Kim, Ki-Hwan;Park, Sung-Chang;doo-Jin choi;Jung, Hyung-Jin;Koh, Seok-Keun
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.161-161
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1999
In the field of material science, the interests and efforts to modify the surface of materials in agreement with the need of usage have been extensively increasing. he modification to improve the wettability of surface is very important is terms of adhesion, printing, etc. It is very difficult to modify metal surface into hydrophilic one. therefore, surfactant coating has been generally used in many cases. However, surfactant has disadvantages such as environmental problem, soluble in water. in this study, hydrophilic polymer films as alternative of surfactant were deposited on metal substrate by DC plasma polymerization. Hydrophilic polymer films deposited by DC plasma show many merits such as good wettability, stone adhesion to substrate, high resistance to most chemicals. Monomer gas and reactive gas were used as source plasma polymerization. Plasma polymerized films were fabricated with process parameters of deposition time, ratio of gas mixture, current, pressure, etc. Effects of these variables on wettability of plasma polymer films will be discussed. With XPS and FT-IR analyses of plasma polymeric films, the relation between wettability and chemical state of polymer films by DC plasma was investigated.
The change in the magnetic properties of a spin-valve multilayer with the structure IrMn (9 m)/CoFe (4 nm)/Cu (2.6 nm)/CoFe (2 nm)/NiEe (6 nm) is investigated as a function of the size and the aspect ratio. At a fixed aspect ratio (the length/width ratio) of 2, the magnetostatic interactions begin to affect the magnetic properties substantially at a spin-valve length of 5 $\mum$, and, at a length of 1 $\mum$, they become even more dominant. In the case of a fixed multilayer size (2.4 $\mum$) which is indicated by the sum of the length and the width, magnetization change occurs by continuous spin-reversal and M-H loops are characterized by no or very small hysteresis at aspect ratios smaller than unity, At aspect ratios greater than unity, magnetization change occurs by spin-flip resulting in squared hysteresis loops. A very large changes in the coercivity and the bias field is observed, and these results are explained by two separate contributions to the total magnetostatic interactions: the coercivity by the self-demagnetizing field and the bias field by the interlayer magnetostatic interaction field.
We studied local anodization on permalloy $(Ni_{80}Fe_{20})$ thin film with an atomic force microscope (AFM), which was performed by applying a voltage between the permalloy sample and conductive AFM tip. Comparing with anodization on Si (100) substrate, nano-structures on the permalloy thin film was fabricated with low processability.In order to improve the processability on the permalloy thin film, we used dot-fabrication method, thatis, a conductive AFM probe was kept at a position on the film during the anodization process.
The optoelectronic display units such as TFT-LCD or OLED require many thin optical plastic films and their mass manufacturing processes employ CO2 laser cutting of those thin films in a large quantity. However, laser film cutting could generate fume particles through melt shearing, vaporization, and chemical degradation and those particles could be of great concern for film surface contamination. In order to appreciate the fume particle dispersion behaviors in laser film cutting, this study relies on random particle simulations by probabilistic distributions of particle size, ejection velocity and angles coupled with Basset-Boussinesq-Oseen model of particle trajectory in low Reynolds number flows. Here, up to one million particles of random sampling have been tested to effectively show fume particles dispersed on the film surface. The computational results could show that particular range of fume particle size could easily disperse into the pixel region of processed optical films.
Eight types of thin composite panels were manufactured by press-lam and mat-forming process applied to optimum manufacturing condition, studied in former first research by author (1995). They were tested and compared with control boards on dimensional stability, internal bond strength, tensile strength, Screw withdrawal strength, and bending properties. These thin composite panels manufactured by mat-forming process were generally superior to those by press-lam in dimensional stability and mechanical properties. In the dimensional stability and mechanical properties of thin composite panels manufactured by mat-forming process, the thin composite panels (A and E type) composed of particle or sawdust core and veneer face with polyethylene film, were as good as those of common plywood (control board). Internal bond strength showed highest value in the thin composite panel(D type) which composed of particle core and polypropylene screen face with polyethylene film. The thin composite panels(G and H type) composed of sawdust or particle core and polypropylene screen face with polyethylene film by press-lam and mat-forming process, showed most highest value in dimensional stability and water absorption.
