은 V족 전이금속 질화물보다 높은 공유결합 특성을 보였다. 따라서 IV족 전이금속 질화물은 V족 전이금속 질화물보다 취성 거동을 보였다. 대조적으로 V족 전이금속 질화물은 최외각전자 농도에 영향받는 금속결합의 특성 때문에 IV족 전이금속 질화물보다 전단응력에 대한 약한 저항성과 연성 거동을 보였다. Crystal orbital Hamilton population 분석 결과는 모든 전이금속 질화물의 전단 저항 경향성이 일치함을 보여주었다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2016년도 자성 및 자성재료 국제학술대회
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• pp.155-155
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• 2016

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제17권3호
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• pp.285-288
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• 1996

The electrical conductivity of some phthalimide derivatives and their complexes with Co(II), Ni(II), Cu(II), or Zn(II) has been measured in the temperature range 290-435 K. Both the structure of phthalimide molecule and its complexes played an effective role in the conduction process. Conductometric titration and IR spectra were used to characterize the structure of studied samples.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.303.2-303.2
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• 2014

The oxides of group IV transition metals such as titanium, zirconium, hafnium have many important current and future application, including protective coatings, sensors and dielectric layers in thin film electroluminescent (TFEL) devices. Recently, group IV transition metal oxide films have been intensively investigated as replacements for SiO2. Due to high permittivities (k~14-25) compared with SiO2 (k~3.9), large band-gaps, large band offsets and high thermodynamic stability on silicon. Herein, we report the synthesis of new group IV transition metal complexes as useful precursors to deposit their oxide thin films using chemical vapor deposition technique. The complexes were characterized by FT-IR, 1H NMR, 13C NMR and thermogravimetric analysis (TGA). Newly synthesised compounds show high volatility and thermal stability, so we are trying to deposit metal oxide thin films using the complexes by Atomic Layer Deposition (ALD).

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제24권6호
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• pp.832-836
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• 2003

To extend the knowledge of triple bonding between group 6 transition metal and heavier group 14 elements, the structural and bonding aspects of ($η^5-C_5H_5$)$(CO)_2$M≡ER (M = Cr, Mo, W; E = Si, Ge, Sn, Pb) are investigated by hybrid density functional calculations at the B3PW91 level. Substituent effects are also investigated with R = H, Me, $SiH_3$, Ph, $C_6H_3-2,6-Ph_2$, $C_6H_3-2,6-(C_6H_2-2,4,6-Me_3)_2$, and $C_6H_3-2,6-(C_6H_2-2,4,6- iPr_3)_2$.

• 분석과학
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• 제12권6호
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• pp.465-471
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• 1999

클로로메틸화폴리스틸렌에 디에틸렌트리아민을 선형과 집게형으로 지지시킨 수지를 합성하고 이 수지에 전이금속이 흡착되는 속도를 limited-bath법으로 측정하였다. 이 결과에서 확산계수, 활성화 엔트로피와 활성화 자유에너지를 구하였다. 속도론적 데이터에서 전이금속이 수지에 흡착되는 반응 과정의 속도결정단계는 확산과정임을 알 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제28권12호
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• pp.2153-2161
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• 2007

The transition metal-induced in situ generation of carbene complexes from alkynes having a carbonyl or imino group as a nucleophilic functionality has been investigated. These reactive carbenoid species are generated with high atom efficiency through a 6-endo-dig cyclization mode based on the electrocyclization of vinylidene complexes or a 5-exo-dig cyclization mode in π-alkyne complexes, and have been found to serve as versatile intermediates in catalytic carbene transfer reactions. Highlighted and reviewed in this account are the generation and preparation of pyranylidene, furylcarbene, pyrrolylcarbene, and vinylcarbene complexes and their application to [3,3]sigmatropic rearrangement of acylcyclopropylvinylidenes, catalytic cyclopropanation reactions, [2,3]sigmatropic rearrangement or condensation reactions via ylides, ring-opening and substitution reactions with heteroaromatic compounds, and catalytic isomerization of oligoynes.

• 한국자기학회지
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• 제1권1호
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• pp.6-11
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• 1991

희토류금속과 천이금속의 화합물인 희토류 영구자석의 전기적, 자기적 성질등을 이해하고 자우리는 $SmCo_{5},\;NdB_{6},\;NdFe_{5},\;NdFe_{4}B$등의 비교적 간단한 희토류 화합물에 대한 자체충족적 전자구조 이론연구를 시도하였다. 국재 밀도함수 근사 LMTO(Linearized Muffin Tin Orbital)밴드 방법을 이용하여 $SmCo_{5}$ 영구자석을 포함한 희토류 금속 화학물의 기저상태의 물리적 파라미터들, 즉 에너지 밴드, 상태밀도, Stoner상수, 자기 모멘트 등을 구하여 이들의 전자기적 물성을 고찰하였다. Nd, Sm등의 희토류원소와 Fe, Co등의 천이원소, 또한 boron등의 원소들이 서로 금속 화합물을 형성할 때 일어나는 bonding효과, 즉 희토류금속의 f-전자와 d-전자, 천이금속의 d-전자, 또한 boron 금속의 s,p-전자와의 상호 작용, 그에 따른 전자구조, 자성의 변화에 대한 연구를 수행하였다.

• 한국자기학회지
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• 제10권3호
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• pp.139-142
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• 2000

이중 perovskite구조를 가진 전이금속 산화물 L $a_2$MnFe $O_{6}$ 기본 전자구조를 범밀도 함수법을 기초로 한 국소밀도 근사를 이용한 FLAPW방법으로 계산하였다. 여러 자성 구조의 전에너지 계산은 이 물질이 강자성 구조가 반강자성 구조보다 안정됨을 보여 주었다. 각 전이금속의 이온 상태는 자성 구조에 따라 달라짐을 보였다(강자성 $_Mn^{4+}$ , F $e^{2+}$ 준강자성 $_Mn^{3+}$ , F $e^{3+}$ ). 이것은 전이금속 사이의 초교환작용 이론으로 잘 설명되었고 계산 결과는 최근의 실험과 일치 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.29-29
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• 1999

The synthesis of layered structures on the nanometer scale has become essential for continued improvements in the operation of various electronic and magnetic devices. Abrupt metal-metal interfaces are desired for applications ranging from metallization in semiconductor devices to fabrication of magnetoresistive tunnel junctions for read heads on magnetic disk drives. In particular, characterizing the interface structure between various transition metals (TM) and aluminum is desirable. We have used the techniques of MeV ion backscattering and channeling (HEIS), x-ray photoemission (ZPS), x-ray photoelectron diffraction(XPD), low-energy ion scattering (LEIS), and low-energy electron diffraction(LEED), together with computer simulations using embedded atom potentials, to study solid-solid interface structure for thin films of Ni, Fe, Co, Pd, Ti, and Ag on Al(001), Al(110) and Al(111) surfaces. Considerations of lattice matching, surface energies, or compound formation energies alone do not adequately predict our result, We find that those metals with metallic radii smaller than Al(e.g. Ni, Fe, Co, Pd) tend to form alloys at the TM-Al interface, while those atoms with larger atomic radii(e.g. Ti, Ag) form epitaxial overlayers. Thus we are led to consider models in which the strain energy associated with alloy formation becomes a kinetic barrier to alloying. Furthermore, we observe the formation of metastable fcc Ti up to a critical thickness of 5 monolayers on Al(001) and Al(110). For Ag films we observe arbitrarily thick epitaxial growth exceeding 30 monolayers with some Al alloying at the interface, possible driven by interface strain relief. Typical examples of these interface structures will be discussed.