In order to study the semi-conductive characteristics of carbon black-filled ethylene-propylene-diene monomer (EPDM) composite film, which is used for measuring occlusal force, composite samples with volume ratios of carbon black to EPDM ranging from 30% to 70% were prepared. The process of making a composite film consists of two steps, which involve the preparation of a slurry composition and the fabrication of a thin film using solution casting and a lamination process. To prepare the slurry composition, we dispersed carbon black nanoparticles into an organic solvent before mixing with an EPDM solution in toluene. The mechanical and electrical properties of the resulting carbon black-filled EPDM film were then investigated, and the results showed that the electrical resistance of a film decreases with the increase in the carbon black content. Furthermore, improved elastic recovery was observed after cross-linking the EPDM.
Lee, Sun Yi;Park, No-Kuk;Yoon, Suk Hoon;Lee, Tae Jin
Korean Chemical Engineering Research
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v.48
no.2
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pp.218-223
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2010
The zinc oxide thin film, which can be applied as the gas sensor of a semiconductor type, was grown on the silicon substrate by CFR(continuous flow reaction) method in this study. The growth property and the electrical property of the zinc oxide thin films synthesized by CFR method were also investigated. Zinc acetate solutions of 0.005~0.02 M were used as the precursor for the preparation of zinc oxide thin films. The size of ZnO particles consisted on the zinc oxide thin film increased not only with increasing concentration of precursor, but also the thickness of thin film increased. The growth rate of zinc oxide thin film by CFR method was proportionably depend on the concentration of precursor and the uniform ZnO thin film was prepared when zinc acetate of 0.01 M is used as the precursor. The charged currents on the zinc oxide thin films were obtained as its electrical property by I-V meter, and increased agree with increasing the thickness of zinc oxide thin film. Thus, it was concluded that the charged current on the zinc oxide thin film can be controlled with changing concentration of precursor solution in CFR method. The charged currents on the zinc oxide thin films also decreased when ZnO thin film is exposed under hydrogen sulfide of 500 ppmv at $300^{\circ}C$ for 5 min. From these results, it could be confirmed that the zinc oxide thin film prepared by CFR method can be used for the detection of sulfur compounds.
Transparent olivine $LiNiPO_4$ thin films on sapphire substrates were fabricated by radio frequency (RF) magnetron sputtering. The X-ray diffraction patterns show these thin films have the phase of $LiNiPO_4$ with an ordered olivine structure indexed to the orthorhombic Pmna space group. $LiNiPO_4$ thin films deposited on sapphire substrates exhibit transmittance of about 83 %. It was confirmed that the $LiNiPO_4$ thin film exhibits a high potential of 5 V-class.
InSb thin film magnetic sensor, which have been prepared on glass substrate by vacuum evaporation, is investigated in this paper. The dependance of Hall voltage on magnetic field and temperature is examined by Hall effect. The variation of Hall voltage with magnetic field is almost linear at constant current drive but it is deviated from the linearity at constant voltage drive. Hall voltage decreases as the ambient temperature increases, so it is necessary to take into account the temperature effect when the InSb thin film is used as magnetic sensor.
We consider introducing an optical thin film to the light guiding wall of a pixel in order to enhance the light guiding efficiency of a CMOS image sensor. Simulating the reflectance as a function of the incidence angle using the Essential Macleod program, we find that the range of total internal reflection is greatly increased for several materials. Particularly when air is chosen as the thin film material, the critical angle of total internal reflection could be shifted to about 50 degrees.
A multi-point touch input sensor having different sizes or different capacitance touch points connected by only one pair of signal transmission lines was fabricated using a polyimide film coated with a thin copper plate. The capacitance increases with the decrease in the number of sheets of fabric spacers placed between the two sheets of the polyimide film. Therefore, the touch input sensor could be manufactured without fabric spacers, which was possible by the action of the polyimide film as a dielectric material in the capacitor. On the multi-point touch sensor, higher capacitance was obtained when pressing wider-area touch points with 10mm to 25mm diameter on average. However, the capacitance of a system comprising two sheets of touch sensors was considerably low, causing a serious overlap of the capacitance values according to the data collected from the reliability test. Although the capacitance values could be increased by stacking several sheets of touch sensors, the overlap of data was still observed. After reducing the size of all touch points to 10mm and stacking up to eight sheets of sensors, reliable and consistent capacitance data was obtained. Five different capacitance signals could be induced in the sensors by pushing touch points simultaneously.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.8
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pp.658-662
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2001
This paper describes on the fabrication and characteristics of hot-film type micro-flowsensors integrated with Pt-RTD(resistance thermometer device) and micro-heater on the SOI(Si-on-insulator) membrane and trench structures, in which MGO thin-film was used as medium layer in order to improve adhesion of Pt thin-film to SiO$_2$ layer. Output voltages increased due to increase of heat-loss from sensor to external. The output voltage was 250 nV at N$_2$ flow rate of 2000 sccm/min, heating power of 0.3 W. The response time($\tau$:63%) was about 42 msec when input flow was step-input. The results indicated that micro-flowsensors with the SOI membrane and trench structures have properties of a high-resolution and ow consume power.
Jho, Mean Jea;Xouyang, Saiyang;Lee, Jin Su;Ahn, Da Hyun;Jung, Chi Sup
Journal of Sensor Science and Technology
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v.28
no.1
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pp.23-29
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2019
A copper tetracumylphenoxy phthalocyanine (CuPccp) thin film was formed on an organic insulator film by Langmuir-Blodgett (LB) deposition for gas sensor fabrication. To increase the reproducibility of film transfer, stearyl alcohol was used as a transfer promoter. The structural properties of the CuPccp layers were optically monitored through attenuated total reflection and polarization-modulated ellipsometry techniques. The average thickness of a single layer of the CuPccp LB film was measured to be 2.5 nm. Despite the role of the transfer promoter, the stability of the layer transfer was not sufficient to ensure homogeneity of the LB film. This was probably due to the presence of aggregates in the molecular structure of the CuPccp LB film. Nevertheless, copper phthalocyanine polymorphism can be greatly suppressed by the LB arrangement, which appears to contribute to the improvement of electrical conductivity. The p-type semiconductor characteristics were confirmed by Hall measurements from the CuPccp LB films.
Han, Seong Ho;Park, Bo Keun;Son, Seong Uk;Kim, Chang Gyoun;Chung, Taek-Mo
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.365.1-365.1
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2014
Cobalt oxide has excellent various properties such as high catalytic activity, antiferromagnetism, and electrochromism. So cobalt oxides offer a great potential for their applications in the various areas such as optical gas sensor, catalysts for oxidation reaction, electrochromic devices, high temperature solar selective absorbers, magnetic materials, pigment for glasses and ceramics, and negative electrodes for lithium-ion batteries. We have synthesized novel cobalt complexes by simple reaction of cobalt bistrimethylsilylamide as a starting material with a lot of conventional ligands as potential cobalt oxide precursors. The studies include the facile preparation, structural characterization, and spectroscopic analysis of the new precursors. We are making efforts to grow cobalt oxide thin films using cobalt complexes newly synthesized in this study using deposition techniques.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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