• 한국윤활학회:학술대회논문집
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• 한국윤활학회 2001년도 제33회 춘계학술대회 개최
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• pp.401-405
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• 2001

The effects of oxide layer formed on TiN coated ball and counter-body have been investigated from the frictional point of view during sliding tests. AISI52100 steel ball was used for the substrate of coated specimens. Two types of coated specimens were prepared by depositing TiN coating with 1 and 4$\mu\textrm{m}$ in coating thickness. AISI1045 steel was used for the disk type counter-body. To investigate the effect of oxide layer on the contact parts of two materials, the tests were performed both in ambient for forming oxide layer on the contact parts and in nitrogen environment to avoid oxidation.

• 한국물환경학회지
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• 제32권1호
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• pp.46-51
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• 2016

In this study, we synthesized a combination of graphene oxide (GO) and titanium dioxide (TiO₂) and confirm that GO can be used for CO₂ photoreduction. TiO₂ exhibited highly efficient combination with other conventional electric charges generated by these paration phenomenon for suppression of hole-electron recombination. This improved the efficiency of CO₂ photoreduction. The synthetic form of GO-TiO₂ used in this study was agraphene sheet surrounded by TiO₂ powder. Efficiency and stability were enhanced by combination of GO and TiO₂. In a CO₂ photoreduction experiment, the highest CO conversion rate was 0.652 μmol/g·h in GO10-TiO₂ (2.3-fold that of pure TiO₂) and the highest CH₄ production rate was 0.037 μmol/g·h in GO0.1-TiO₂ (2.4-fold that of pure TiO₂). GO enhances photocatalytic efficiency by functioning as a support and absorbent, and enabling charge separation. With increasing GO concentration, the CH₄ level decreases to~45% due to decreased transfer of electrons. In this study, TiO₂ together with GO yielded a different result than the normal doping effect and selective CO₂ photoreduction.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.61-61
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• 2000

Device의 고성능화를 위하여 소자의 고속화, 고집적화가 가속됨에 따라 SALICIDE Process가 더욱 절실하게 요구되고 있다. 이러한 SALICIDE Process의 재료로써는 metal/silicide 중에서 비저항이 가장 낮은 TiSi2(15-25$\mu$$\Omega$cm), CoSi2(17-25$\mu$$\Omega$cm)가 일반적으로 많이 연구되어 왔다. 그러나 Ti-silicide의 경우 Co-silicide는 배선 선폭의 감소에 따른 면저항 값의 변화가 작으며, 고온에서 안정하고, 도펀트 물질과 열역학적으로 안정하여 화합물을 형성하지 않는다는 장점이 있으마 Ti처럼 자연산화막을 제거할 수 없어 Si 기판위에 자연산화막이 존재시 균일한 실리사이드 박막을 형성할 수 없는 단점등을 가지고 있다. 본 연구에서는 Ti Capping layer 에 의한 균일한 Co-silicide의 형성을 일반적인 Si(100)기판과 SCl 방법에 의하여 chemical Oxide를 성장시킨 Si(100)기판의 경우에 대하여 연구하였다. 스퍼터링 방법에 의해 Co를 150 증착후 capping layer로써 TiN, Ti를 각각 100 씩 증착하였다. 열처리는 RTP를 이용하여 50$0^{\circ}C$~78$0^{\circ}C$까지 4$0^{\circ}C$ 구간으로 N2 분위기에서 30초 동안 열처리를 한후, selective metal strip XRD, TEM의 분석장비를 이용하여 관찰하였다. lst RTP후 selective metal strip 후 면저항의 측정과 XRD 분석결과 낮은 면저항을 갖는 CoSi2로의 상전이는 TiN capping과 Co 단일박막이 일반적인 Si(100)기판과 interfacial oxide가 존재하는 Si(100)기판위에서 Ti capping의 경우보다 낮은 온도에서 일어났다. 또한 CoSi에서 CoSi2으로 상전이는 일반적인 Si(100)기판위에서 보다 interfacial Oxide가 존재하는 Si(100)기판 위에 TiN capping과 Co 단일박막의 경우 열처리 후에도 Oxide가 존재하는 불균인한 CoSi2박막을 관찰하였으며, Ti capping의 경우 Oxise가 존재하지 않는 표면과 계면이 더 균일한 CoSi2 박막을 형성 할 수 있었다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제20권6호
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• pp.106-106
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• 2002

This study investigated variations of micro-structures and mechanical properties of Ti / STS321L joint with various bonding temperature and time using brazing method. According to increasing bonding temperature and time, it was observed that the thickness of their reaction layer increased due So increasing diffusion rate and time. From the EPMA results, Ti diffused to the STS321L substrate according to increasing bending time to 30min. Hardness of bonded interface increased with increasing bonding temperature and time due to increasing their oxides and intermetallic compounds. XRD data indicated that Ag, Ag-Ti intermetallic compounds, TiAg and Ti₃Ag and titanium oxide, TiO₂were formed in interface. In tensile test, it was found that the tensile strength had a maximum value at the bonding temperature of 900℃ and time of 5min, and tensile strength decreased over bonding time of 5min. The critical thickness of intermetallic compounds was observed to about 30㎛, because of brittleness from their excessive intermetallic compounds and titanium oxide, and weakness from void.

