• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.492-495
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• 2000

In order to develop an ultra-thin CoCr perpendicular magnetic recording layer, we prepared CoCrTa/Ti double layer for perpendicular magnetic recording media by new facing targets sputtering system, Crystallgraphics and magnetic characteristics of CoCrTa on underlayer substrate temperature have been investigated. Crystallgraphic and magnetic characteristic of thin films were evaluated by X-ray diffractometry(XRD), vibrating sample magnetometer(VSM) and atomic force microscopy(AFM). The coercivity and anisotropy field was increased by increasing under layer substrate temperature, c-axis orientation of CoCrTa magnetic recording layer was improved 8$^{\circ}$ to 5.6$^{\circ}$when under layer substrate temperature was 250[$^{\circ}C$]. Also, through annealing effect for CoCrTa/Ti double layer, it was certain that crystallgraphics and magnetic characteristics was improved.

• Applied Biological Chemistry
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• 제23권3호
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• pp.166-172
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• 1980

광학 현미경 및 Scanning electron microscopy로 관찰한 녹두 전분 입자는 타원형 및 구형으로서 너비는 $8{\sim}13{\mu}m$, 길이는 $18{\sim}30{\mu}$이었다. X-ray 회절도는 $2{\theta}$가 $16.9^{\circ}$에서 약간의 결정성을 보였다. 전분의 blue value는 0.36, 아밀로스 함량은 22.7%, 알카리 수는 8.52, ferricyanide 수는 1.06물 결함 능력은 81.6%이었다. 전분의 팽윤은 $50^{\circ}C$까지는 큰 변화가 없었고, 이후 급격히 증가하였다. 전분 현탁액(0.3%)의 광 투과도는 $65^{\circ}C$ 이후 급격히 증가하였으며, $65{\sim}90^{\circ}C$에서는 Single stage의 호화 양상을 보였다. 아밀로그래프에 의한 전분의 호화는 농도(건물중으로 6,7 및 8%)에 관계없이 최고 점도는 나타나지 않았다. 전분 gel(건물중으로 40% 농도)의 retrogradation시 시간상수는 $21^{\circ}C$에서 1.99일이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.120-120
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• 2008

We demonstrate epitaxial growth of ZnO thin films on 4H-SiC(0001) substrates using pulsed laser deposition (PLD). ZnO and SiC have attracted attention for their special material properties as wide band gap semiconductors. Especially, ZnO could be applied to optoelectronic applications such as light emitting devices and photo detectors due to its direct wide bandgap (Eg) of ~3.37eV and large exciton binding energy of ~60meV. SiC shows a good lattice matching to ZnO compared with other commonly used substrates and in this regard SiC is a good candidate as a substrate for ZnO. In this work, ZnO thin films were grown on 4H-SiC(0001) substrates by PLD using an Nd:YAG laser with a 355nm wavelength. The crystalline properties of the films were evaluated by x-ray diffraction (XRD) $\theta-2\theta$, rocking curve and pole figure measurements using a high-resolution diffractometer. The surface morphology of the films was studied by atomic force microscopy (AFM).

• 한국세라믹학회지
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• 제43권6호
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• pp.362-368
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• 2006

Epitaxial $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ (BSTO) thin films have been grown on TiN buffered Si (001) substrates by Pulsed Laser Deposition (PLD) method and the effects of substrate temperature and oxygen partial pressure during the deposition on their dielectric properties and crystallinity were investigated. The crystal orientation, epitaxy nature, and microstructure of oxide thin films were investigated using X-Ray Diffraction (XRD) and Transmission Electron Microscopy (TEM). Thin films were prepared with laser fluence of $4.2\;J/cm^2\;and\;3\;J/cm^2$, repetition rate of 8 Hz and 10 Hz, substrate temperatures of $700^{\circ}C$ and ranging from $350^{\circ}C\;to\;700^{\circ}C$ for TiN and oxide respectively. BSTO thin-films were grown on TiN-buffered Si substrates at various oxygen partial pressure ranging from $1{\times}10^{-4}$ torr to $1{\times}10^{-5}$ torr. The TiN buffer layer and BSTO thin films were grown with cube-on-cube epitaxial orientation relationship of $[110](001)_{BSTO}{\parallel}[110](001)_{TiN}{\parallel}[110](001)_{Si}$. The crystallinity of BSTO thin films was improved with increasing substrate temperature. C-axis lattice parameters of BSTO thin films, calculated from XRD ${\theta}-2{\theta}$ scans, decreased from 0.408 m to 0.404 nm and the dielectric constants of BSTO epitaxial thin films increased from 440 to 938 with increasing processing oxygen partial pressure.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제6권3호
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• pp.258-261
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• 2000

