본 연구의 목적은 벽면제트영역의 열전달증진을 위해 직삼각형 로드 및 정사각형 로드를 충돌판앞에 배열한 후 로드와 충돌판 사이의 간극을 변화시키면서 열유동 특성을 실험적으로 검토한 것이다. 열전달증진율은 천이영역인 H/B=10보다는 포텐셜코어영역인 H/B=2에서 더 높게 나타났다. 본 실험범위에서 최대 열전달증진율은 직삼각형 로드를 설치할 때(H/B=2, C=1mm인 조건) 로드가 없는 평판과 비교하면 평균 약 46% 높게 나타났다. 그리고 직삼각형 로드와 정사각형 로드의 열전달증진율을 비교하면 간극 변화와 관계없이 직삼각형 로드가 정사각형 로드보다 평균 약 3~8% 정도 높게 나타났다.
An experimental study has been performed on the flow over a rotating disk, where the diameter of the disk is 500 mm and the maximum vertical deviation of the upper surface is $50 \mu{m}$ for the whole range of the angular velocity up to 3400 rpm. The flow visualization experiment for the wall jet flow induced by impinging circular jet is carried out using schlieren system and measurements are made by 3-hole and 5-hole pitot tubes. Schlieren photographs show that as the rotating speed increases the wall jet flow becomes more stable and the size of the largest eddies becomes smaller. Measurements for impinging jet flow on the stationary disk verify the accuracy of the present experiment, and those for free rotating disk flow display the existence of transition region from laminar to turbulent flows. Measurements for impinging jet flow on the rotating disk exhibit the interaction between the wall jet and the viscous pumping effect, which explains the decay in size of turbulent eddies illustrated by the schlieren photographs.
Chemical Mechanical Polishing (CMP) is referred to as a three body tribological system, because it includes two solids in relative motion and the CMP slurry. On the assumption that the abrasives between the pad and the wafer could be a major reason not only for the friction force but also for material removal during polishing, the friction force generated during CMP process was investigated with the change of abrasive size and concentration of CMP slurry. The threshold point of average coefficient of friction (COF) with increase in abrasives concentration during interlayer dielectric (ILD) CMP was found experimentally and verified mathematically based on contact mechanics. The predictable models, Mode I (wafer is in contact with abrasives and pad) and Mode II (wafer is in contact with abrasives only), were proposed and used to explain the threshold point. The average COF value increased in the low abrasives concentration region which might be explained by Mode I. In contrast the average COF value decreased at high abrasives concentration which might be regarded to as Mode II. The threshold point observed seemed to be due to the transition from Mode I to Mode II. The tendency of threshold point with the variation of abrasive size was studied. The increase of particle radius could cause contact status to reach transition area faster. The correlation between COF and material removal rate was also investigated from the tribological and energetic point of view. Due to the energy loss by vibration of polishing equipment, COF value is not proportional to the material removal rate in this experiment.
This paper temperature gradient thermally stimulated surface potentian (TG-TSSP) in measurements are applied to the study of the polarity of trapped and ionic carriers in cross-linked polyethylene (XLPE) filsm. In the thermally stimulated current in uniform temperature (TSC) of XLPE five peaks appear as indicated of the A B C D and E. In this paper A (at about -120$^{\circ}C$) D (at about 70$^{\circ}C$) and E (at about 110$^{\circ}C$) peaks are investigated. A peak is due to the biassing voltage and biassing temperature. Appear in to the glass transition temperature territory and caused in to the polarization of dipole. D peak is due to the depolarization of ionic space charge and E peak due to the detrapping of carriers injected from the electrodes. TG-TSSP and TSSP are measured to study the polarity of ionic carrier (D peak). In the unsatureated region of ionic space charge polarization, TG-TSSP is lower than TSSP during the initial stage of heating. Result of the experiment for E peak, TG-TSSP is higher than TSSP during the initial stage of heating and these results do not depend on the polarity of biassing voltage, and E peak is concerned with positive carriers (Holes).
