• Title/Summary/Keyword: Ti 전극

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Carbon nano-tube as the Counter electrode for Dye-sensitized Solar cell (탄소나노튜브 상대전극을 이용한 염료감응형 태양전지)

  • Koo, Bo-Kun;Lee, Dong-Yoon;Kim, Hyun-Ju;Lee, Won-Jae;Song, Jae-Sung
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2004.11a
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    • pp.691-694
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    • 2004
  • 염료감응형 태양전지는 다공질 $TiO_2$ 전극막, 광감응형 염료, 전해질, 상대전극으로 구성된, 전기화학적 원리를 응용한 신형태양전지이다. 염료감응형 태양전지의 상대전극으로 주로 Pt가 사용되고 있는데 본 연구에서는 탄소나노튜브를 사용하여 상대전극으로서의 가능성을 조사하였다. 제조된 탄소나노튜브 상대전극은 cyclic voltammetry와 Impedance spectroscopy을 이용하여 전기화학적 특성을 측정하였다. 또한 탄소 나노튜브 상대 전극이 태양전지의 효율 및 그 특성에 미치는 영향을 알아보기 위하여 단위 셀 태양전지를 제조하여 단파장 하에서의 광전특성을 측정하고, 이를 바탕으로 탄소나노튜브의 상대전극으로서의 가능성을 제시하였다.

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Design of Electrodes of the Tapered Region of the Traveling-Wave Optical Modulator: SOR Method (진행파 광변조기의 Taper영역 전극 설계 : SOR기법)

  • 정석원;김창민
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.7 no.1
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    • pp.77-86
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    • 1996
  • We employ the SOR method to analyze CPW electrodes of Ti:$LiNbO_3$ Mach-Zehnder traveling-wave optical modulator in the tapered region of an optical modulator. In the tapered region of the modulator, we design the electrodes satisfying $Z_c=50{\Omega}$. In the modulation region, we find two find sets of design parameters. One set is for $Z_c=50{\Omega}$, $n_{eff}=2.26$ and the another is for $n_{eff}=2.2$, $Z_c=47.7{\Omega}$.

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a-IGZO 박막을 적용한 저항메모리소자의 단 극성 스위칭 특성 평가

  • Gang, Yun-Hui;Mun, Gyeong-Ju;Lee, Tae-Il;Myeong, Jae-Min
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.78.1-78.1
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    • 2012
  • 비 휘발성 저항 메모리소자인 resistance random access memory (ReRAM)는 빠른 동작특성과 저 전압 특성을 나타내고 비교적 간단한 소자구조로 고집적화에 유리하여 기존의 DRAM과 flash 메모리, SRAM 등이 갖고 있는 한계를 극복할 수 있는 차세대 메모리소자로써 각광받고 있다. 현재, 이성분계 산화물, 페로브스카이트 산화물, 고체 전해질 물질, 유기재료 등을 응용한 저항 메모리소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 ZnO 를 기반으로 하는 amorphous InGaZnO (a-IGZO) 박막은 저온에서 대면적 증착이 가능하며 다른 비정질 재료에 비해 높은 전하 이동도를 갖기 때문에 박막트랜지스터 적용 시 우수한 전기적 특성을 나타낸다. 또한 빠른 동작특성과 높은 저항 변화율을 보이기 때문에 ReRAM에 응용 가능한 재료로써 기대되고 있다. 본 연구에서는 MOM(metal/oxide/metal) 구조를 기반한 TiN/a-IGZO/ITO 구조의 소자를 제작하여 저항 메모리 특성을 평가하였다. IGZO 박막은 radio frequency (RF) sputter 를 이용하여 ITO/glass 기판 위에 증착하였다. MOM 구조를 위한 상부 TiN 전극은 e-beam evaporation 을 이용하여 증착하였다. 제작된 저항 메모리소자는 안정적인 unipolar resistive switching 특성을 나타내었으며, TiN 상부전극과 IGZO 계면 간의 Transmission Electron Microscopy (TEM) 분석을 통해 전압 인가 후 전극 금속 물질의 박막 내 삽입으로 인한 금속 필라멘트의 형성을 관찰 할 수 있었다. 합성된 박막의 형태와 결정성은 Scanning electron microscope (SEM)와 X-ray Diffraction (XRD)을 통해 평가 하였으며, 제작된 소자의 전기적 특성은 HP-4145 를 이용하여 측정하고 비교 분석하였다.