Highly (h00)-oriented (Ba, Sr)TiO$_3$(BST) thin films were grown by pulsed laser deposition on the perovskite LaNiO$_3$(LNO) metallic oxide layer as a bottom electrode. The LNO films were deposited on SiO$_2$/Si substrates by rf-magnetron sputtering method. The crystalline phases of the BST film were characterized by x-ray $\theta$-2$\theta$, $\omega$-rocking curve and $\psi$-scan diffraction measurements. The surface microsturcture observed by scanning electron microscopy was very dense and smooth. The low-frequency dielectric responses of the BST films grown at various substrate temperatures were measured as a function of frequency in the frequency range from 0.1 Hz to 10 MHz. The BST films have the dielectric constant of 265 at 1 kHz and showed multiple dielectric relaxation at the low frequency region. The origin of these low-frequency dielectric relaxation are attributed to the ionized space charge carriers such as the oxygen vacancies and defects in BST film, the interfacial polarization in the grain boundary region and the electrode polarization. We studied also on the capacitance-voltage characteristics of BST films.

• 한국식품과학회지
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• 제19권1호
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• pp.18-22
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• 1987

묵의 재료인 동부 전분을 분리하여 전분 입자의 성상과 이화학적 특성을 조사, 검토하였다. 광학현미경과 scanning electron microscopy로 관찰한 동부 전분의 형태는 대부분이 타원형이며 그 크기는 $6{\sim}22{\mu}m$였다. X선 회절도는 2$\theta$가 $15^{\circ}$, $17.1^{\circ}$, $18.1^{\circ}$, $22.9^{\circ}$ 에서 약간의 결정성을 보였다. blue value는 0.370이었고 아밀로즈 함량은 26.9%였으며 물결합 능력은 70.6%였다. 전분의 팽화력은 $65^{\circ}C$이후 급격히 증가하였으나 $75^{\circ}C$부터는 즘 더 완만히 증가하였고, 용해도도 거의 비슷한 양상을 보였다. 전분 현탁액(0.2%)의 광투과도는 $70^{\circ}C$부터 급격한 증가를 보였고 $70^{\circ}C$부터 $90^{\circ}C$까지 single stage 의 호화양상을 보였다. 아밀로그라프에 의한 전분 용액의 호화양상은 4%의 경우 호화정점이 나타나지 않았으나 6%의 경우 호화정점이 나타났다.

• Journal of Magnetics
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• 제5권1호
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• pp.16-18
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• 2000

The garnets $Nd_{1-x}Bi_xY_2Fe_5O_{12}$ ($\chi$=0.0, 0.25, 0.5, 0.75 and 1.0) have been studied by x-rays, electron microscopy, ferromagnetic resonance, vibrating sample magnetometer and Mossbauer spectroscopy, Ultra-fine polycrystalline cubic samples have been prepared by a melt-salt routed sol-gel method. The Mossbauer spectra consist of two sets of six-line patterns corresponding to $Fe^{3+}$ at the tetrahedral 24(d) and octahedral 16(a) sites. Magnetic hyperfine fields of $Nd_{0.5}Bi_{0.5}Y_2Fe_5O_{12}$ at 12 K are found to be 548 kOe (octahedral site) and 475 kOe (tetrahedral site), respectively, It is found that Debye temperatures for the tetrahedral and octahedral sites of $Nd_{0.75}Bi_{0.25}Y_2Fe_5O_{12}$ are $\theta_{tet}=436$ K and $\theta_{oct}=285$ K, respectively, The iron ions at both sites are highly covalent ferric. The Nel temperature decreases linearly with Bi concentration, from 630 K fur $\chi$=0.0 to 600 K for $\chi$=1.0, suggesting that the superexchange interaction for the Nd-O-Fe link is stronger than that for the Bi-O-Fe link. As a consequence, the coercivity of $Nd_{1-x}Bi_xY_2Fe_5O_{12}$ drastically decreases and the magnetization remains almost constant as x increases.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.117-117
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• 1999