Experimental study was conducted to obtain the air velocity profiles in turbulent pipe flow. The acrylic smooth pipe (${\phi}=80mm$) was used for the test section of the flow loop. It was known that the velocity profiles of turbulent flow were different with Reynolds numbers and the viscous sublayer was usually quite thin. The following conclusions were drawn from the experimental investigations. Maximum velocity of the pipe center and flow-rate are useful for the duct design on the spot. The velocity profiles of high Reynolds number was flatter than those of low Reynolds number. It was known that the exponent, n, for power-law velocity profiles was $6{\sim}9$ depending on Reynolds number ranging from $10^4$ to $10^5$ in the turbulent flow, However, in this experiment study, it was $9{\sim}14$ depending on Reynolds number ranging from 17,000 to 123,727 in the turbulent flow, and $1.7{\sim}3.5$ depending on Reynolds number ranging from 2,442 to 4,564 in the transition region.
한성 비정질 투휘석$(Ca,Mg)SiO_3$에 대한 상변이 연구를 압력은 다이아몬드앤빌기기를 이용하여 ∼30 GPa까지, 온도는 약(YAG) 레이저 가열기기를 이용하여 ∼$1000^{\circ}C$에서 조사(scanning)하여 시행하였다. 비정질 투휘석은 고온-고압 하에서 곧바로 등축정계에 속하는 단상의 $(Ca,Mg)SiO_3$페롭스카이트 결정구조로 상변이 하였다. 이러한 결과는 고온-고압 하에서 사방정계에 속하는 $MgSiO_3$페롭스카이트 상과 등축정계에 속하는 $CaSiO_3$페롭스카이트 상으로 분리되는 상변이를 하는 결정질 투휘석의 상변이 계통과는 큰 차이를 보이고 있다. 이러한 차이는 출발시료의 차이점이나 특히 온도가 상변이에 큰 영향인자로 작용하여 기인한 것으로 판단된다. 이러한 강변이 관계는 맨틀의 온도, 압력 및 산소분압 차이 등에 의해 맨틀전이대나 하부맨틀을 구성하는 광물상의 조합에 영향을 줄 수 있다.
급증하는 디지털 사진 데이터를 내용정보를 고려하여 효율적으로 관리하기 위해서는 무엇보다도 각 사진 이미지들이 얼마나 유사한지를 밝히는 것이 중요하다. 이를 위해 사진을 블록 단위로 분할하고 높은 유사도를 가지는 상위 블록 쌍을 이용하여, 그리디 알고리즘에 기반한 2차원 정렬(alignment)을 통해 주변 블록으로 유사 매칭 영역을 확장함으로써 동일한 객체 혹은 배경을 공유하고 있는지를 판별한다. 제안하는 정렬 알고리즘을 이용해 전체 이미지상에서 최적의 매칭 유사도 값을 가지는 블록영역을 추출해낼 수 있으며, 객체의 이동이나 자세의 변경 및 카메라의 줌 변경에 구애 받지 않으면서 계산이 가능하다. 실험을 통해 다양한 사진에 대해서 제안한 방법이 어떻게 적용될 수있는 지를 알아보고, 추후의 디지털 사진 클러스터링 및 대용량 사진 관리에 유용하게 활용될 수 있음을 살펴본다.
한국작물학회 2017년도 9th Asian Crop Science Association conference
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pp.186-186
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2017
Relay intercropping system of direct seeded rice and winter cereal is labor saving cultivation and has high land use efficiency in Japan. In this system, rice seeds are direct seeded into inter-row space of winter cereals (wheat or barley) in March or April. If the direct seeding of rice is conducted before stem elongation phase or using suitable seeder, these are little effect to yield of winter cereals. Though the seeds are generally thiuram treated, it's a matter that seedling establishment rate (SER) of direct seeded rice is low and unstable. The cause of low SER has not been revealed. In present study, with the aim to reveal causes of low SER, we conducted experiments and investigated the SER, and analyzed some factors that might affect SER. Experiment1: In 2015, 2016, we buried rice seeds underground, and investigated the transition of the seed survival rates (SSR). Seeds were thiuram-treated or non-treated. In 2 periods, SSR of thiuram-treated seeds were significantly higher than non-treated seeds. In 2016, thiuram-treated seeds were high in SSR (almost 75%) at April 30th, but low SER (10~27%) after harvest of winter cereals. Therefore, almost all of seed death might have been happen after germination. Analysis 1: We investigated the SER and cultivation conditions in Ibaraki pref. for several years. Meteorological factors were referred from the nearest point of AMeDAS. From mean temperature (MT) among 5days after and before