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선형 대향 타겟 스퍼터 시스템을 이용하여 성막한 Ti-doped $In_2O_3$ 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성 연구

  • Lee, Ju-Hyeon;Sin, Hyeon-Su;Kim, Han-Gi
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.325-325
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    • 2013
  • 본 연구에서는 선형 대향 타겟 스퍼터(Linear Facing Target Sputtering: LFTS) 시스템을 이용하여 성막한 Ti-doped In2O3 (TIO) 투명 전극의 전기적, 광학적 특성을 연구하였다. LFTS 시스템을 이용하여 유리기판 위에 TIO 박막을 증착시킬 때, 타겟과 기판 사이의 거리(Target-to-Substrate Distance)를 30 mm, 타겟과 타겟 사이의 거리(Target-to-Target Distance)를 65 mm, Ar/$O_2$ 가스의 비율 100:1로 각각 고정한 후, TIO 타겟에 인가되는 DC 파워와 공정압력을 변수로 TIO 박막을 하였다. LFTS 공정을 이용한 TIO 투명전극의 성막 공정 중 DC파워와 공정압력 변화에 따른 구조적, 표면적 특성 변화는 field-effect scanning electron microscopy (FE-SEM) 과 x-ray diffractometry (XRD) 분석을 통해 관찰되었다. 이렇게 증착된 200 nm 두께의 TIO 투명전극은 급속열처리 시스템으로 700도에서 후 열처리를 진행하였으며 상온에서 217.5 ohm/sq의 면저항을 나타내는 TIO박막이 열처리후 35 ohm/sq로 면저항이 급격히 감소됨을 확인하였다. 뿐만 아니라 열처리후 가시광선 영역 (400~800 nm)에서의 TIO 박막의 평균 투과율이 81.02%에서 83.4%로 향상됨을 UV/visible spectrometry 분석을 통해 확인하였다. 본 연구에서는 다양한 분석을 통해 TIO 박막의 특성과 ITO와 구별되는 다양한 장점을 소개한다.

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The Effects of Deposition Temperature of Pt Top Electrodes on the Electrical Properties of PZT Thin Films (Pt 상부 전극 증착온도가 PZR 박막의 전지적 특성에 미치는 영향)

  • Lee, Kang-Woon;Lee, Won-Jong
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.8 no.11
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    • pp.1048-1054
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    • 1998
  • The effects of deposition temperature of Pt top electrodes on the electrical properties of Pb(Zr,Ti))$O_3$, (PZT) thin film were investigated. When the Pt top electrodes were deposited at substrate temperatures of $200^{\circ}C$ or above,the ferroelectric properties of the PZT thin film under the Pt electrode were severely degraded. Whereas those of the PZT film where the Pt electrodes were not deposited were not degraded. Water vapors which remained in the vacuum chamber were dissociated into hydrogen atoms by the catalysis of Pt top electrode, and those hydrogen atoms diffused into the PZT film and produced oxygen vacancies at high substrate temperature, resulting in the degradation of the ferroelectric properties of the PZT film located under the Pt electrode. Since the water vapors could not be dissociated into hydrogen atoms without the catalysis of Pt. the degradation of the PZT film did not take place where the Pt electrode were not deposited. The degraded feroelectric properties could be recovered by rapid thermal annealing (RTA) treatment. On the other hand. leakage current characteristics were improved with increasing the deposition temperature of Pt top electrodes.