최근 광소자와 더불어 발전과 더불어 고효율의 새로운 광소자에 대한 수요가 증가되고 있다. ZnO는 이러한 특성을 가진 재료중에 한가지로서 최근 들어 그 가능성에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 특히 상온에서 exciton binding energy가 다른 재료보다 큰 60meV로 고효율의 blue, UV 발광이 가능한 재료로 알려져 있다. 본 연구에서도 광소자로서 ZnO를 활용하기 위해서 RF magnetron sputtering법을 이용하기 위하여 광특성의 향상에 목적을 두고 연구하였다. ZnO 박막은 RF magnetron sputtering법을 이용하여 sapphire (0001) 기판위에 성장시켰다. RF power는 60W에서 120W까지 변화시켰고 박막의 성장온도는 55$0^{\circ}C$와 $600^{\circ}C$로 변화시켰으며, 박막의 성장시간은 60분, ZnO target과 기판과의 거리는 4.5cm로 하여 성장시켰다. 성장된 ZnO 박막은 XRD $\theta$-rocking scan 측정을 통해서 박막의 C-축 배향성과 RBS channeling를 이용하여 ZnO 박막의 epitaxial 성장 정도를 측정하였다. 박막의 상온 발광 특성은 He-Cd laser를 사용한 photoluminescence spectra로 측정하였다. 또한 표면의 morphology는 atomic force microscope(AFM)를 이용하여 관찰하였으며 transmission electron microscopy(TEM)을 사용하여 ZnO박막의 단면적을 관찰함으로서 grain의 성장과 광특성 및 결정성과의 영향에 대해서 연구하였다. ZnO 박막의 성장온도 55$0^{\circ}C$에서 RF power를 60W에서 120W까지 변화시킬 경우 XRD $\theta$-rocking peak의 반치폭이 0.157$^{\circ}$에서 0.436$^{\circ}$까지 변화하였고 80W에서 최소값을 가졌으며 in-plain에 대한 XRD 측정 결과 ZnO 박막의 성장은 sapphire 기판에 대해서 30$^{\circ}$회전되어 성장된 것으로 알 수 있었으며 이는 ZnO [100]∥ Al2O3[110]의 관계를 갖는다는 것을 나타낸다. 광특성의 측정 결과인 PL peak의 반치폭은 133.67meV에서 89.5meV까지 변화함을 알 수 있었고 80W에서 최대값을 가졌으며 이는 RF power의 변화에 따른 결정성의 변화와는 반대되는 현상임을 알 수 있었다. 그러나 성장온도 $600^{\circ}C$일때에는 XRD $\theta$-rocking peak의 반치폭이 0.129$^{\circ}$로 결정성이 우수한 박막임을 확인할 수 있었고 PL peak의 반치폭 또한 Ar과 O2의 비율에 따라 76.32meV에서 98.77meV로 광특성도 우수한 것으로 나타났다. RBS channeling 결과 55$0^{\circ}C$에서는 $\chi$min값이 50~60%였으나 $600^{\circ}C$일 때에는 $\chi$min값이 4~5%로 박막이 epitaxial 성장을 하였다는 것을 알 수 있었다. 결정성과 광특성과의 연관성을 알아보기 위해 TEM을 이용한 박막의 cross section image를 관찰한 결과 광특성이 우수한 시편일수록 grain의 크기가 큰 것으로 나타났고 결정성이 우수한 시편의 경우에서는 XRD분석 결과에서처럼 C-축배향성이 우수한 것을 확인할 수 있었다. 이상의 결과로부터 RF magnetron sputtering 법으로 광특성이 우수한 양질의 ZnO박막 성장이 가능하였다는 것을 알 수 있었으며 광소자로써의 가능성을 확인 할 수 있었다.

