The galvanostatic anodization of commercially Pure titanium plate (c.p.Ti, grade 2) was investigated in various concentrations of aqueous $H_3PO_4$ from 0.05M to 0.7M. The surfaces of anodic oxide films, formed by the current density in the range between 0.3 and $l.0 A/dm^2$. were analyzed by SEM and XRD. The voltage-time (V-T) curves displayed an initial linear part and a subsequent parabolic part, and the initial slopes increased with an increase in the current density in 0.05M $H_3PO_4$. As the concentration of the electrolyte increased, the V-T corves exhibit no change but the final voltage decreased. The anodic oxide film of titanium developed from fine grains to snowflake-like grains in a layered structure with an increase in the concentration of the electrolyte and current density. Sparking at the interface of the oxide/electrolyte accompanied the local deposition and dissolution of the oxide film through discharging. The crystallinity of the anodic oxide film increased with the anodizing voltage and decreased with an increase in the concentration of the electrolyte.
$(TiO_{2})$ thin films were deposited on p-Si(100) substrate by APMOCVD using titanium isopropoxide as a source material. The deposition mechanism was well explained by the simple boundary layer theory and the apparent activation energy of the chemical reaction controlled process was 18.2kcal /mol. The asdeposited films were polycrystalline anatase phase and were transformed into rutile phase after postannealing. The postannealing time and the film thikness as well as the postannealing temperature also affected the phase transition. The C-V plot exhibited typical charateristics of MOS diode, from which the dielectric constant of about 80 was obtained. The capacitance of the annealed film was decreased but those of the Nb or Sr doped films were not changed. I-V characteristics revealed that the conduction mechanism was hopping conduction. The postannealing and the doping of Nb or Sr cause to decrease the leakage current and to increase the breakdown voltage.
Kim, Han-Joo;Hong, Kyeong-Mi;Sung, Bo-Kyung;Park, Soo-Gil
Journal of the Korean Electrochemical Society
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v.11
no.2
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pp.95-99
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2008
This study has made the electrode that is coated zirconium oxide on the titanium by ESD(Electrostatic spray deposition) coating methode. It has investigated the effects of the etching method of a Ti substrate as the preparation, making of zirconium oxide film and electrochemical characteristics of the electrode that is etched on the titanium. The HCl etching develops a fine and homogeneous roughness on the Ti substrate. Fabrication and material properties of the metal oxide electrode, which is known to be so effective to generate ozone and hypochlorous acid (HOCl) as power oxidant, were studied. A proper metal oxide material is focus zirconium oxide through reference. A coating method to enhance the fabrication reproducibility of the zirconium oxide electrode was used ESD coating method by zirconium oxychloride. Zirconium oxide films on the Ti substrate were tested using SEM, XRD, Cyclic voltammetry.
We deposited diamond-like carbon (DLC) films using ion beam sputtering of a graphite target on flat substrates for use as a thin film field emitter. An n-type silicon wafer, titanium-coated silicon, and indium tin oxide (ITO) coated glass were used as a substrate. All films exhibited a sudden increase in the emission after a breakdown occurred at high voltage. The morphology of the films after the breakdown depended on the substrate. On ITO and Ti substrates, the DLC film peeled off upon breakdown, but on the Si substrate the surface melting due to breakdown resulted in the formation of various structures such as a sharp point, mound, and crater. By scanning the deformed surface with a tip anode, we found that the emission was concentrated at the deformed sites, indicating that the field enhancement due to the morphology change was responsible for the increased emission.
In this study, we developed plasma electrolytic oxidation (PEO) process for aluminum 7075 alloy to improve the corrosion and mechanical properties. The electrolyte consists of potassium hydroxide and sodium silicate. Additionally, sodium stannate was added into the electrolyte to investigate its effect on PEO film formation. Titanium was used as the counter electrode. Plasma generation voltage reduced from 300V to 150 V by adding 4 g/L of sodium stannate. The thin oxide films were observed by SEM(Scanning Electron Microscopy)/EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) for quantitative and qualitative analyses. XRD (X-ray diffraction) and XRF (X-ray Fluorescences) analyses were also carried out to identify oxide layer on aluminum 7075 surface. Vicker's hardness test was performed on the PEO-treated aluminum 7075 surface.