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Joining and properties of electrode for CoSb3 thermoelectric materials prepared by a spark plasma sintering method (방전 플라즈마 소결법을 이용한 CoSb3계 열전재료의 전극 접합 및 특성)

  • Kim, K.H.;Park, J.S.;Ahn, J.P.
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.20 no.1
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    • pp.30-34
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    • 2010
  • $CoSb_3$-based skutterudite compounds are promising candidates as thermoelectric (TE) materials used in intermediate temperature region. In this study, sintering of $CoSb_3$ powder and joining of $CoSb_3$ to copper-molybdenum electrode have been simultaneously performed by spark plasma sintering technique. The Ti foil was used for preventing the diffusion of copper into $CoSb_3$ and the Cu : Mo = 3 : 7 Vol. ratio composition was selected by the consideration of thermal expansion coefficients. The insertion of Ti interlayer between Cu-Mo and $CoSb_3$ was effective to join $CoSb_3$ to Cu-Mo by forming an intermediate layer of $TiSb_2$ at the Ti-$CoSb_3$ boundary. However, the formation of TiSb and TiCoSb intermediate layers deteriorated the joining properties by the generation of cracks in the interface of intermediate layer/$CoSb_3$ and intermediate/intermediate layers.

Application of Layered Perovskites Substituted with Co and Ti as Electrodes in SOFCs (Co 및 Ti가 치환된 Layered perovskite의 SOFC 전극에 대한 적용성 연구)

  • Kim, Chan Gyu;Shin, Tae Ho;Nam, Jung Hyun;Kim, Jung Hyun
    • New & Renewable Energy
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    • v.18 no.2
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    • pp.40-49
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    • 2022
  • In this study, the phase and electrochemical properties of Co and Ti substituted layered perovskites SmBaCo2-xTixO5+d (x=0.5, 0.7, 1.0, 1.1, 1.3, and 1.5) were analyzed, and their application as electrodes in solid oxide fuel cells (SOFCs) were evaluated. After calcination at 1300℃ for 6 h, a single phase was observed for two compositions of the SmBaCo2-xTixO5+d oxide system, SmBaCoTiO5+d (x=1.0) and SmBaCo0.9Ti1.1O5+d (x=1.1). However, the phases of SmBaCoTiO5+d (SBCTO) and SmTiO3 coexisted for compositions with x≥1.3 (Ti content). In contrast, for compositions of x≤0.7, the SmBaCo2O5+d phase was observed instead of the SmTiO3 phase. To evaluate the applicability of these materials as SOFC electrodes, the electrical conductivities were measured under various atmospheres (air, N2, and H2). SBCTO exhibited stable semi-conductor electrical conductivity behavior in an air and N2 atmosphere. However, SBCTO showed insulator behavior at temperatures above 600℃ in a H2 atmosphere. Therefore, SBCTO may only be used as cathode materials. Moreover, SBCTO had an area specific resistance (ASR) value of 0.140 Ω·cm2 at 750℃.

Effects of PZT-Electrode Interface Layers on Capacitor Properties (PZT 박막 캐퍼시터의 특성에 기여하는 PZT-전극계면층의 영향)

  • Kim, Tae-Ho;Gu, Jun-Mo;Min, Hyeong-Seop;Lee, In-Seop;Lee, In-Seop
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.10 no.10
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    • pp.684-690
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    • 2000
  • In order to study effects of interfacial layers between $Pb(Zr,Til)Q_3(PZT)$ films and electrodes for Metal-Ferroelectric-MetaI(MFM) structure capacitors, we have fabricated the capacitors with the Pt/PZT/interfacial-layer/Pt/$TiO_2/SiO_2$/Si structure. $PbTiO_3(PT)$ interfacial layers were formed by sol-gel deposition and PbO, ZrO, and $TiO_2$ thin layers were deposited by reactive sputtering. $TiO_2$ interface layers result in the finest grains of PZT(crystalline Temp. $600^{\circ}C$) films compare to $PbO_2\;and\;ZrO_2$ layers. However, as the thickness of $TiO_2$ layer increases. PZT thin films become rough and electrical characteristics were deteriorated due to remained anatase phase. On the other hand. PT interface layers result in improved morphology of PZT films and do not significantly change ferroelectric properties. It is a also observed that seed layers at the middle and top of PZT films do not give significant effects on grain size but the PT seed layer at the interface between the bottom electrode and the PZT films results in the small grain size.

