Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.245-245
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2016
본 연구에서는 선형 대향 타겟 스퍼터 (Linear Facing Target Sputtering: LFTS) 시스템을 이용하여 ITO와 Ti doped $In_2O_3$ (TIO) 타겟을 Co-sputtering한 InSnTiO 투명 전극의 전기적, 광학적 특성을 연구하였다. InSnTiO 투명전극의 전기/광학적 및 구조적 특성은 Hall measurement, UV/Vis spectrometry, X-ray Diffraciton 분석법을 통해 최적화 하였고, DC power, substrate to target distance (TSD), target to target distance (TTD), ambient treatment 변수 조절을 통해 최적화된 LFTS InSnTiO 투명전극을 제작하였다. LFTS 공정을 이용한 InSnTiO 투명전극의 성막 공정 중 DC파워와 공정압력 변화에 따른 구조적, 표면적 특성 변화는 Field-Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM) 과 X-ray Diffractometer (XRD) 분석을 통해 관찰하였다. 이렇게 증착된 InSnTiO 투명전극은 급속열처리 시스템으로 (Rapid Thermal Annealing system) 후열처리를 진행하여 투과도의 향상과 면저항의 감소를 확인하였다. 본 연구에서는 다양한 분석을 통해 Co-sputtering한 InSnTiO 박막의 특성과 다양한 장점을 소개한다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.288-288
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2012
In this study, we investigated that the resistance switching characteristics of W-doped NbOx films with increasing W doping concentration. The W-doped NbOx based ReRAM devices with a TiN/W-doped NbOx/Pt/Ti/SiO2 were fabricated on Si substrates. The 50 nm thick W-doped NbOx films were deposited by reactive dc magnetron co-sputtering at $400^{\circ}C$ and oxygen partial pressure of 35%. Micro-structure of W-doped NbOx films and atomic concentration were investigated by XRD, TEM and XPS, respectively. The W-doped NbOx films showed set/reset resistance switching behavior at various W doping concentrations. The process voltage of set/reset is decreased and whereas the initial current level is increased with increasing W doping concentration in NbOx films. The change of resistance switching behavior depending on doping concentration was discussed in terms of concentration of metallic tungsten of oxygen of W-doped NbOx.
A mechanism for formation of surface reoxidation layer in Surface Boundary Layer Capacitor (SBLC) has been studied. SBLC were prepared by reduction of $BaTiO_3$ doped with $Bi_2O_3$ and electrode firing of silver paste containing $Bi_2O_3$ The apparent dielectric constant was in the order of $10^5$ and the insulation resistance larger than $10^6$$\Omega$ It can be expected that $Bi_2O_3$ dopant in $BaTiO_3$ plays the role of inhibition of grain growth and decreasing the resistivity of $BaTiO_3$. In order to confirm the process of surface reoxidation layer effects of atmosphere and annealing time in electrode sintering were investigated.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.32
no.5
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pp.175-182
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2022
Rare-earth elements were doped with Mg to enhance the temperature stability of dielectric properties of BaTiO3 for its application to MLCC (Multi-Layer Ceramic Capacitor). The additives strongly affect both grain growth and densification behaviors during sintering, and hence dielectric properties. The additive effects therefore should be examined in each system with different additives. This study investigated the crystal structure, grain growth and densification behaviors and related variations in dielectric constant with respect to sintering temperature. Dielectric constant appears to be varied with grain size in a temperature range between 1200 and 1300℃, suggesting the importance of grain size control. The temperature dependence of grain size variation was well explained by an established theory correlating the grain growth behavior with grain boundary structure. This accordance provides a basis for sintering technique to control grain growth thus to improve dielectric constant in rare-earth doped BaTiO3.
The effects of $Dy_2O_3$ and $Er_2O_3$ co-doping on electrical properties and temperature stability of barium titanate ($BaTiO_3$) ceramics were investigated in terms of microstructure and structural analysis. The dielectric constant and the insulation resistance (IR) of 0.7 mol% $Dy_2O_3$ and 0.3 mol% $Er_2O_3$ co-doped dielectrics had about 60% and 20% higher than the values of undoped one, respectively, and the temperature coefficient of capacitance (TCC) met the X7R specification. The addition of $Dy_2O_3$ contributed to electrical properties caused by increase of tetragonality; however, preferential diffusion of $Dy^{3+}$ ions toward A site in $BaTiO_3$ grain exhibited an adverse effect on temperature stability by grain growth. On the other hand, The $Er_2O_3$ addition in $BaTiO_3$ could affect the TCC behavior and the IR with suppression of grain growth caused by reinforcement of grain boundary and electrical compensation. Therefore, the enhanced electrical properties and temperature stability through the co-doping could be deduced from the increase of tetragonality and the suppression of grain growth.