Phase transition kinetics of nonstoichiometric amorphous titanium oxide thin films deposited by reactive sputtering was investigated after cooling down with various rate followed by l0min.-3hrs. annealing at $500^{\circ}C$~$600^{\circ}C$ After short duration and fast cooling. Magneli was the only crystalline phase because the oxidation rates of $TiO_{2-x}$, could be relatively slower than that of crystallization. When the films were cooled slowly between $500^{\circ}C$~$300{\circ}C$, Magneli was transformed into an anatase and stabilized, but directly into a rutile under fast cooling. Because the rutile also prevailed after cooling from $600^{\circ}C$, it was concluded that the rutile phase could be formed directly from Magneli as well as converted from the anatase. Changes in volume and surface morphology were observed related to crystallization and oxidation processduring heat treatment.
Titanium oxide films were prepared by RF reactive magnetron sputtering. The effect of sputtering conditions on structural and optical properties was investigated systemically as a function of sputtering pressure(5~20 mTorr) and $O_2/Ar$ flow ratio(0.08~0.4). The results of the X-ray diffraction showed that all films had only the anatase $TiO_2$ phase. At low sputtering pressure and $O_2/Ar$ flow ratio, the films had preferred orientations along [101] and [200] directions. As the sputtering pressure and $O_2/Ar$ flow ratio increased, the intensity of the 101 and 200 diffraction peaks decreased gradually. The microstructure of the sputtered films showed the fine grain size (20nm~50nm) and columnar microcrystals perpendicular to the substrate. With increasing the sputtering pressure and decreasing $O_2/Ar$ flow ratio, the sputtered films showed the more porous columnar structure. XPS analysis showed that stoichiometric $TiO_2$ films were deposited at 7 mTorr sputtering pressure and 0.2 $O_2/Ar$ flow ratio. The results of the X-ray diffraction showed that all films had only the anatase $TiO_2$ phase. Ellipsometeric analysis showed that the refractive index increased from 2.32 to 2.46 as the sputtering pressure decreased. The packing density calculated using the refractive index varied from 0.923 to 0.976, indicating that $TiO_2$films became denser as the sputtering pressure decreased.
Transparent conductive metal oxide films of $In_{2-x}Sn_xO_3$ (ITiO) and $In_{2-x}Sn_xO_3$ (ITO) were deposited by RF magnetron sputtering at relatively low substrate temperature (~$300^{\circ}C$) and at high rate (~10nm/min). Electrical and optical properties of the films were investigated as well as film structure and morphology, as it is compared with the commercial F:$SnO_2$ (FTO) glass. Near infrared ray transmittance of ITiO is the highest for wavelengths over 1000nm, which can increase dye sensitized compared to ITiO and FTO. Dye-sensitized solar cells (DSCs) were fabricated using the ITiO, ITO and FTO. Photoconversion efficiency ($\eta$) of DSC using ITiO is 5.5%, whereas 5.0% is obtained from DSC with ITO, both at 100mW/$cm^2$ light intensity.
This study was purposed to evaluate the influence of anodically oxidized film on titanium (Ti) onto MG-63 osteoblast-like cell attachment and activity. Only scratch lines created by polishing were seen in ASR and ANO-1 groups. About $1.5{\mu}m$-thick homogeneous oxide film which has pores of about $0.5{\mu}m$ diameter were formed in ANO-12. The crystalline structure of the oxide films formed by anodization in phosphoric acid electrolyte was $TiP_2O_7$. The total protein amounts of ANO-1 and ANO-12 groups showed higher values of maximum protein amount than that of AS-R group. At 3 days of incubation, total protein amount showed higher value in ANO-2 when comparing to that of AS-R (p<0.05). Based on the results of ALPase activity test, the degree of MG-63 cell differentiation for initial mineralization matrix formation was similar. For all the test groups after 1 day of incubation, MG-63 cells grew healthily in mono-layer with dendritic extensions. After incubation for 3 days, the specimen surfaces were covered more densely by cells, and numerous micro filaments were extruding to the extracellular matrix.
Titanium-doped indium oxide (ITiO) films were prepared on soda-lime glass substrate using a magnetic null discharge (MND) sputter source. The ITiO thin films containing 10 wt.% Ti showed the minimum resistivity of ${\rho}=5.5{\times}10^{-3}{\Omega}cm$. The optical transmittance increases from 70% at 450 nm to 80% at 700 nm in visible spectrum. The surface roughness of the sample showed a change from 10 nm to 50 nm. The ITiO film used for TCO layer of DSCs exhibited an energy conversion efficiency of about 3.8 % at light intensity of 100 $mW/cm^2$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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