• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.95-96
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• 2008

A new voltage-driven pixel circuit using soluble-processed organic thin film transistors (OTFTs) for an active matrix organic light emitting diode (AMOLED) is proposed. The proposed circuit is composed of four switching TFTs, one driving TFT and one storage capacitor. The proposed circuit can compensate for the degradation of OLED current caused by the threshold voltage shift of the OTFT. The simulation results show that the variation of OLED current corresponding to a 3V threshold voltage shift is decreased by 30% compared to the conventional 2TlC structure.

• 대한전자공학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.18-23
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• 1975

As-Te.Si-Ge 유리질 반도체의 직류 펀도도는 실온에서 3x10-7Ω-1cm-1∼1.5x10-8Ω-1cm-1이었고 각 시료의 온도 인화에 따른 전도특성은 상전이 온도(Tg) 이하에서 o=ooexp(-△E/kT)로 표시할 수 있었다. 또한 실온에서 각 시료의 교류 전도도의 주파수 의존도는 거의 같았으며 직류 전도도에 비해 상당치 높게 나타나서 o(w)=oo+Awn으로 표시할 수 있었다. 200KHz 경우에 교류 펀도도는 295。K∼473。K에서 온도에 무관하고 200Hz 경우에는 433。K에서 부터 심하게 증가하였다. 각 시fy는 기억스위칭 현상은 없었고 문지받스위칭 현상만 관찰할 수 있었다. The dc conductivity, ac conductivity and switching effect of As·Te-Si·Ge have beon investigated. The dc conductivity ranged from 3x10-7Ω-1cm-1∼1.5x10-8Ω-1cm-1 at room temperature and was found to be expressed by o=ooexp(-△E/kT) below the phase transition temperature Tg. The ac conductivity was much higher than dc conductivity and this result is consistent to experimental formula o(w)=oo+Awn. In the temperature range of 298。K∼147。K, the ac conductivity was independent of temperature at 200KHs. At lower frequencies the ac conductivity increased strong1y with temperature. Also, it has been found that all samples showed a threshold switching, but not a memory switching.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.279-284
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• 2014

본 논문에서는 p-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 새로운 OLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 5-TFT OLED 화소회로는 4개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. 제안한 화소회로의 한 프레임은 초기화 구간, 문턱전압 감지 및 데이터 기입 구간, 데이터 유지 구간 및 발광 구간으로 나누어진다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ${\pm}0.25V$ 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 -4.06%이였고 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ${\pm}0.50V$ 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 9.74%였다. 따라서 제안한 5T1C 화소회로는 p-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동에 둔감하여 균일한 OLED 전류를 공급함을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.982-988
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• 2012

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 문턱전압과 스켈링 이론의 관계를 관찰하였다. 기존 MOSFET의 경우 채널크기에 스켈링 이론을 적용하여 전류 및 스위칭주파수를 해석하였다. 이에 본 연구에서는 이중게이트 MOSFET에서 문턱전압의 경우 스켈링 이론의 적용가능성을 관찰하기 위하여 문턱전압의 변화를 스켈링 인자에 따라 관찰하고 분석하였다. 이를 위하여 이미 검증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 가우스함수의 전하분포를 사용하였다. 분석결과 문턱전압이 스켈링 인자에 따라 크게 변화하였으며 변화정도는 도핑농도의 스켈링에 따라 변화한다는 것을 관찰하였다. 특히 이중게이트의 특성상 채널두께 및 채널길이에 스켈링 이론을 적용할 때 가중치를 이용한 변형된 스켈링 이론을 적용함으로써 이중게이트 MOSFET에 가장 타당한 스켈링 이론에 대하여 설명할 것이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.292-297
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• 2003

We fabricated a single crystal silicon thin film transistor for active matrix organic light emitting displays(AMOLEDs) using silicon on insulator wafer (SOI wafer). Poly crystal silicon thin film transistor(poly-Si TFT) Is actively researched and developed nowsdays for a pixel switching devices of AMOLEDs. However, poly-Si TFT has some disadvantages such as high off-state leakage currents and low field-effect mobility due to a trap of grain boundary in active channel. While single crystal silicon TFT has many advantages such as high field effect mobility, low off-state leakage currents, low power consumption because of the low threshold voltage and simultaneous integration of driving ICs on a substrate. In our experiment, we compared the property of poly-Si TFT with that of SOI TFT. Poly-Si TFT exhibited a field effect mobility of 34 $\textrm{cm}^2$/Vs, an off-state leakage current of about l${\times}$10$\^$-9/ A at the gate voltage of 10 V, a subthreshold slope of 0.5 V/dec and on/off ratio of 10$\^$-4/, a threshold voltage of 7.8 V. Otherwise, single crystal silicon TFT on SOI wafer exhibited a field effect mobility of 750 $\textrm{cm}^2$/Vs, an off-state leakage current of about 1${\times}$10$\^$-10/ A at the gate voltage of 10 V, a subthreshold slope of 0.59 V/dec and on/off ratio of 10$\^$7/, a threshold voltage of 6.75 V. So, we observed that the properties of single crystal silicon TFT using SOI wafer are better than those of Poly Si TFT. For the pixel driver in AMOLEDs, the best suitable pixel driver is single crystal silicon TFT using SOI wafer.