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Effect of Electrode Structures on Electron Emission of the $Pb(Zr_{0.56}Ti_{0.44})O_3$ Ferroelectric Cathode ($Pb(Zr_{0.56}Ti_{0.44})O_3$ 강유전체 음극의 전극 모형에 따른 전자 방출 특성)

  • Seo, Min-Su;Hong, Ki-Min
    • Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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    • v.13 no.4
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    • pp.699-707
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    • 2010
  • Electric-field-induced electron emission from the three kinds of $Pb(Zr_{0.56}Ti_{0.44})O_3$ ferroelectric cathodes with different electrode structure has been investigated. Regardless of the electrode structures, a threshold field of the each cathode was 2.5-2.6kV/mm, which is 3 times higher than the coercive field of $Pb(Zr_{0.56}Ti_{0.44})O_3$ material. Although the waveform of the electron currents was affected by the structure of the electrode, no significant difference for the emission properties such as the peak current and the pulse width was observed from the three kinds of the cathodes. However, the current density of the cathode was dependent on the electrode structure. From the simulation of electric field distribution, the surface flashover, and the injury region of the cathode surface, it was proved that the prime electrons were initiated at the electrode-ceramic-vacuum triple point by field emission and the emission currents were strongly enhanced by the surface plasma.

The Electrode Characteristics and Modified Surface Properties of V0.9Ti0.1 Alloy Sintered with Ni Powder (Ni분말과 소결시킨 V0.9Ti0.1 수소저장합금의 전극특성)

  • Kim, Dong-Myung;Lee, Han-Ho;Lee, Ki-Young;Lee, Jai-young
    • Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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    • v.6 no.1
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    • pp.1-9
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    • 1995
  • $V_{0.9}Ti_{0.1}$ 합금은 많은 양의 수소를 흡수할 수 있으나 KOH 전해질내에서 방전이 되지 않기 때문에 Ni-MH 전지의 음극재료로 사용할 수 없었다. 이와 같은 $V_{0.9}Ti_{0.1}$ 합금을 전해질내에서 수소흡수/방출에 대한 촉매효과를 갖도록 Ni 분말과 소결하였다. Ni 분말과 소결한 모든 시편은 KOH 전해질내에서 10 Cycle 이내에 활성화 되었다. 방전용량은 소결시 첨가된 Ni 분말의 양에 따라 maximum 거동을 보였다. 가장 높은 방전용량을 보여준 전극의 경우는 소결시 첨가된 Ni 분말의 양이 25wt.%이며 그 방전용량은 302mAh/g이었다. SEM과 EDS 그리고 XRD 분석결과 소결시 $VNi_3$가 형성됨을 알 수 있었다. $V_{0.9}Ti_{0.1}$ 합금의 표면에 형성된 $VNi_3$는 전극의 최적방전조건과 밀접한 관련이 있음을 알 수 있었다. Brewer-Engel 이론에 의하면 $VNi_3$는 수소의 evolution에 대한 전기적 촉매효과가 매우 높다고 보고하고 있으며, 이러한 효과는 본 실험결과 교환전류밀도의 증가와 방전시 과전압의 감소로써 나타났다. 본 연구에서는 수소의 저장용량은 크나 KOH 전해질내에서 방전되지 않는 합금을 사용하여 Ni-MH 전지용 음극개발을 하기 위해 Ni분말과 소결하여 합금의 표면을 변화시키는 새로운 방법을 제안하고자 한다.

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