the day, we divided the period of seeding ~June 20 to phase1~4. We defined each phase as below; Phase1: $MT{\leq}10^{\circ}C$, Phase2: $10^{\circ}C<MT{\leq}15^{\circ}C$, Phase3:$15^{\circ}C<MT{\leq}20^{\circ}C$, Phase4: $MT>20^{\circ}C$. We analyzed the correlation of SER and meteorological factors by each phase. Total number of days in phase 1~4 was significantly negative correlated with SER. In phase1, total rain fall and number of soil wetting days were significantly negative correlated with SER. In phase2~4, only MT was significantly positive correlated with SER. This result suggested that rainfalls in phase1 declined seed vigor to emergence from soil surface, by repeated water absorption and re-dry. From these present studies, it was suggested that one of factors of low SER of direct seeded rice in relay intercropping system is changing of water condition by rainfalls in phase1 ($MT{\leq}10^{\circ}C$). To improve SER, it's necessary to consider something seed treatments such as prevent water absorption during phase1. However, 58~60% of seeds seemed to die during May. It's suggested that, if seeds are thiuram treated, almost all of seeds can germinate underground, but the seed vigor to emergence from soil surface are insufficient. Further studies are needed to reveal the rest causes that is happening during emergence from soil surface.
멀티레벨 잉크젯 프린터는 다양한 도트 크기 및 다른 농도를 가진 잉크를 사용함으로써 뛰어난 색재현과 부드러운 계조를 표현할 수 있다. 이에 멀티토닝 기법에 관한 많은 연구 노력들이 더 나은 영상 화질을 위해 진행되고 있다. 하지만 멀티토닝은 프린터가 출력할 수 있는 레벨에서 일정 구간 같은 잉크가 찍히는 banding artifact가 발생한다. 이는 특히 부드러운 계조 변화 영역에서 불연속성이나 시각적으로 좋지 않은 결과를 낳게 된다. 따라서 이러한 banding artifact를 줄이기 위하여 본 논문에서는 개선된 임계값 배율 조정함수를 이용하여 프린터 출력 레벨에서 이웃 출력 잉크의 혼합 비율을 제어함으로써 잉크 분포를 조절하는 멀티토닝 방법을 제안한다. Banding artifact가 발생하는 영역에서의 잉크 분포는 이웃 출력 잉크의 혼합 시점을 조절하는 임계값 배율 조정 함수의 두 인자에 의해 달라진다. 따라서 8명의 관찰자를 이용하여 여러 가지 인자 값에 대한 프린터 출력 레벨에서의 잉크 분포를 조사하였다. 그 결과, 특정 인자 값을 가진 임계값 배율 조정 함수를 사용함으로써 시각적으로 부드러운 계조 변화를 표현할 수 있었다. 실험에서는 제안한 방법을 칼라와 회색조 ramp 영상에 적용하여 banding artifact 감소와 색재현성에서의 더 나은 성능을 확인하였다.
$CdIn_2S_4$ (110) films were grown on semi-insulating GaAs (100) by a hot wall epitaxy method. Using photocurrent (PC) measurement, the PC spectra in the temperature range of 30 and 10 K appeared as three peaks in the short wavelength region. It was found that three peaks, A-, B-, and C-excitons, correspond to the intrinsic transition from the valence band states of ${\Gamma}_4(z),\;{\Gamma}_5(x),\;and\;{\Gamma}_5(y)$ to the exciton below the conduction band state of ${\Gamma}_1(s)$, respectively. The 0.122 eV crystal field splitting and the 0.017 eV spin orbit splitting were obtained. Thus, the temperature dependence of the optical band gap obtained from the PC measurement was well described by $E_g$(T)=2.7116eV - $(7.65{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2$/(425+T). But, the behavior of the PC was different from that generally observed in other semiconductors. The PC intensities decreased with decreasing temperature. This phenomenon had ever been reported at a PC experiment on the bulk crystals grown by the Bridgman method. From the relation of log $J_{ph}$ vs 1/T, where $J_{ph}$ is the PC density, two dominant levels were observed, one at high temperatures and the other at low temperatures. Consequently, the trapping centers due to native defects in the $CdIn_2S_4$ film were suggested to be the causes of the decrease in the PC signal with decreasing temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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