• 전기전자학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.90-97
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• 2010

본 논문에서는 DT-CMOS(Dynamic Threshold voltage CMOS) 스위칭 소자와 DTMOS Error Amplifier를 사용한 고 효율 전원 제어 장치(PMIC)를 제안하였다. 높은 출력 전류에서 고 전력 효율을 얻기 위하여 PWM(Pulse Width Modulation) 제어 방식을 사용하여 PMIC를 구현하였으며, 낮은 온 저항을 갖는 DT-CMOS를 설계하여 도통 손실을 감소시켰다. 벅 컨버터(Buck converter) 제어 회로는 PWM 제어회로로 되어 있으며, 삼각파 발생기, 밴드갭 기준 전압 회로, DT-CMOS 오차 증폭기, 비교기가 하나의 블록으로 구성되어 있다. 제안된 DT-CMOS 오차증폭기는 72dB DC gain과 83.5위상 여유를 갖도록 설계하였다. DTMOS를 사용한 오차증폭기는 CMOS를 사용한 오차증폭기 보다 약 30%정도 파워 소비 감소를 보였다. Voltage-mode PWM 제어 회로와 낮은 온 저항을 스위칭 소자로 사용하여 구현한 DC-DC converter는 100mA 출력 전류에서 95%의 효율을 구현하였으며, 1mA이하의 대기모드에서도 높은 효율을 구현하기 위하여 LDO를 설계하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.586-592
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• 2014

본 논문에서는 DT-CMOS(Dynamic Threshold voltage Complementary MOSFET) 스위칭 소자를 사용한 DC-DC Buck 컨버터를 제안하였다. 높은 효율을 얻기 위하여 PWM 제어방식을 사용하였으며, 낮은 온 저항을 갖는 DT-CMOS 스위치 소자를 설계하여 도통 손실을 감소시켰다. 제안한 Buck 컨버터는 밴드갭 기준 전압 회로, 삼각파 발생기, 오차 증폭기, 비교기, 보상 회로, PWM 제어 블록으로 구성되어 있다. 삼각파 발생기는 전원전압(3.3V)부터 접지까지 출력 진폭의 범위를 갖는 1.2MHz의 주파수를 생성하며, 비교기는 2단 증폭기로 설계되었다. 그리고 오차 증폭기는 70dB의 이득과 $64^{\circ}$의 위상여유를 갖도록 설계하였다. 또한 제안한 Buck 컨버터는 current-mode PWM 제어회로와 낮은 온 저항을 갖는 스위치를 사용하여 100mA의 출력 전류에서 최대 95%의 효율을 구현하였으며, 1mA 이하의 대기모드에도 높은 효율을 구현하기 위하여 LDO 레귤레이터를 설계하였으며, 또한 2개의 IC 보호 회로를 내장하여 신뢰성을 확보하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.320-323
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• 2008

In this paper, electro-optical characteristic of Nematic Liquid crystal (LC) with varying temperature in different LCD modes, namely Fringe Field Switching (FFS), In-plane switching (IPS), and Patterned Vertical Alignment (PVA) modes are investigated and compared. Electro optic me asurements suggest that rate of change of transmission with temperature in FFS mode was lowest and much more thermally stable as compared to IPS and PVA m odes. However the electro-optical characteristic of patterned vertical alignment (PVA) mode was most affected by changing temperature. The measured threshold voltage was found to be much more thermally stable in FFS and IPS modes than that of PVA mode.

• Journal of Information Display
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• 제10권4호
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• pp.175-179
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• 2009

As the physical properties of nematic liquid crystals vary with respect to temperature, the performances of liquid crystal displays (LCDs) are highly dependent on temperature. Additionally, it is well known that the electro-optic characteristics of LCDs, such as transmittance and threshold voltage, also rely on the LCD switching modes. The temperature dependence of the electro-optic characteristics of the wide-viewing-angle LCD modes, such as in-plane switching (IPS), multidomain vertical alignment by patterned electrode (PVA), and fringe-field switching (FFS), have been studied, and the results showed that the FFS mode has lower temperature dependence compared to the IPS and PVA modes. Since the liquid crystal (LC) reorients in different ways in each mode, this result is associated with the temperature dependence of LC's bend and twist elastic constants, and also with the position of the main reorientation, either in the middle or on the surface of the LC layer.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제8권11호
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• pp.4203-4225
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• 2014

Fuzzy identity-based cryptography introduces the threshold structure into identity-based cryptography, changes the receiver of a ciphertext from exact one to dynamic many, makes a cryptographic scheme more efficient and flexible. In this paper, we propose the first fuzzy identity-based signcryption scheme in lattice-based cryptography. Firstly, we give a fuzzy identity-based signcryption scheme that is indistinguishable against chosen plaintext attack under selective identity model. Then we apply Fujisaki-Okamoto method to obtain a fuzzy identity-based signcryption scheme that is indistinguishable against adaptive chosen ciphertext attack under selective identity model. Thirdly, we prove our scheme is existentially unforgeable against chosen message attack under selective identity model. As far as we know, our scheme is the first fuzzy identity-based signcryption scheme that is secure even in the quantum environment.