• Elastomers and Composites
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• 제41권4호
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• pp.260-267
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• 2006

유기화 클레이(organically modified layered silicates)가 보강된 SBR 나노 복합체를 라텍스법(latex method)에 의해서 제조하였다. 유기화 MMT는 dodecylamine으로 유기화한 DA-MMT와 dimethyldodecylamine으로 유기화한 DDA-MMT의 두 가지를 제조하였다. 유기화 클레이의 층간거리와 분산도를 확인하기 위하여 XRD와 TEM촬영을 하였다 Na-MMT, DA-MMT, DDA-MMT의 XRD 회절 패턴을 분석한 결과 Na-MMT는 $2{\theta}=7.2^{\circ}$로써 층간거리가 $12.3{\AA}$, DA-MMT는 $2{\theta}=5.1^{\circ}$로 층간거리가 $17{\AA}$를 나타내었으며, DDA-MMT의 경우, 회절 피크는 $2{\theta}=4.8^{\circ}$로써. 층간거리는 $18.4{\AA}$으로 나타났다. 이는 DDA-MMT와 DA-MMT가 각각 5 phr 첨가된 SBR 나노 복합체의 TEM 결과에서도 확인할 수 있었다. SBR 나노 복합체에 filler system (carbon black/silica/OLS)을 적용 후 시편을 제조하였다. 제조된 시편의 동적 점탄성 평가 (DMTA)는 $-20^{\circ}C{\sim}80^{\circ}C$ 사이에서 이루어졌으며, loss factor (tan $\delta$)의 거동을 확인하였다. 그 결과, 타이어 트래드용 컴파운드를 대상으로 할 경우, 카본블랙과 실리카의 혼용비가 35:25일 때, 빗길 제동특성과 연비특성을 대변하는 $0^{\circ}C$와 $50{\sim}60^{\circ}C$에서의 tan $\delta$가 가장 우수함을 알 수 있었다. 또한 이 시스템에 실리카의 일정 부분을 DDA-MMT($0{\sim}10phr$)로 대체할 경우, $0^{\circ}C$의 tan $\delta$값은 높아지는 반면, $50{\sim}60^{\circ}C$의 tan $\delta$값은 감소하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권2호
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• pp.344-350
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• 2010

The improved photocatalytic performance of a carbon/$TiO_2$ composite was studied for the Bisphenol A (BPA) decomposition. Titanium tetraisopropoxide (TTIP) and a rice husk from Korea were heterogeneously mixed as the titanium and carbon sources, respectively, for 3 h at room temperature, and then thermally treated at $600^{\circ}C$ for 1 h in $H_2$ gas. The transmission electron microscopy (TEM) images revealed that the bulk carbon partially covered the $TiO_2$ particles, and the amount that was covered increased with the addition of the rice husk. The acquired carbon/$TiO_2$ composite exhibited an anatase structure and a novel peak at $2{\theta}=32^{\circ}$, which was assigned to bulk carbon. The specific surface area was significantly enhanced to 123~164 $m^2/g$ in the carbon/$TiO_2$ composite, compared to $32.43m^2/g$ for the pure $TiO_2$. The X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) results showed that the Ti-O bond was weaker in the carbon/$TiO_2$ composite than in the pure $TiO_2$, resulting in an easier electron transition from the Ti valence band to the conduction band. The carbon/$TiO_2$ composite absorbed over the whole UV-visible range, whereas the absorption band in the pure$TiO_2$ was only observed in the UV range. These results agreed well with an electrostatic force microscopy (EFM) study that showed that the electrons were rapidly transferred to the surface of the carbon/$TiO_2$ composite compared to the pure $TiO_2$. The photocatalytic performance of the BPA removal was optimized at a Ti:C ratio of 9.5:0.5, and this photocatalytic composite completely decomposed 10.0 ppm BPA after 210 min, whereas the pure $TiO_2$ achieved no more than 50% decomposition under any conditions.