Bae, Jihee;Kim, Jun Chan;Kim, Myong-Ho;Lee, Soonil
Korean Journal of Materials Research
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v.30
no.2
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pp.61-67
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2020
BiFeO3 with perovskite structure is a well-known material that has both ferroelectric and antiferromagnetic properties called multiferroics. However, leaky electrical properties and difficulty of controlling stoichiometry due to Bi volatility and difficulty of obtaining high relative density due to high dependency on the ceramic process are issues for BiFeO3 applications. In this work we investigated the sintering behavior of samples with different stoichiometries and sintering conditions. To understand the optimum sintering conditions, nonstoichiometric Bi1±xFeO3±δ ceramics and Ti-doped Bi1.03Fe1-4x/3TixO3 ceramics were synthesized by a conventional solid-state route. Dense single phase BiFeO3 ceramics were successfully fabricated using a two-step sintering and quenching process. The effects of Bi volatility on microstructure were determined by Bi-excess and Ti doping. Bi-excess increased grain size, and Ti doping increased sintering temperature and decreased grain size. It should be noted that Ti-doping suppressed Bi volatility and stabilized the BiFeO3 phase.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.49
no.6
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pp.521-529
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2016
In this study, titanium nanotubes, prepared by anodization method, showing high surface and strong chemical stability in acidic and basic media, have been employed for the application to the electrodes for water splitting in KOH solution. Due to its high polarization resistance of $TiO_2$ itself, proper catalysts are essentially required to reduce overpotentials for water oxidation and reduction. Most of academic literature showed noble metal catalysts for foreign dopants in $TiO_2$ electrodes. From commercialization point of view, screening of low-cost catalyst is important. Herein, we propose molybdenum oxide as low-cost catalysts among various catalysts tested in the experiments, which exhibits the highest performance for hydrogen evolution reaction in highly alkaline solution. We showed that molybdenum oxide doped electrode can be operated in extreme acidic and basic conditions as well.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.436-439
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2000
Change of dielectric loss of use in high relative permitivity capacitor BaTiO$_3$ ceramic depends on Mn doping have been investigated. The powders used in this study were commercial BaTiO$_3$, TiO$_2$and, MnCO$_3$. Sample was fabricated by conventional ceramic process. The quantity of Mn was changed gradually from 0.lmol% to 10mo1%. The sintering densities were reduced with increasing amount of MnCO$_3$. This result is because of increase of low density second phase BaMnO$_3$. When the samples were doped by over 0.2mol% of MnCO$_3$, average grain sizes were enlarge to several tens ${\mu}{\textrm}{m}$. The dielectric losses were reduced by Mn doping to lmol% but, increased from lmol% to 10mo1% gradually.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2009.05a
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pp.191-191
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2009
최근 많은 환경오염물질을 제거하기 위한 방법으로 광촉매를 이용한 기술들이 다양하게 활용되고 있다. 본 연구에서는 높은 비표면적을 갖는 관촉매를 제조하기 위해, 전기화학적인 방법인 양극 산화법을 사용하여 기지 Ti 금속 표면에 pore 형태의 광촉매용 $TiO_2$를 제조하고, 염료분해 반응을 통해 광촉매의 효율을 조사하였다. 또한 염료분해 효율을 높이기 위해 $Eu(NO_3)_3$를 첨가하여 염료분해 반응에 미치는 영향에 대해 조사하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2011.05a
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pp.140-140
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2011
최근 많은 환경오염물질을 제거하기 위한 방법으로 광촉매를 이용한 기술들이 다양하게 활용되고 있다. 본 연구에서는 높은 비표면적을 갖는 광촉매를 제조하기 위해, 전기화학적 방법인 양극 산화법을 통하여 기지 Ti 금속 표면에 nanotube 형태의 광촉매용 $TiO_2$를 제조하고, 염료분해 반응을 통해 광촉매의 효율을 조사하였다. 또한 염료분해 효율을 높이기 위해 Ag와 Pd를 도핑하여 염료분해 반응에 미치는 영향에 대해 조사하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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