• 디지털산업정보학회논문지
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• 제4권4호
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• pp.21-29
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• 2008

The DC characteristics of GaAS Gunn diode are investigated as a preliminary study on the planar grade gap injector GaAs Gunn diode which is the transferred electron device with high output power and dc-rf conversion efficiency. The Gunn devices we fabricated were confirmed to have the DC characteristics of negative differential resistance(NDR). We discussed the nature of the NDR effect, including the electron intervalley transfer; the NDR effect was examined for six different cathode radii.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권7호통권361호
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• pp.1-8
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• 2007

고주파에서 동작하는 높은 출력전력과 dc-rf 변환효율을 가진 GaAs Gunn 다이오드에 대한 기본 연구로써, graded gap injector를 가진 planar 형태의 GaAs Gunn 다이오드를 제작하고 그 DC 특성을 살펴보았다. 제안된 에피 구조를 사용하여 GaAs Gunn 다이오드 소자를 설계, 제작하였으며 이동전자소자인 Gunn 다이오드의 DC 특성이 부성미분저항을 가짐을 확인하였다. 제작된 소자의 부성미분저항 특성을 다이오드의 cathode 반지름의 함수로 고찰하였으며, 이 과정을 통하여 계곡 간 전자이동 특성을 분석하였다.

• 한국진공학회지
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• 제12권3호
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• pp.182-192
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• 2003

밀리미터파 대역용 고속 PHEMT 소자 제작 및 개발을 위하여 다층 리지스트 및 다원자 기판 구조에서 전자빔 리소그래피 공정을 분석할 수 있는 새로운 몬테 카를로 시뮬레이션 모델을 개발하였다. 전자빔에 의해 다층 다원자 타겟 기판 구조에 전이되는 에너지를 정확하고 효율적으로 계산하기 위하여 다층 리지스트 및 다층 다원자 기판 구조에서 시뮬레이션 가능하도록 새로이 모델링하였다. 본 논문에서 제안 개발된 모델을 사용하여 PHEMT 소자의 전자빔 리소그래피에 의한 T-게이트 형성 공정을 시뮬레이션하고 SEM측정 결과와 비교 분석하여 타당성을 검증하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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• pp.613-616
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• 2001

공 부활제로 KCI, Cl, S 및 P를 각각 첨가한 발광충을 전자 빔 방법에 의해 성장시킨 2중 절연구조의 SrS:Ce electroluminescent(EL) device를 제작하여, 공 부활제가 EL device의 휘도에 미치는 영향을 조사였다. 휘도 및 발광파장은 첨가되는 공 부활제 및 농도에 의하여 상당한 영향을 받고 있음을 알았다. 어느 공 부활제에서나 전체 휘도는 0.2 mol%에서 최고를 나타냈으며, CeCl$_3$+KCL를 첨가한 소자가 최고 850cd/$m^2$를 나타내었다. 또한 CeP를 첨가한 소자의 경우 전체 휘도는 낮았으나 청색 휘도의 비율은 가장 높았으며, 이 비율은 농도의 상승에 따라 증가했다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제48권5호
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• pp.1219-1229
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• 2016

The present paper reports on a trial to shed further light on the characterization, applications, and operation of radar speed guns or Gunn diodes on different radiation environments of neutron or g fields. To this end, theoretical and experimental investigations of microwave oscillating system for outer-space applications were carried out. Radiation effects on the transient parameters and electrical properties of the proposed devices have been studied in detail with the application of computer programming. Also, the oscillation parameters, power characteristics, and bias current were plotted under the influence of different ${\gamma}$ and neutron irradiation levels. Finally, shelf or oven annealing processes were shown to be satisfactory techniques to recover the initial characteristics of the irradiated devices.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.489.2-489.2
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• 2014

The planar type flexible piezoelectric energy harvesters (PEH) based on PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT) thin films on the flexible substrates are demonstrated to convert mechanical energy to electrical energy. The planar type energy harvesters have been realized, which have an electrode pair on the PZT thin films. The PZT thin films were deposited on double side polished sapphire substrates using conventional RF-magnetron sputtering. The PZT thin films on the sapphire substrates were transferred by PDMS stamp with laser lift-off (LLO) process. KrF excimer laser (wavelength: 248nm) were used for the LLO process. The PDMS stamp was attached to the top of the PZT thin films and the excimer laser induced onto back side of the sapphire substrate to detach the thin films. The detached thin films on the PDMS stamp transferred to adhesive layer coated on the flexible polyimide substrate. Structural properties of the PZT thin films were characterized using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). To measure piezoelectric power generation characteristics, Au/Cr inter digital electrode (IDE) was formed on the PZT thin films using the e-beam evaporation. The ferroelectric and piezoelectric properties were measured by a ferroelectric test system (Precision Premier-II) and piezoelectric force microscopy (PFM), respectively. The output signals of the flexible PEHs were evaluated by electrometer (6517A, Keithley). In the result, the transferred PZT thin films showed the ferroelectric and piezoelectric characteristics without electrical degradation and the fabricated flexible PEHs generated an AC-type output power electrical energy during periodically bending and releasing motion. We expect that the flexible PEHs based on laser transferred PZT thin film is able to be applied on self-powered electronic devices in wireless sensor networks technologies. Also, it has a lot of potential for high performance flexible piezoelectric energy harvester.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.634-634
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• 2013