• 한국표면공학회지
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• 제33권1호
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• pp.3-9
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• 2000

Arc-melted alloys of TiAl-(o.25, 0.5, 1.0at%) Si were isothermally oxidized at 800, 900 and $1000^{\circ}C$ in air for 60hr. It was found that the oxidation resistance of the prepared TiAl-Si alloys was much better than that of pure TiAl, being progressively increasing with an increase in the Si content. This was attributed to the formation of $SiO_2$in addition to ($TiO_2$+$Al_2$$O_3$) oxides which formed in TiAl alloys with and without silicon additions. However, the silica formation within the oxide layer unfortunately accelerated the oxide scale spallations. During oxidation, all the elements in the base alloy diffused outward, whereas oxygen from the atmosphere diffused inward. The oxides were primarily composed of an outer thick $TiO_2$layer, an intermediate diffuse $Al_2$$O_3$layer and an inner $TiO_2$layer. A small amount of $SiO_2$was present all over the oxide scale and some voids were found around the intermediate layer.

• Journal of Welding and Joining
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• 제20권6호
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• pp.830-837
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• 2002

This study investigated variations of micro-structures and mechanical properties of Ti / STS321L joint with various bonding temperature and time using brazing method. According to increasing bonding temperature and time, it was observed that the thickness of their reaction layer increased due So increasing diffusion rate and time. From the EPMA results, Ti diffused to the STS321L substrate according to increasing bending time to 30min. Hardness of bonded interface increased with increasing bonding temperature and time due to increasing their oxides and intermetallic compounds. XRD data indicated that Ag, Ag-Ti intermetallic compounds, TiAg and $Ti_3Ag$ and titanium oxide, $TiO_2$ were formed in interface. In tensile test, it was found that the tensile strength had a maximum value at the bonding temperature of $900^{\circ}C$ and time of 5min, and tensile strength decreased over bonding time of 5min. The critical thickness of intermetallic compounds was observed to about $30\mu\textrm{m}$, because of brittleness from their excessive intermetallic compounds and titanium oxide, and weakness from void.

• Journal of Photoscience
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• 제2권1호
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• pp.7-11
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• 1995

Powders of artificial crystallites of titanium(IV) oxide, TiO$_2$(B), were synthesized by the calcination of tetratitanic acid (hydrate, $H_2Ti_4O_9H_2O$; TTA). The relating titanates, potassium octatitanate ($K_2Ti_8O_{17}$) and octatitanic acid($H_2Ti_8O_{17}$), were also prepared. These powders, loaded with small amount of Pt, were suspended in an aqueous solution of 2-propanol and irradiated under argon atmosphere at 298 K + 0.5 deg. All the photocatalysts tested in this study produced almost equimolar amount of acetone and molecular hydrogen (H$_2$). Among them TiO$_2$(B) and TYA showed the higher photocatalytic activity but rather lower than commercial titanium(IV) oxide (TiO$_2$) powders. The photocatalytic activity of TiO$_2$(B) for 2-propanol dehydrogenation in deaerated aqueous suspension increased with the elevating calcination temperature. Comparison of rate of H$_2$ formation from methanol and 2-propanol solutions by the TiO$_2$(B) photocatalyst suggested a possibility of selection of substrate with its molecular size by TiO$_2$(B)

• 전기화학회지
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• 제11권2호
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• pp.95-99
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• 2008

본 연구에서는 ESD(Electrostatic spray deposition) 코팅법을 이용하여 지르코늄 산화물을 티타늄에 코팅한 전극을 제조하였다. 전처리과정에서 티타늄 기판의 에칭 방법 효율과 에칭된 티타늄 기판에 지르코늄 산화물 막의 제조 및 전기 화학적 특성에 대하여 연구하였다. 염산 에칭은 티타늄 기판에 가늘고 균일한 홈이 생성된다. 강력한 산화제로 사용되는 오존과 차아염소산을 생성하는 효과적인 금속 산화물 전극의 제작과 물질의 특성에 대해 고찰하였고 참고문헌을 통해 지그코늄 산화물에 초점을 맞추었다. 지르코늄 산화물 전극의 제작의 재현성을 향상시키기 위한 코팅 방법으로 지르코늄 옥시클로라이드의 ESD 코팅법을 사용하였다. 티타늄 기판 위에 지르코늄 산화물 막의 형성에 대한 테스트로 SEM, XRD, Cyclic voltammery를 수행하였다.

• 공업화학
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• 제34권6호
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• pp.584-589
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• 2023

지지체 TiO₂가 다른 VOx/TiO₂ 촉매들에 대해 특성 분석과 SCR 반응을 수행하였다. Sigma Aldrich 사의 anatase TiO₂와 TiOCl₂와 TTIP를 출발 원료로 제조한 TiO₂를 사용하여 VOx/TiO₂ 촉매를 제조하고, 이를 각각 VS, VC, VP로 표시하였다. VS 시료의 비표면적은 VC 및 VP 시료 대비 1/10 이하로서 바나듐 산화물의 분산성은 상대적으로 낮았다. XPS 분석 결과, 촉매 표면의 흡착 산소의 비는 Ti³⁺가 존재하는 VS와 VP 시료가 VC 시료에 비해 높았다. 또한 VC와 VP시료에서 바나듐은 바나듐 산화물의 분산성과 관련하여 주로 V⁴⁺와 V³⁺ 상태로 존재하였다. 250 ℃ 이하 NH₃-SCR 활성에는 바나듐 산화물의 분산성보다는 흡착 산소 양이 더 기여한 반면, 300 ℃ 이상 활성에는 바나듐 산화물의 분산성이 더 기여하는 것으로 판단되었다. 촉매들의 fast SCR 활성은 3 시료 모두 NO₂/NOx = 0.5에서 가장 높았으며, VS < VC < VP 시료 순으로 나타났다. 빠른 NH₃-SCR 촉매 활성에는 촉매의 바나듐 산화물의 분산성이 영향을 크게 미친다고 판단되었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1993년도 춘계학술발표회
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• pp.37-38
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• 1993