Si-based electromagnetic noise suppressors on coplanar waveguide transmission lines incorporated with a $SiO_2$ dielectric layer and a nanogranular Co-Fe-Al-O magnetic thin film are reported. Unlike glass-based devices, large signal attenuation is observed even in the bare structure without coating the magnetic thin film. Much larger signal attenuation is achieved in fully integrated devices. The transmission scattering parameter ($S_{21}$) is as small as -90 dB at 20 GHz at the following device dimensions; the thicknesses of the $SiO_2$ and Co-Fe-Al-O thin films are 0.1 $\mu$m and 1 $\mu$m, respectively, the length of the transmission line is 15 mm, and the width of the magnetic thin film is 2000 $\mu$m. In all cases, the reflection scattering parameter ($S_{11}$) is below -10 dB over the whole frequency band. Additional distributed capacitance formed by the Cu transmission line/$SiO_2$/Si substrate is responsible for these characteristics. It is considered that the present noise suppressors based on the Si substrate are a first important step to the realization of MMIC noise suppressors.
Characteristics of thin-film NTC thermal sensors fabricated by micromachining technology were studied as a function of the thickness of membrane. The overall-structure of thermal sensor has a form of Au/Ti/NTC/$SiO_{X}$/(100)Si. NTC film of $Mn_{1.5}CoNi_{0.5}O_{4}$ with 0.5 mm in thickness was deposited on $SiO_{X}$ layer (1.2 mm) by PLD (pulsed laser deposition) and annealed at 873-1073 K in air for 1 hour. Au(200 nm)/Ti(100 nm) electrode was coated on NTC film by dc sputtering. By the results of microstructure, X-ray and NTC analysis, post-annealed NTC films at 973 K for 1 hour showed the best characteristics as NTC thermal sensing film. In order to reduce the thermal mass and thermal time constant of sensor, the sensing element was built-up on a thin membrane with the thickness of 20-65 mm. Sensors with thin sensing membrane showed the good detecting characteristics.
The europium doped yttrium oxide (Y2O3:Eu3+) thin film was formed on a Si substrate by the conventional spin-coating process followed by rapid thermal annealing (RTA) treatment. The spinning profiles such as rotation speed, acceleration and holding times were controlled during the spin-coating process for the best condition of the Y2O3:Eu3+ thin film. The RTA treatment was conducted for several temperature in order to crystallize the spin coated film. The Y2O3:Eu3+ thin film presented best performance in the conditions of 4000 rpm, 30 s and 10 s of rotation speed, acceleration time and holding time, respectively, at a fixed RTA temperature of 900 ℃.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.8
no.2
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pp.299-306
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1998
Crystallization of the amorphous silicon needs activation. Thermal energy through laser annealing, furnace annealing and rapid thermal process (RTP) has been convinced to crystallize the amorphous silicon thin film. It is expected that some other type of energy like mechanical energy can help to crystallize the amorphous silicon thin film. In this study, mechanical energy through wet blasting of silica slurry and silicon ion implantation has been applied to the amorphous silicon thin film deposited with LPCVD technique. RTP was employed for the annealing of this mechanically-damaged amorphous silicon thin film. For the characterization of the crystallized silicon thin film, XRD and Raman analysis were conducted. In this study, it is shown that the mechanical damage is effective to enhance the crystallization of amorphous silicon thin film.
$Li_4Ti_5O_{12}$ thin film with inverse hemispheric structure was fabricated on a Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by the sol-gel and dip coating method for use as an anode for 3-dimensional (3D) thin-film batteries. Polystyrene (PS) beads of 400 nm diameter were used to prepare the template for the inverse hemispheric structure. A coating solution prepared using precursor sources was dropped on the template-deposited substrates, which were then calcinated at $400^{\circ}C$. The template was removed by calcination, and the inverse hemispheric structure was successfully formed by an annealing process. The cyclic performance during high-rate charge/discharge processes of the $Li_4Ti_5O_{12}$ film with inverse hemispheric structure was superior to that of the flat $Li_4Ti_5O_{12}$ film.
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