Transfer molding methods have a problem that weak adhesion between nanostructures and substrates. It is important to make various nano scale applications, also the stability of nanostructure on substrate is related with device performance. We studied an effect of poly 4-vinylphenol (PVP) as the polymeric adhesion layer between organic nanowires and a Si substrate when the nanowires are transferred by liquid-bridge-mediated nanotransfer molding method (LB-nTM). Their structural stability was examined by optical microscopy, scanning electron microscopy as multiple transfer molding and washing process. Field-effect transistors were fabricated with organic semiconductor nanowires on a polymeric adhesion layer and their electrical properties showed no significant difference as the one without the adhesion layer. As a result, adhesion layer can be used in the washing process and making multi-layer nano-scale patterns.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권6호
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• pp.752-758
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• 1995

Red emitting CaS:Eu,S electroluminescent(EL) device prepared at 550.deg. C by an electron-beam evaporation technique, demonstrated luminance of 175cd/m$\^$2/ and efficiency of 0.311m/W with 3kHz drive. Luminance was increased with the increase of applied voltage and frequency. From the results of the PL spectrum and the EL spectrum, the CaS:Eu, S device showed emission peak near 640nm resulted from the transition of EU$\^$2+/ 4f$\^$6/5d.rarw.4f$\^$7/. The capacitance of the phosphor layer from the Sawyer-Tower circuit was 10.5nF/cm$\^$2/.

• 한국자기학회지
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• 제25권5호
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• pp.149-155
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• 2015

자성박막의 미세패턴 소자 제작을 위해 전자 사이크로트론 공명(electron cyclotron resonance; ECR) Ar 이온밀링 시스템을 제작하였다. 소자 식각에 적용한 ECR 이온밀링 시스템에서 주파수 2.45 GHz 파장 12.24 cm의 마이크로파 소스인 마그네트론은 전력 600 W에 의해 가동되어 파장의 정수배에 맞추어 만든 도파관을 통하여 전달되도록 설계하였다. 마이크로파 주파수와 공명시키기 위해 전자석으로 908 G의 자기장을 인가하였고, 알곤 개스를 cavity에 유입시켜서 방전된 이온들은 그리드 사이에 인가한 약 1000 V의 가속전압에 의한 에너지를 갖고 표면을 밀링한다. 이것을 이용하여 다층구조 GMR-SV(giant magnetoresistance-spin valve) 자성박막에 광 리소그래피, 이온밀링 및 전극제작 공정과정을 마치고 폭이 $1{\mu}m$에서 $9{\mu}m$까지의 소자들을 제작하여 광학현미경으로 소자 크기를 관찰하였다.

• 공업화학
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• 제2권4호
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• pp.311-329
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• 1991

산화주석전극 위에 LB 법에 의해 단분자층상으로 흡착된 양친매성 Os 착체의 전기화학적 거동을 살펴보았다. 또한 단분자막형태로 흡착된 redox 종의 전극반응의 이론식을 가역, 비가역, 준가역파에 대하여 검토하였고, 이들막이 진공증착된 $SnO_2$ 전극 위로 전이될 때, 그 전극에서 흐른 전체 전하를 cyclic voltammogram 의 그림적분법에 의해 구하였다. 그리고 이들 단분자막을 이용한 전자이동 중개반응의 응용면도 $Fe^{2+}$, TEMPOL 등을 이용해 해석하였다. 이들 측정된 cyclic voltammogram을 이론식으로부터 유도하여 분자들간의 상호작용 parameter를 고려해서 simultation 하였다. 이들로부터 구해진 parameter 들은 측정된 cyclic voltammogram 과 거의 일치함을 확인할수 있었다. 마지막으로 LB 법을 이용한 최근의 연구동향 및 응용분야를 소개하였다.